SU1694599A1 - Способ отверждени силоксанового каучука - Google Patents
Способ отверждени силоксанового каучука Download PDFInfo
- Publication number
- SU1694599A1 SU1694599A1 SU884616925A SU4616925A SU1694599A1 SU 1694599 A1 SU1694599 A1 SU 1694599A1 SU 884616925 A SU884616925 A SU 884616925A SU 4616925 A SU4616925 A SU 4616925A SU 1694599 A1 SU1694599 A1 SU 1694599A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- rubber
- solution
- toluene
- ultraviolet light
- siloxane rubber
- Prior art date
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к способам отверждени силоксановых каучуков ультрафиолетовым светом и может быть использовано дл получени термостойких покрытий, предназначенных дл защиты изделий из ме галлов. Изобретение позвол ет снизить энергоемкость процесса - экспозиционна доза облучени составл ет 13,5-54,0 Дх/см2, а также улучшить технику безопасности - в качестве фотоинициатора используют не токсичные и не взрывоопасные соединени . Способ осуществл ют следующим образом . В 15%-ный раствор в толуоле полидиметилсилоксанового каучука с мол.м 350000-600000 (каучук СКТ) ввод т 3%-ный раствор в толуоле 2-фторантозхинон или 1,2,3,4-тетрафторантрзх /1нона в количестве 0,2-0,8% массы каучука. После перемг-ши- вани до образовани однородного раствора его нанос т на поверхность в три сло с сушкой каждого сло при комнатной температуре з течение 1 ч (толщина сло 0,2-0,5 мм). Затем поверхность облучают ультрафиолетовой лампой ДРТ-1000 с рассто ни 25 см нефильтрованным светом 1 табл tn t
Description
Изобретение относитс к способам отверждени силоксановых каучуков ультрафиолетовым светом и может быть использовано дл получени термостойких покрытий, предназначенных дл защиты изделий из металлов.
Целью изобретени вл етс снижение энергоемкости процесса отверждени и улучшение его техники безопасности.
Дл реализации способа в 15%-ный раствор в толуоле полидиметилсилоксанового каучука с мол.массой 350000-600000(каучук СКТ) ввод т 3%-ный раствор в толуоле 2- фторантрахинона или 1,2,3,4-тетрафторант- рахинона. После перемешивани до образовани однородного раствора его нанос т на поверхность в три сло с сушкой каждого сло при комнатной температуре в
течение 1 ч (толщина сло 0,2-0,5 мм). Затем поверхность облучают ультрафиолетовой лампой ДРТ-1000 с рассто ни 25 см нефильтрованным светом.
Вид и количество фотоинициэтора, а также величина гель-фракции в зависимости от экспозиционной дозы облучени приведены в таблице.
Claims (1)
- Формула изобретени Способ отверждени силоксанового каучука облучением его ультрафиолетовым светом в присутствии фотоинициатора, отличающийс тем, что, с целью снижени энергоемкости процесса и улучшени техники безопасности, в качестве силоксанового каучука используют полидиметилсилоксано- вый каучук с мол.м. 350000-600000, в качестве фотоинициатора используют 0.2-0,8%икЗЬо45Ь СПомассы каучука 2-фторантрахинона или 1,2,3.4-тетрафторантрахинона и облучениепровод т ультрафиолетовым светом с экспозиционной дозой 13.5-54 Дж/см2.Величина гель-фракции, обеспечивающа необходимую степень отверждеииалолжна быть не менее 75 0% При больших чем 54,0 даУсм ь дозах облучени величине гель-франции растет очень медленно.Термостойкость покрытий (при величине гель-фракций 90%) до 250°С.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884616925A SU1694599A1 (ru) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Способ отверждени силоксанового каучука |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884616925A SU1694599A1 (ru) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Способ отверждени силоксанового каучука |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1694599A1 true SU1694599A1 (ru) | 1991-11-30 |
Family
ID=21413695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU884616925A SU1694599A1 (ru) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Способ отверждени силоксанового каучука |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1694599A1 (ru) |
-
1988
- 1988-12-07 SU SU884616925A patent/SU1694599A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Каучук синтетический термостойкий СКТ: ГОСТ 14680-69. За вка JP № 57-109352, кл. С 08 L 83/04. опуб ик.1982. РЖХ № 15Т147П, 1983. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE187385T1 (de) | Ultravioleter zyklus-ofen zur polimerisation von kontakt-linsen | |
| ES8801843A1 (es) | Metodo para producir un material a base de organopolisiloxano reticulado que presenta una pegajosidad superficial reducida. | |
| JPS6362270B2 (ru) | ||
| ATE195743T1 (de) | Verfahren zur erzeugung von reaktiven spezies und seine verwendung | |
| ATE37962T1 (de) | Verfahren zur herstellung von lichtgehaerteten schichten mit definierter haerte. | |
| ES461276A1 (es) | Procedimiento de preparacion de un revestimiento para super-ficies de vidrio y de material ceramico. | |
| KR890010132A (ko) | 경화도막의 형성방법 | |
| JPS57104217A (en) | Surface heat treatment | |
| ES541942A0 (es) | Un procedimiento para revestir un substrato con una composicion de organosiloxano. | |
| FI903013A0 (fi) | Foerfarande foer oeverdragning av aemnen med medelst uv haerdbara epoxisilikonkompositioner. | |
| SU1694599A1 (ru) | Способ отверждени силоксанового каучука | |
| ATE33189T1 (de) | Verfahren zur herstellung von polyimid- und polyisoindolochinazolindion-reliefstrukturen. | |
| SE8104565L (sv) | Forbettrat ljuskensligt material | |
| DE50014202D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur isolierung elektrotechnischer bauteile | |
| ATE32957T1 (de) | Verfahren zur herstellung von polyimidazol- und polyimidazopyrrolon-reliefstrukturen. | |
| KR910014892A (ko) | 광 디스크 제조방법 | |
| JPS5970508A (ja) | 光硬化性成形材料の成形方法 | |
| DE3882351D1 (de) | Verfahren zum aushaerten von organischen beschichtungen durch anwendung von kondensationswaerme und strahlungsenergie. | |
| JPS57109852A (en) | Curing method of silicone | |
| JPS54143776A (en) | Ultraviolet irradiator | |
| JPS5237997A (en) | Process for preparing transparent cast polymers | |
| JPS57202532A (en) | Formation of pattern | |
| JPS5534416A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPS57149733A (en) | Dry etching method | |
| ES2030778T3 (es) | Procedimiento y dispositivo para tratar objetos con radiacion de electrones y/o radiacion electromagnetica bajo gas protector. |