SU1681209A1 - Способ измерени работы выхода электронов из материалов - Google Patents
Способ измерени работы выхода электронов из материалов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1681209A1 SU1681209A1 SU894727860A SU4727860A SU1681209A1 SU 1681209 A1 SU1681209 A1 SU 1681209A1 SU 894727860 A SU894727860 A SU 894727860A SU 4727860 A SU4727860 A SU 4727860A SU 1681209 A1 SU1681209 A1 SU 1681209A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- energy
- work function
- electrons
- electron
- reflected electrons
- Prior art date
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области определени эмиссионных свойств материалов при проведении исследований методами вторично-электронной эмиссии и примен етс дл определени работы выхода электронов в материалах, необходимой дл расчета как элементов эмиссионной электИзобретение относитс к области определени эмиссионных свойств матеоиалов при проведении исследований методами вторично-электронной эмиссии и может найти применение дл определени работы выхода электронов в материалах, необходимой дл расчета как элементов эмиссионной электроники,так и тех конструкций, где присутствуют контакты разнородных материалов (например, термопары, биметаллические пластины и т.д.). Целью изобретени вл етс повышение точности и локализации способа. На фиг. 1 показан спектр вторичного излучени при энергии первичного пучка роники, так и тех конструкций, где присутствуют контакты разнородных материалов, например термопар, биметаллических пластинок и т.д. Цель изобретени - повышение точности и локализации способа. При реализации способа поверхность исследуемого и эталонного образцов облучают потоком низкоэнергетических электронов, измер ют энергию упруго отраженных от них электронов и определ ют работу выхода электронов по следующей формуле V06 Еоб - Еэт + Vat, где Е0б энергетическое положение максимума упругоотраженных электронов исследуемого образца; ЕЭт - энергетическое положение максимума упругоотраженных электронов от эталонного образца; V3T - работа выхода электронов эталонного образца; V06 - работа выхода электронов исследуемого образца, 4 ил., 1 табл, Ё меньше 10 эВ; на фиг. 2 -тоже, при энергии больше 500 эВ; на фиг. 3-4 - спектры вторичного излучени при энергии первичного пучка в диапазоне 10-500 эВ дл эталона и исследуемого образца соответственно. Выбор указанного диапазона энергий объ сн етс следующим. При энергии пучка меньше 10 эВ вследствие большого рассе ни отраженных электронов на атомах остаточных газов и зар дке исследуемого образца чувствительность электронного анализатора не достаточна дл уверенной регистрации пучка упругоотраженных электронов (фиг. 1). При энергии пучка больше 500 эВ вследствие процессов электронноО 00 ю о о
Description
стимулированной адсорбции и электронно- стимулированных фазовых превращений на поверхности исследуемого образца возникает резкое изменение формы упругоотра- женного пика и по вление на нем нескольких характеристических точек (локальные максимумы ), что делает невозможным однозначное определение работы выхода (фиг. 2),
Выбор моноэнсргетического электронного пучка в диапазоне 10-500 эВ позвол ет , во-первых, уверенно регистрировать пруоотзаженный пик электронов; во-вторых , этот пик получаетс с одним максимумом , что исключает неоднозначность определени работы выхода, в-третьих, вследствие монохроматичности пучка(раз- боос энергии 0,1 эВ) пик упругоотраженных электронов получаетс узким, ширина sa половине высоты 0,05 эВ (фиг. 3,4).
Способ осуществл ют следующим обра- оом
исследуемый образец и эталон помещают в вакуумную камеру с давлением 10 , ст., а затем облучают посредством слеюрснной пушхи потоком электронов низких -энергий С помощью энергетическо- -о анализатора, который выполнен либо по зсриа ту сферического конденсатора, либо по варианту цилиндрическое зеркало, ре- п .стрируют максимумы пиков упругоотра- xeui ых электронов от образца и эталона. После этого, зна работу выхода дл этало- , о, наход т работу выхода образца по фор- ie
Uo6 Еоб - Еэт Оэт,
где Р об - энергетическое положение максимума упругоотражанных электронов от исследуемого образца;
Еэт - энергетическое положение максимума упругоотраженных электронов от эталонного образца,
U3i - работа выхода электронов эталонного образца;
и0б - работа выхода электронов исследуемого образца.
Облучением исследуемого образца потоком низкоэнергегических электронов добиваютс высокой локальности определени работы выхода, так как пучок электронов может быть сфокусирован до размеров 0,1- 1 мкм
Использование ннзкоэнергетического потока электронов позвол ет получить узкие пики упругоотраженных электронов, следовательно, положение максимума может быть найдено с высокой степенью точности .
Измерение энергии максимумов пиков упругоотраженных электронов от образца и эталона позвол ет резко уменьшить ошибку
измерени энергии, так а ошибка определени разности энергии юраздо меньше ошибки определени энергии максимума. Определение оаботы выхода эпектронов по указанной формуле позвол ет с высокой точностью определ ть UOD, гак как точность этого параметра определ етс точностью измерени разности Е0р - ЕЭт и точностью задани иэт а зта величина мо0 жет быть вз та из соответствующих справочников
Пример Првод т измерени работы выхода электронов кремни (100/ легированного фосфором с удельным сопротивле5 нием р 100 Ом см при
8 качестве эталона используют образец Аи. Исследуемый образец и эталон помещают в вакуумную камеру установки дл исследовани поверхности фирмы Leyboid
0 Вакуум в камере создают системой турбо- молекул риых насосов и составл л 10 мм рт ст. Образец и эталон облучают пучком низкоэнергетических электронов с энергией 200 эВ. при этом диамето пучка сосгав5 л л 3,0 мкм Определ ют положение пиков упругоотражанных электронов от образца и эталона с помощью электрон -юго анализатора сферического типа
В последующем работу выходазлектро0 нов у кремни определ ют по указанной формуле Uo6 4,62 ± 0,05 эВ
В этом же приборе облучают образец рентгеновским пучком с использованием Мд анода и получают спркгр фотозлектро
5 нов, по которому с помощью способа- прототипа определ ют работу выхода электронов кремни При этом диамето пучка был примерно 1 им Полученные даннме сведены в таблицу.
0Таким образом, анализ таблицы показывает , что данный способ позвол ет по сравнению со способом-прототип - i более чем на пор док увеличить точное определени работа выхода и сюл-ее чем на 5 по5 р дков локальность определени по поверхности
Применение способа позволит с гораздо большей точностью проводить расчет контактной разности потенциалов в конст0 рукци х с разнородными материалами, например термопары, а также проводить оценку однородности поверхности по химическому составу, использу измерени работы выхода в разных точках поверхности
Claims (1)
- 5Формула изобретениСпособ измерени работы выхода электронов из материалов, включающий облучение исследуемого образца моноэнергетическим пучком электронов и регистрацию спектра вторичной электронной эмиссии по которомусуд т о работе выхода, отличающий - с тем, что, с целью повышени точности и локализации способа, облучение провод т пучком электронов с энергией 10-500 эВ, дополнительно облучают эталонный образец и регистрируют спектр вторичной электронной эмиссии от него, по полученным спектрам определ ют энергию максимумов упругоотраженных электронов и наход тработу выхода электронов исследуемого образца по формулеUo6 Еоб Еэт + UST,где Еоб и Еэт энергетическое положение максимума упругоотраженных электронов от исследуемого и эталонного образцов соответственно ,Уэт и Uo6 - работа выхода злектроноз эталонного и исследуемого образцов.1имп секФиг.I ЦКимп секЭталон136. 7звЕэдФиг. гЕэв1имсек05разец197.02 эВ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894727860A SU1681209A1 (ru) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | Способ измерени работы выхода электронов из материалов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894727860A SU1681209A1 (ru) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | Способ измерени работы выхода электронов из материалов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1681209A1 true SU1681209A1 (ru) | 1991-09-30 |
Family
ID=21465216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894727860A SU1681209A1 (ru) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | Способ измерени работы выхода электронов из материалов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1681209A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2552596C2 (ru) * | 2012-10-16 | 2015-06-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" (МАИ) | Датчик вторичной электронной эмиссии |
-
1989
- 1989-07-04 SU SU894727860A patent/SU1681209A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследовани поверхности твердых тел. М.: Наука, 1983, с. 17-18. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2552596C2 (ru) * | 2012-10-16 | 2015-06-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" (МАИ) | Датчик вторичной электронной эмиссии |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6157032A (en) | Sample shape determination by measurement of surface slope with a scanning electron microscope | |
Ma et al. | A pulsed electron beam time of flight apparatus for measuring absolute electron impact ionization and dissociative ionization cross sections | |
JPS62255858A (ja) | 金属試料表面中の金属痕跡量を非破壊的に測定する装置 | |
Graczyk et al. | Scanning electron diffraction attachment with electron energy filtering | |
US6788760B1 (en) | Methods and apparatus for characterizing thin films | |
Tsong et al. | Methods for a precision measurement of ionic masses and appearance energies using the pulsed‐laser time‐of‐flight atom probe | |
Seiler et al. | Quantitative mass spectrometry by internal standardisation using a single focusing mass spectrometer and the peak switching facilities of a peak matching device | |
SU1681209A1 (ru) | Способ измерени работы выхода электронов из материалов | |
Diebold et al. | Evaluation of surface analysis methods for characterization of trace metal surface contaminants found in silicon integrated circuit manufacturing | |
US4510387A (en) | Ion micro-analysis | |
US3631238A (en) | Method of measuring electric potential on an object surface using auger electron spectroscopy | |
Baker et al. | Investigation of light scattering for normalization of signals in laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry | |
US5120967A (en) | Apparatus for direct measurement of dose enhancement | |
KR940000735B1 (ko) | 전자비임 길이 측정장치 | |
JPH063295A (ja) | 表面分析装置 | |
RU1685172C (ru) | Способ определени распределени плотности потока ионных пучков | |
Hauser et al. | Push‐rod ac susceptibility apparatus | |
SU1005213A1 (ru) | Способ контрол термоэмиссионного состо ни поверхности твердого тела | |
Baroni et al. | Track discrimination of low-energy nuclei in plastics | |
SU1755144A1 (ru) | Способ рентгеноспектрального микроанализа твердых тел | |
Jnanananda | The β-Radiations of Uranium X 1 | |
SU721787A1 (ru) | Способ определени температуры кюри ферромагнитных образцов | |
SU600908A1 (ru) | Способ неразрушающего определени величины и стабильности энергии электрического пол , накопленной диэлектриком при облучении его ионизирующем излучением | |
SU935845A1 (ru) | Способ определени толщин мертвого сло спектрометрического детектора ионов | |
JPH1151885A (ja) | 二次イオン質量分析法 |