SU1676092A1 - Inverter - Google Patents
Inverter Download PDFInfo
- Publication number
- SU1676092A1 SU1676092A1 SU894748941A SU4748941A SU1676092A1 SU 1676092 A1 SU1676092 A1 SU 1676092A1 SU 894748941 A SU894748941 A SU 894748941A SU 4748941 A SU4748941 A SU 4748941A SU 1676092 A1 SU1676092 A1 SU 1676092A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- base
- output
- resistor
- transistors
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в интегральных микросхемах повышенного быстродействи . Цель изобретени - повышение быстродействи инвертора путем уменьшени времени включени транзисторов , При подаче на базу транзистора 4 высокого уровн напр жени он открываетс . Так как транзисторы 3, 5 уже были открыты протекающими токами баз, то через минимальное врем потенциалы на базах транзисторов 2 и 6 достигают значени 0,7 В и привод т к их открыванию. Напр жение на базе транзистора 1 и выходе схемы уменьшаетс до величины менее 0,5 В, при этом транзистор 1 закрыт, а транзистор 2 открыт, 1 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used in high-speed integrated circuits. The purpose of the invention is to increase the speed of the inverter by reducing the turn-on time of the transistors. When high voltage is applied to the base of transistor 4, it opens. Since transistors 3, 5 have already been opened by flowing base currents, after a minimum time the potentials at the bases of transistors 2 and 6 reach 0.7 V and lead to their opening. The voltage at the base of the transistor 1 and the output of the circuit decreases to less than 0.5 V, while the transistor 1 is closed and the transistor 2 is open, 1 sludge.
Description
н - Й О Dn - th on d
/7/ 7
слcl
р.R.
О VJAbout VJ
ОABOUT
ОABOUT
ю юyu yu
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в интегральных микросхемах повышенного быстродействи .The invention relates to a pulse technique and can be used in high-speed integrated circuits.
Цель изобретени - повышение быстро- действи инвертора за счет уменьшени времени включени транзисторов.The purpose of the invention is to increase the inverter speed by reducing the turn-on time of the transistors.
На чертеже представлена схема инвертора .The drawing shows the scheme of the inverter.
Инвертор содержит шесть транзисто- ров 1-6, восемь резисторов 7-14, первый 15 и второй 16 диоды, причем коллектор первого транзистора 1 через первый резистор 7 подключен к шине 17 питани и первым выводам второго 8, третьего 9 и четвертого 10 резисторов, эмиттер первого транзистора 1 соединен с выходной шиной 18 и коллектором второго транзистора 2, эмиттер которого подключен к общей шине 19 и первым выводам п того 11 и шестого 12 рези- сторов, второй вывод п того резистора 11 соединен с базой второго транзистора 2 и эмиттером третьего транзистора 3, коллектор которого подключен к эмиттеру четвертого транзистора 4, второй вывод шестого резистора 12 соединен с эмиттером п того транзистора 5, база которого подключена к второму выводу второго резистора 8.The inverter contains six transistors 1-6, eight resistors 7-14, first 15 and second 16 diodes, and the collector of the first transistor 1 is connected through the first resistor 7 to the power bus 17 and the first terminals of the second 8, third 9 and fourth 10 resistors the emitter of the first transistor 1 is connected to the output bus 18 and the collector of the second transistor 2, the emitter of which is connected to the common bus 19 and the first terminals of the fifth 11 and sixth 12 resistors, the second terminal of the fifth resistor 11 is connected to the base of the second transistor 2 and the third emitter transistor 3, collective Op which is connected to the emitter of the fourth transistor 4, the second output of the sixth resistor 12 is connected to the emitter of the pth transistor 5, the base of which is connected to the second output of the second resistor 8.
Второй вывод третьего резистора 9 соединен с первым выводом седьмого рези- стора 13, база первого транзистора 1 подключена к второму выводу четвертого резистора 10, первому выводу первого диода 15 и коллектору шестого транзистора 6, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база - с эмиттером п того транзистора 5, база последнего через восьмой резистор 14 подключена к второму выводу первого диода 15, выходна шина 18 через второй диод 16 соединена с вторым выводом седьмого резистора 13, первый вывод которого подключен к базе третьего транзистора 3, коллектор последнего соединен с коллектором п того транзистора 5, база и коллектор четвертого транзистора 4 подключены соответ- ственно к общей шине 19 и шине 17 питани .The second output of the third resistor 9 is connected to the first output of the seventh resistor 13, the base of the first transistor 1 is connected to the second output of the fourth resistor 10, the first output of the first diode 15 and the collector of the sixth transistor 6, the emitter of which is connected to the common bus, and the base to the emitter p the transistor 5, the base of the latter through the eighth resistor 14 is connected to the second output of the first diode 15, the output bus 18 through the second diode 16 is connected to the second output of the seventh resistor 13, the first output of which is connected to the base of the third transistor 3, the collector of the latter is connected to the collector of the fifth transistor 5, the base and the collector of the fourth transistor 4 are connected, respectively, to the common bus 19 and the power bus 17.
Инвертор работает следующим образом .The inverter works as follows.
При подаче на базу транзистора 4 низкого уровн напр..лзни (менее 0,5В) транзистор 4 закрыт и то:: его эмиттера отсутствует. Соотношение резисторов 9 и 11, 8 и 12 таковы, что протекающие через базы транзисторов 3 и 5 токи создают на базах транзисторов 2 и 6 падение напр жени менее 0,5В, при этом транзисторы 2 и 6 закрыты, на базе транзистора 1 высокий уровень, приближающийс к напр жениюWhen applying to the base of the transistor 4 a low level eg .. lzni (less than 0.5V), the transistor 4 is closed and then :: its emitter is missing. The ratio of resistors 9 and 11, 8 and 12 is such that the currents flowing through the bases of transistors 3 and 5 create a voltage drop of less than 0.5V at the bases of transistors 2 and 6, while transistors 2 and 6 are closed, at the base of transistor 1 approaching voltage
источника питани , и на выходе схемы также устанавливаетс высокий уровень.the power supply and the output of the circuit are also set to a high level.
При подаче на базу транзистора 4 высокого уровн напр жени более 2,4В транзистор 4 открываетс , в коллекторы транзисторов 3 и 5 начинает втекать ток. Так как транзисторы 3 и 5 уже были открыты протекающими токами баз, то через минимальное врем потенциалы на базах транзисторов 2 и 6 достигают значени 0,7 - 0,8 В и привод т к открыванию перечисленных транзисторов, соответственно, напр жени на базе транзистора 1 и выходе схемы уменьшаетс до величины менее 0,5В, при этом транзистор 1 закрыт, транзистор 2 открыт , на выходе - низкий потенциал, менее 0,5 В, при этом открываютс первый 15 и второй 16 диоды и через резисторы 13 и 14 ток из баз транзисторов 3 и 5 ответвл етс и, соответственно, транзисторы 2 и 3, 5 и 6 подзакрываютс , что ограничивает степень насыщени транзисторов 2 и 6, при этом обеспечиваетс выходное напр жение низкого уровн менее 0,5 В.When a high voltage of more than 2.4V is applied to the base of transistor 4, transistor 4 opens, and a current flows into the collectors of transistors 3 and 5. Since transistors 3 and 5 have already been opened by flowing base currents, after a minimum time the potentials at the bases of transistors 2 and 6 reach 0.7 to 0.8 V and lead to the opening of the listed transistors, respectively, the voltage at the base of transistor 1 and the output of the circuit is reduced to less than 0.5V, while the transistor 1 is closed, the transistor 2 is open, the output potential is low, less than 0.5 V, the first 15 and second 16 diodes are opened and through resistors 13 and 14 the current from the bases of transistors 3 and 5 are branched off and, respectively, transistors 2 and 3, 5 and 6 are closed, which limits the saturation level of transistors 2 and 6, while providing a low output voltage of less than 0.5 V.
При подаче низкого уровн менее 0,5 В на базу транзистора 4 последний закрываетс и уменьшение тока коллектора транзисторов 3 и 5 приводит к быстрому уменьшению тока их эмиттеров и уменьшению напр жени на базах транзисторов 2 и 6. Учитыва то, что транзисторы 2 и 6 работают в ненасыщенном режиме, они быстро выключаютс , открываетс транзистор 1 и на выходе схемы устанавливаетс высокий уровень напр жени более 2,4.When a low level is applied less than 0.5 V to the base of transistor 4, the latter closes and a decrease in the collector current of transistors 3 and 5 leads to a rapid decrease in the current of their emitters and a decrease in voltage on the bases of transistors 2 and 6. Taking into account that transistors 2 and 6 work in the unsaturated mode, they quickly turn off, transistor 1 opens, and a high voltage level of more than 2.4 is established at the output of the circuit.
Быстродействие предлагаемого инвертора выше, чем у известных, за счет уменьшени времени включени транзисторов.The performance of the proposed inverter is higher than that of the known ones, due to the reduction of the turn-on time of the transistors.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894748941A SU1676092A1 (en) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | Inverter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894748941A SU1676092A1 (en) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | Inverter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1676092A1 true SU1676092A1 (en) | 1991-09-07 |
Family
ID=21474425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894748941A SU1676092A1 (en) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | Inverter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1676092A1 (en) |
-
1989
- 1989-10-11 SU SU894748941A patent/SU1676092A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US №4228371, кл. Н 03 К 17/00, 1980. Авторское свидетельство СССР № 344585, кл. Н 03 К 19/08, 1972. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0287819A (en) | Bicmos logic circuit | |
SU1676092A1 (en) | Inverter | |
JPS59172B2 (en) | Field effect transistor drive circuit | |
US4347561A (en) | Alternating current to direct current power supply | |
EP0146479A2 (en) | Method and apparatus for reducing the storage time in a saturated transistor | |
SU1690189A1 (en) | The high-voltage logical element | |
SU1651372A1 (en) | Transistor-transistor inverter | |
SU1320897A1 (en) | Logic level converter | |
SU1443161A1 (en) | Transistor gate | |
SU1188873A1 (en) | Method of power transistor switch control | |
SU1422379A1 (en) | Pulse shaper | |
SU1322455A1 (en) | High-voltage switch | |
SU1370777A1 (en) | Buffer stage of iil-type | |
SU1262719A1 (en) | Matching device | |
SU1471302A1 (en) | Transistor relay | |
SU1471303A1 (en) | Device with optronic decoupling | |
SU1480104A1 (en) | Pulse shaper | |
SU1631533A1 (en) | Dc voltage regulator | |
SU1422390A1 (en) | Solid-state gate | |
SU1277382A1 (en) | Transistor-transistor logic element | |
SU1193783A1 (en) | Optronic generator | |
SU1476586A1 (en) | Dc electric drive | |
SU1317654A1 (en) | Ternary flip-flop | |
SU1288668A1 (en) | Pulsed voltage stabilizer | |
SU1725362A1 (en) | Active oscillator |