SU1670363A1 - Полупроводниковый преобразователь перемещений - Google Patents

Полупроводниковый преобразователь перемещений Download PDF

Info

Publication number
SU1670363A1
SU1670363A1 SU894741542A SU4741542A SU1670363A1 SU 1670363 A1 SU1670363 A1 SU 1670363A1 SU 894741542 A SU894741542 A SU 894741542A SU 4741542 A SU4741542 A SU 4741542A SU 1670363 A1 SU1670363 A1 SU 1670363A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
semiconductor
gate electrode
source
displacement transducer
drain
Prior art date
Application number
SU894741542A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Борисович Лапин
Сергей Станиславович Коновалов
Original Assignee
Московский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе filed Critical Московский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе
Priority to SU894741542A priority Critical patent/SU1670363A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1670363A1 publication Critical patent/SU1670363A1/ru

Links

Landscapes

  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике. Цель - расширение диапазона измерени  полупроводникового преобразовател  перемещений, выполненного в виде полупроводниковой многосекционной транзисторной структуры, секции электродов стока 1 и истока 2 которой закреплены неподвижно и взаимно чередуютс  в направлении перемещени  электрода затвора 4, установленного с возможностью линейного или углового перемещени  относительно общей поверхности этих неподвижных электродов. При последовательном перекрытии соответствующих пар секций стока и истока электродом затвора 4 происходит "зажигание" очередного канала проводимости транзисторной структуры, сопротивление которой зависит от положени  подвижного электрода затвора. 6 ил.

Description

ё
U
Фиг 1
О 4J
О 00
Os 00
Изобретение относитс  к контрольно- измерительной технике и автоматике и может быть использовано дл  измерени  линейных и угловых перемещений.
Целью изобретени   вл етс  расширение диапазона измерени  перемещений.
На фиг. 1 изображен полупроводниковый преобразователь линейных перемещений , общий вид; на фиг.2 - сечение А-А на фиг.1; на фиг.З - вариант выполнени  дл  измерени  угловых перемещений; на фиг.4 - электрическа  схема включени  преобразовател  в измерительный мост посто нного тока; на фиг.5 - эквивалентна  схема замещени  многосекционной полупроводниковой структуры; на фиг.6 - график изменени  общего сопротивлени  полупроводникового преобразовател  в функции перемещени .
Полупроводниковый преобразователь перемещений содержит металл-диэлектрик-полу проводниковую МДП-транзистор- ную структуру, выполненную в виде закрепленных неподвижно электродов 1 и 2 стока и истока, которые образованы п-поо- чередно расположенными секци ми в теле полупроводниковой подложки. Обща  ось 3 симметрии этих секций параллельна оси симметрии электрода затвора 4, установленного с возможностью линейного х или углового а перемещени  относительно поверхности неподвижных электродов транзисторной структуры.
Секции электродов истока 2 и стока 1 соединены между собой параллельно и включены в плечо измерительного моста посто нного тока (фиг.4).
Полупроводниковый преобразователь перемещений работает следующим образом .
При подаче электрического напр жени  на металлический электрод затвора 4 МДП- транзистрной структуры происходит перераспределение носителей зар да в приповерхностной области полупроводниковой подложки и, как следствие, изменение сопротивлени  канала транзистора от бесконечности до некоторой величины, определ емой параметрами МДП-транзистор- ной структуры. Отсутствие напр жени  на электроде затвора 4 аналогично отсутствию затвора вообще. Данное обсто тельство положено в основу принципа работы преобра- зовател  перемещени  на основе МДП-структуры полевого типа.
В положении, когда электрод затвора 4 перекрывает всю область между электродами стока и истока, происходит зажигание всех каналов проводимости n-типа в многоэлектродной МДП-структуре, сопротивление которой стремитс  к некоторому минимуму (фиг.6).
При перемещении электрода затвора за
пределы электродов стока и истока без изменени  величины зазора д между ними пе- рераспределени  носителей зар да не происходит, каналы проводимости между стоком и истоком не образуютс , и сопротивление транзисторной структуры между стоком и истоком стремитс  к бесконечности .
Перемещение металлического электрода затвора 4 вдоль оси 3 симметрии многосекцион- t
ной полупроводниковой структуры вызывает поочередное зажигание провод щих каналов между очередными парами электродов исток - сток, перекрытыми затвором и с приложенным к нему напр жением Кзи
между затвором и истоком, 4to приводит к изменению общего сопротивлени  преобразовател ,
Принцип работы данного преобразовател  перемещений иллюстрирует
эквивалентна  схема замещани , представл юща  собой систему параллельно соединенных цепей, содержащих одинаковые по сопротивлению резисторы R и электрические ключи К.
Перемещение подвижного электрода
затвора преобразовател  аналогично поочередному замыканию электрических ключей данной схемы, что приводит к изменению ее общего сопротивлени  Р0бщ
по экспоненциальному закону (фиг.5)
D- R
Кобщ .
где R - сопротивление одного резистора; п - число замкнутых ключей.
В результате секционировани  электродов стока и истока обеспечиваетс  значительно более широкий диапазон измер емых перемещений как линейных, так и угловых (почти до 360°).

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Полупроводниковый преобразователь перемещений, содержащий полупроводниковую транзисторную структуру, выполненную в виде закрепленных неподвижно электродов стока и истока и установленного с возможностью перемещени  вдоль их поверхностей электрода затвора, отличающийс  тем. что, с целью расширени 
    диапазона измерени , электроды стока и истока выполнены в виде нескольких поочередно расположенных секций, имеющих общую ось симметрии, параллельную оси симметрии электрода затвора.
    Фиг.2
    4
    Фиг.З
    V / / f tЛл
    {( (tf
    Фиг. 5
    КоЬищ
    1234567 Фиг. 6
    (X)
SU894741542A 1989-07-11 1989-07-11 Полупроводниковый преобразователь перемещений SU1670363A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894741542A SU1670363A1 (ru) 1989-07-11 1989-07-11 Полупроводниковый преобразователь перемещений

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894741542A SU1670363A1 (ru) 1989-07-11 1989-07-11 Полупроводниковый преобразователь перемещений

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1670363A1 true SU1670363A1 (ru) 1991-08-15

Family

ID=21471729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894741542A SU1670363A1 (ru) 1989-07-11 1989-07-11 Полупроводниковый преобразователь перемещений

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1670363A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102168416A (zh) * 2010-12-31 2011-08-31 上海市东方海事工程技术有限公司 一种基于位移传感器的角度监测系统的工作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Окамото Угаи. Делитель напр жени на МОП-транзисторе. ТИИЭР, № 10. 1971, с.189-190. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102168416A (zh) * 2010-12-31 2011-08-31 上海市东方海事工程技术有限公司 一种基于位移传感器的角度监测系统的工作方法
CN102168416B (zh) * 2010-12-31 2012-06-20 上海市东方海事工程技术有限公司 一种基于位移传感器的角度监测系统的工作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4631565A (en) MISFET with input amplifier
KR940001298B1 (ko) 집적회로에 집적가능한 홀소자를 구비한 장치
US3628070A (en) Voltage reference and voltage level sensing circuit
KR860007535A (ko) 센 서
IT8406616A0 (it) Spositivi a semiconduttore con giunprocesso per la fabbricazione di dizioni planari a concentrazione di carica variabile e ad altissima tensione di breakdown
GB1377122A (en) Charge coupled circuits
ES2015905B3 (es) Sistema hidraulico de mando de sensor con liquidos electroviscosos
SU1670363A1 (ru) Полупроводниковый преобразователь перемещений
KR970009242B1 (ko) 스위치형 캐패시터 회로망
WO2009141350A2 (de) Ortsbezogene einstellung von betriebstemperaturverteilung oder leistungsverteilung eines halbleiter-leistungsbauelements und bauelement zur durchfuehrung des verfahrens
CA1139016A (en) Thyristor
JPH04355968A (ja) 電力用半導体装置
SE456291B (sv) Vertikal mosfet-anordning innefattande en over kollektoromradet belegen skermelektrod for minimering av miller- kapacitansen och stromfortrengningen
US3947705A (en) Method and system for achieving and sampling programmable tap weights in charge coupled devices
EP0990911A1 (de) Mikromechanischer Sensor auf Basis des Feldeffekts und dessen Verwendung
KR870007522A (ko) 전하결합장치
EP0623962A1 (en) Gate electrode of power MOS field effect transistor
JPH02174168A (ja) Mis電界型トランジスタ
US4086612A (en) Thyristor
GB2439820A (en) Linear antenna switch arm FET
SU1116321A1 (ru) Датчик уровн электропровод щей жидкости
RU2221217C2 (ru) Устройство для прецизионного измерения расстояний
GB1442841A (en) Charge coupled devices
SU1599644A1 (ru) Дифференциальный емкостный преобразователь перемещений
JPH0351311B2 (ru)