SU1700112A1 - Способ автоматического управлени процессом получени профилированных кристаллов из расплава - Google Patents
Способ автоматического управлени процессом получени профилированных кристаллов из расплава Download PDFInfo
- Publication number
- SU1700112A1 SU1700112A1 SU894733081A SU4733081A SU1700112A1 SU 1700112 A1 SU1700112 A1 SU 1700112A1 SU 894733081 A SU894733081 A SU 894733081A SU 4733081 A SU4733081 A SU 4733081A SU 1700112 A1 SU1700112 A1 SU 1700112A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- melt
- crystal
- growing
- change
- crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к автоматизации процессов выращивани профилированных кристаллов из расплава способом Степанов с применением смачиваемых расплавом формообразователен, может быть использовано дл выращивани кристаллов полупповлдн 1кового кремни , лей- косапфира ниобата и тантапата литмк и друп х материалов ъ позвол в повысить качество регулировани процесса выоащива- ни псофилирозанных чр сталлов, реагирование технологических переменных процесса кристаллизации в зависимости от змен енм веса и сил поверхностного натчхен оэстущего кристалла, которое определ ю-- на основании измеречш силы, приложенной к формообразователю, заглубленному п расплав. Способ включает регулирование температуры нагревател и скорости выт гивани кристалла в зависимости от изменени веса растущего кристалла и сил поверхностного нат жени , которые определ ют путем измерени силы , припоженной к формообразователю, заглубленному в расплав
Description
Изобретение относитс к автоматизации процессов выращивани профилированных кристаллов из расплава способом Степанова с применением смачиваемых расплавом формообразователен и может быть использовано дл выращивани кристаллов полупроводникового коемни , лей- косапфира, ниобага и тачталатз и других материалов
Профилированные кристаллы полупроводникового кремни примен ют дл изготовлени фотопреобразовгтелей солнечной энергии наземных и космических электробатарей . Трубы из гейкосапсЬиса вл ютс
компонентами памп накачки лазеров натриевых ламп высокого давлени и др.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению вл етс способ автоматического управлени процессом выращивани объемных крм- сталлов из расплава, включающий регулирование технологических переменных процесса кристаллизации в зависимости от изменени площади или периметра поперечного сечени растущего кристалла (1).
Недостатком известного способа зл - етс то, что усилие, приложенное к затравке растущего кристалла, передаетс на чувстш гД
ksaseS
вительный элемент силоизмерительного устройства через шарнирную т гу; проход щую в канале полого штока. Чувствительный элемент устанавливаетс на каретке технологической установки. Поэтому шарнирна т га имеет сравнительно большую длину. При дефектах изготовлени штока, деформации его от воздействи высоких температур и др. возникает трение т ги о внутреннюю поверхность штока, обусловливающее помехи в измерении усили , привод щее к ухудшению качества регулировани .
Этот способ автоматического управлени неприменим в бесштоковых технологических установках, в которых используют вывод троса, к которому крепитс затравка, из камеры выращивани через вакуумное уплотнение. Трение троса о вакуумное уплотнение исключает прецизионное измерение сил, приложенных к затравке растущего кристалла.
Кроме того, известный способ автоматического управлени технически трудно осуществить в технологических установках, в которых при выт гивании кристалла трос наматываетс на барабан лебедки, т.к. в этом случае дл измерени сил приложенных к затравке растущего кристалла, необходимо взвешивать большегрузную лебедку с барабаном.
Целью предла емого изобретени вл етс улучшение качества регулировани процесса выращивани профилированных кристаллов.
Поставленна цель достигаетс тем, что в способе автоматического управлени процессом получени профилированных кристаллов из расплава, включающем регулирование технологических переменных процесса кристаллизации, например, температуры нагревател , скорости выт гивани кристалла и других в зависимости от изменени площади или периметра или периметра поперечного сечени растущего кристалла, указанное изменение площади или периметра поперечного сечени растущего кристалла определ ют по силе, приложенной к формообразовзтелю, заглубленному в расплав,
На чертеже представлена схема устройства , реализующего предложенный способ.
Устройство содержит профилированный кристалл 1 (на чертеже труба), который выращивают в герметичной камере 2 из расплава , поступающего на рабочую поверхность формообразовател 3 по капилл рам А из тигл 5, рэзистивный нагреватель 6, трос 7, на нижнем конце которого закреплен заправкодержатель 8, верхний конец троса закреплен на барабане 9 лебедки, который приводитс во вращение приводом 10, тигель 5 перемещают вертикально вверх
с помощью штока 11 и привода 12.
Система автоматического регулировани включает силоизмерительное устройство 13-15, регул тор 16 температуры, регул тор 17 привода выт гивани кристалла (барабан 9 лебедки), регул тор 18 привода перемещени тигл , корректирующий регул тор 19, датчик 20 скорости привода выт гивани кристалла, Силоизмеритель- иое устройство содержит датчик 13, помещенный в герметичный корпус 14 и систему т г 15, соедин ющих датчик 13 с формообразователен 3.
Способ автоматического управлени процессом получени профилированных
кристаллов осуществл етс следующим образом . Формообразователь 4 заглублен в расплав и подвешен с помощью т г 15 к датчику 13 силоизмерительного устройства, Выход датчика 13 подключен к входу корректирующего устройства регул тора 19. Ко второму входу этого регул тора подключен выход датчика 20 скорости привода выт гивани кристалла. По скорости привода выт - гивзни кристалла в корректирующем
регул торе 19 формируетс желаема программа изменени во времени выталкивающей силы, действующей на формообразователь 3. Изменение выталки- вающои силы во времени зависит от площади и периметра поперечного сечени растущего кристалла. По разности сигналов датчика 13 силоизмерительного устройства и желаемой программы з корректирующем регул торе 19 определ етс управление регул тором 16, 17, 18 температуры нагревател 6 привода 10 выт гивани кристалла и привода перемещени тигл 12.
За базовый объект прин то устройство согласно прототипу.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ автоматического управлени процессом получени профилированных кристаллов из расплава, включающий регулирование температуры нагревател и скорости выт гивани кристалла в зависимости от изменени веса растущего кристалла и сил поверхностного нат жени , отличающийс тем, что, с целью улучшени качества регулировани , изменение веса растущего кристалла и сил поверхностного нат жени , определ ют путем измерени силы, приложенной к формообраэователю, заглубленному в расплав.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894733081A SU1700112A1 (ru) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | Способ автоматического управлени процессом получени профилированных кристаллов из расплава |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894733081A SU1700112A1 (ru) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | Способ автоматического управлени процессом получени профилированных кристаллов из расплава |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1700112A1 true SU1700112A1 (ru) | 1991-12-23 |
Family
ID=21467697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU894733081A SU1700112A1 (ru) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | Способ автоматического управлени процессом получени профилированных кристаллов из расплава |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1700112A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4301072A1 (de) * | 1993-01-16 | 1994-07-21 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
-
1989
- 1989-05-26 SU SU894733081A patent/SU1700112A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Авторское свидетельство СССР Ns 469285, кл. С 30 В 15/30, 1972. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4301072A1 (de) * | 1993-01-16 | 1994-07-21 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
| US5485802A (en) * | 1993-01-16 | 1996-01-23 | Leybold Aktiengesellschaft | Method and apparatus for pulling monocrystals from a melt |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101408629B1 (ko) | 성장 프로세스에서 실리콘 결정 잉곳의 직경을 제어하는 방법 및 장치 | |
| KR100690218B1 (ko) | 성장 공정 중에 실리콘 결정의 직경을 제어하는 방법 및장치 | |
| US3998598A (en) | Automatic diameter control for crystal growing facilities | |
| US5129986A (en) | Method for controlling specific resistance of single crystal and an apparatus therefor | |
| KR950004788B1 (ko) | 관상결정체 성장장치의 제어시스템 | |
| CN101591802A (zh) | 提拉法晶体生长的等径控制方法 | |
| US5096677A (en) | Single crystal pulling apparatus | |
| SU1700112A1 (ru) | Способ автоматического управлени процессом получени профилированных кристаллов из расплава | |
| US5584930A (en) | Method for measuring the diameter of a single crystal ingot | |
| US4936947A (en) | System for controlling apparatus for growing tubular crystalline bodies | |
| US3700412A (en) | Crystal pulling apparatus having means for maintaining liquid solid crystal interface at a constant temperature | |
| US5800612A (en) | Single-crystal semiconductor pulling apparatus | |
| US3259467A (en) | Apparatus for pulling rod-shaped crystals of semiconductor material from a melt in acrucible | |
| CN106687625A (zh) | 单晶的制造方法 | |
| JPS55130895A (en) | Single crystal preparing method and apparatus therefor | |
| RU2128250C1 (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
| Borodin et al. | The development of automated control system for the growth of shaped sapphire crystals: combined control | |
| USRE34375E (en) | System for controlling apparatus for growing tubular crystalline bodies | |
| JP2939920B2 (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
| RU2088701C1 (ru) | Устройство для выращивания кристаллов из расплава | |
| JPS59227797A (ja) | 単結晶の引上げ方法 | |
| RU2184803C2 (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
| SU1533371A1 (ru) | Способ контрол процесса кристаллизации из расплава | |
| RU1798396C (ru) | Способ выращивани кристаллов из расплава в автоматическом режиме | |
| EP0188614A1 (en) | METHOD FOR THE GROWTH OF SHAPED CRYSTAL FIBERS. |