SU1193783A1 - Optronic generator - Google Patents

Optronic generator Download PDF

Info

Publication number
SU1193783A1
SU1193783A1 SU843696354A SU3696354A SU1193783A1 SU 1193783 A1 SU1193783 A1 SU 1193783A1 SU 843696354 A SU843696354 A SU 843696354A SU 3696354 A SU3696354 A SU 3696354A SU 1193783 A1 SU1193783 A1 SU 1193783A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistor
transistor
bipolar transistor
supply bus
field
Prior art date
Application number
SU843696354A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Прокофьевич Кожемяко
Павел Феофанович Олексенко
Владимир Владимирович Белый
Владимир Павлович Гель
Леонид Иванович Тимченко
Original Assignee
Винницкий политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Винницкий политехнический институт filed Critical Винницкий политехнический институт
Priority to SU843696354A priority Critical patent/SU1193783A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1193783A1 publication Critical patent/SU1193783A1/en

Links

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР Содержащий бипол рный и полевой транзисторы, два фоторезисторных о трона и п ть резисторов, причем ис ток полевого транзистора соединен с первой питающей шиной, к которой через первый резистор подключен затвор полевого транзистора и чере фоторезистор первого оптрона подкл чены первый вывод второго резистора и база бипол рного транзистора, эмиттер которого соединен с вт.орой питающей шиной, а в цепь, соедин ющую коллектор бипол рного транзистора с первой питающей шиной, включен третий резистор, отличающийс  тем, что, с целью расширени  частотного диапазона в сторону инфранизких частот, светодиодЫ первого и второго оптронов включены последовательно с третьим резистором в коллекторную цепь бипол рного транзистора в пр мом по отношению к- источнику питани  направлении, фоторезистор второго оптрона включен между второй питакщей щиной и затвором полевого транзистора, сток которого подключен к базе бипол рного транзистора через четвертый резистор, второй вывод второго резистора соединен с второй питающей шиной, а п тый резистор включен параллельно светодиоду второго оптрона.OPTOELECTRONIC GENERATOR Containing a bipolar and field-effect transistors, two photoresistors on the throne and five resistors, the source of the field-effect transistor connected to the first supply bus, to which the first output of the second resistor is connected via the first resistor and The base of the bipolar transistor, the emitter of which is connected to the second power supply bus, and the third resistor, which is connected to the circuit connecting the collector of the bipolar transistor to the first power bus, In order to expand the frequency range towards infra-low frequencies, the LEDs of the first and second optocouplers are connected in series with the third resistor to the collector circuit of the bipolar transistor in the direction relative to the power source, the photoresistor of the second optocoupler is connected and the gate of the field-effect transistor, the drain of which is connected to the base of the bipolar transistor through the fourth resistor, the second output of the second resistor is connected to the second supply bus, and the fifth resistor VC li ne parallel to the second LED of the optocoupler.

Description

1 Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано при разработке иьтульсных устройств автоматики миллисекундного и шнyтнoгo диапазонов в интегральном исполнешш. Цель изобретени  - расширение частотного диапазона в сторону инфранизких частот за счет использовани  процесса спада тока через фоторезистор оптрона после прекращени  действи  светового потока с его светодиода и путем управлени  с помощью этого тока состо нием полевого транзистора. На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема устройства . Оптоэлектронный генератор содержит бипол рный 1 и полевой 2 транзисторы , первый оптрон с фоторезистором 3 и светодиодом 4, второй оптрон со светодиодом 5 и фоторезистором 6, резисторы 7-11. Затвор транзистора 2 через резистор 7 подключен к первой питающей шине 12 и через фоторезистор 6 к вто рой питающей шине 13, с которой соединены эмиттер транзистора 1 и вывод резистора 8, другой вывод которого соединен с базой транзистора 1, подключенной к стоку транзистора 2 через резистор 10 и к шине 12 через фоторезистор 3. Светодиоды 4 и 5 включены в провод щем направлении последоватепьно с резистором 9 между коллек тором транзистора 1 и шиной 12, с которой соединен исток транзистора 2. Резистор 11 включен параллельно светодиоду 5. Оптоэлектронный генератор работает с едукщим образом. При подаче напр жени  питани  на шину 12 через открытый канал п-типа 3 . транзистора 2 и резистор 10 в базу транзистор, 1 потечет ток, и когда падение напр жени  на резисторе 8 превысит - напр жение срабатывани  бистабильной схемы, вьтолненной на транзисторе 1, светодиодах 4 и 5, резисторах 9 и 11 и фоторезистрре 3, бистабильна  схема включитс  и светодиод 5 начнет излучать световой поток. При этом сопротивление фоторезистора 6 уменьшитс , а сопротивление канала транзистора 2 увеличитс , так как на резисторе 7 и соответственно на затвора транзис-, тора 2 по витс  запирающее напр жение . Когда падение напр жени  на резисторе 8 станет меньше Uf,5b бистабильна  схема выключитс  и .светодиод 5 перестанет излучать световой поток. Когда транзистор 2 перейдет в исходное состо ние (сопротивление его канала уменьшитс ), падение напр жени  на резисторе 8 станет больше и и процесс повторитс  снова. Длительность цикла зависит от сопротивлени  резистора 7 и посто нной времени спада тока фоторезистора 6. Причем, чем больше сопротивление резистора 7, тем больше длительность процесса. Так как входное сопротивление транзистора 2 велико (дес тки МОм), то максимальное сопротивление резистора 7 может быть соизмеримо с ним. Это дает возможность, измен   сопротивление резистора 7, измен ть частоту следовани  импульсов от миллисекундного до минутного диапазонов . Кроме того, измен   сопротивление резистора 11, можно измен ть врем  свечени  светодиода 5,а следовательно - длительность импульсов.1 The invention relates to a pulsed technique and can be used in the design of impulse automation devices in the millisecond and in-band ranges in the integral performer. The purpose of the invention is to extend the frequency range towards infra-low frequencies by using the process of current decay through the photoresistor of the optocoupler after the light flux from its LED stops and by controlling the state of the field-effect transistor with this current. The drawing shows a circuit diagram of the device. An optoelectronic generator contains a bipolar 1 and field 2 transistors, a first optocoupler with a photoresistor 3 and a LED 4, a second optocoupler with a LED 5 and a photoresistor 6, resistors 7-11. The gate of transistor 2 through a resistor 7 is connected to the first power line 12 and through a photoresistor 6 to the second power line 13 to which the emitter of transistor 1 and the output of resistor 8 are connected, the other output of which is connected to the base of transistor 2 through a resistor 10 and to the bus 12 through the photoresistor 3. The LEDs 4 and 5 are connected in the conductive direction successively with a resistor 9 between the collector of transistor 1 and the bus 12, to which the source of transistor 2 is connected. The resistor 11 is connected in parallel with the LED 5. Optoelectronic the generator works with the euki way. When power is applied to bus 12 through an open n-type channel 3. the transistor 2 and the resistor 10 to the base transistor, 1 will flow current, and when the voltage drop across the resistor 8 exceeds - the operation voltage of the bistable circuit, executed on the transistor 1, the LEDs 4 and 5, the resistors 9 and 11 and the photoresistor 3, the bistable circuit turns on and LED 5 will begin to emit light. In this case, the resistance of the photoresistor 6 decreases, and the resistance of the channel of the transistor 2 increases, as the resistor 7 and, accordingly, the blocking voltage is applied to the gate of the transistor, torus 2. When the voltage drop across resistor 8 becomes less than Uf, the 5b bistable circuit turns off and the LED 5 stops emitting light. When transistor 2 returns to its initial state (the resistance of its channel decreases), the voltage drop across resistor 8 will become larger and the process will be repeated again. The cycle time depends on the resistance of the resistor 7 and the constant time of the current decay of the photoresistor 6. Moreover, the greater the resistance of the resistor 7, the longer the process. Since the input impedance of the transistor 2 is large (tens of MΩ), the maximum resistance of the resistor 7 can be commensurate with it. This makes it possible, by changing the resistance of the resistor 7, to vary the pulse frequency from the millisecond to the minute range. In addition, by varying the resistance of the resistor 11, it is possible to change the luminescence time of the LED 5, and therefore the duration of the pulses.

Claims (1)

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР, содержащий биполярный и полевой транзисторы, два фоторезисторных оптрона и пять резисторов, причем исток полевого транзистора соединен с первой питающей шиной, к которой через первый резистор подключен чены первый вывод второго резистора и база биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с второй питающей шиной, а в цепь, соединяющую коллектор биполярного транзистора с первой питающей шиной, включен третий резистор, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона в сторону инфранизких частот, светодиоды первого и второго оптронов включены последовательно с третьим резистором в коллекторную цепь биполярного транзистора в прямом по отношению к- источнику питания направлении, фоторезистор второго оптрона включен между второй питающей щиной и затвором полевого транзистора, сток которого подключен к базе биполярного транзистора через четвертый резистор, второй вывод второго резистора соединен с второй питающей шиной, а пя*6An optoelectronic generator comprising bipolar and field-effect transistors, two photoconductor optocouplers and five resistors, the source of the field-effect transistor connected to the first supply bus, to which the first output of the second resistor and the base of the bipolar transistor, the emitter of which is connected to the second supply bus, are connected through the first resistor and a third resistor is included in the circuit connecting the collector of the bipolar transistor to the first supply bus, characterized in that, in order to expand the frequency range towards infralow For this reason, the LEDs of the first and second optocouplers are connected in series with the third resistor in the collector circuit of the bipolar transistor in the direction that is direct relative to the power supply, the photoconductor of the second optocoupler is connected between the second supply bus and the gate of the field-effect transistor, the drain of which is connected to the base of the bipolar transistor through the fourth resistor , the second terminal of the second resistor is connected to the second supply bus, and n * 6
SU843696354A 1984-02-01 1984-02-01 Optronic generator SU1193783A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843696354A SU1193783A1 (en) 1984-02-01 1984-02-01 Optronic generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843696354A SU1193783A1 (en) 1984-02-01 1984-02-01 Optronic generator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1193783A1 true SU1193783A1 (en) 1985-11-23

Family

ID=21101917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843696354A SU1193783A1 (en) 1984-02-01 1984-02-01 Optronic generator

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1193783A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР 630733, кл. Н 03 К 3/281,1978. Буд нов В.П. Релаксационные ген раторы-импульсные преобразователи неэлектрических величин. Энерги , 1974, рис. 30. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3921035A (en) Solid state switching circuit
EP0088084A4 (en) Solid-state relay and regulator.
AU538517B2 (en) Power supply apparatus
SU1193783A1 (en) Optronic generator
ATE24789T1 (en) ELECTRICAL DEVICE WITH A CIRCUIT ARRANGEMENT FOR DISPLAYING SEVERAL OPERATING STATES BY LIGHT DIODES.
ATE10562T1 (en) SINGLE-DESIGN FLOW CONVERTER TO GENERATE GALVANIC ISOLATED OUTPUT DC VOLTAGES.
FI902471A0 (en) KOPPLINGSANORDNING FOER POTENTIALFRI MOTTAGNING AV BINAERA ELEKTRISKA SIGNALER.
SU1471303A1 (en) Device with optronic decoupling
JPS6453611A (en) Driver circuit
JPS59139B2 (en) Light emitting diode drive circuit
SU894833A1 (en) Pulse generator
SU1443161A1 (en) Transistor gate
SU1171920A1 (en) Control unit of voltage converter
SU657595A1 (en) Pulse generator
SU630733A1 (en) Optoelectronic multivibrator
SU834835A1 (en) Square-wave generator
SU1758839A1 (en) Pulse generator
SU1221736A1 (en) Switch element of modulator
SU1180857A1 (en) Glow brightness controller of indicator powered by galvanic cell
SU1525895A1 (en) Shaper of square light pulses
SU860233A2 (en) Stabilized converter
RU1824665C (en) Multifunction optoelectronic element
SU1023633A1 (en) Driven multivibrator with controllable pulse duration
SU1401551A1 (en) Photosensor
JPS57129025A (en) Solid-state relay