SU1669069A1 - Преобразователь переменного напр жени в посто нное - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в источниках питани  интегральных микросхем. Цель изобретени  - расширение функциональных возможностей. Преобразователь позвол ет осуществить питание трех нагрузок 9, 11 и 13 посто нным напр жением, причем на нагрузки 9 и 11 подаетс  инжекционное напр жение, возникающее на комплементарных парах транзисторов 1 и 2, 3 и 4, 5 и 7, 6 и 8, в зависимости от пол рности напр жени  на входных выводах 15 и 16. 1 ил.

Description

Г6 0W

-fcf/4

-WУ

ел

с

з

/

15 0J

/J

11

О

о ю о о

sO

,кз 1 и

1217

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в источниках питани  интегральных микросхем.

Цель изобретени  - расширение функциональных возможностей.

На чертеже приведена принципиальна  схема преобразовател .

Преобразователь переменного напр жени  в посто нное содержит транзисторы 1-8, из которых первый 1, третий 3, п тый 5 и восьмой 8 p-n-р типа, а второй 2, четвертый 4, шестой 6 и седьмой 7 п-p-n типа. Базы транзисторов 1 и 2 соединены между собой, а их коллекторы подключены к первой нагрузке 9, причем коллектор транзистора 1 подключен к нагрузке 9 через диод 10, базы транзисторов 3 и 4 соединены между собой, а их коллекторы подключены к нагрузке 11, причем коллектор транзистора 4 подключен к нагрузке 11 через диод 12. Эмиттеры транзисторов 2 и 3 подключены к нагрузке 13. Коллектор транзистора 5 через диод 14 соединен с нагрузкой 9, а его эмиттер соединен с эмиттером транзистора 4 и подключен к входному выводу 15. Базы транзисторов 5 и 7 соединены между собой. Коллектор и эмиттер транзистора 7 соединены соответственно с коллектором и эмиттером транзистора 2. Эмиттер транзистора 1 соединен с эмиттером транзистора 6 и подключен к входному выводу 16. Коллектор транзистора 6 через диод 17 соединен с нагрузкой 11. Базы транзисторов 6 и 8 соединены между собой. Коллектор и эмиттер транзистора 8 соединены соответственно с коллектором и эмиттером транзистора 3.

Преобразователь переменного напр жени  в посто нное работает следующим образом.

При по влении положительной полуволны синусоидального напр жени  на входном выводе 16 из отрицательной полуволны на выходном выводе 15 эмитгерные переходы транзисторов 1-4 смещаютс  в пр мом направлении, а эмиттерные переходы транзисторов 5-8 смещаютс  в обратном направлении. Эмиттерный ток транзистора 2, протека  по нагрузке 13, вызывает падение напр жени  на этой нагрузке, которое  вл етс  основным выходным напр жением . Транзисторы 1, 2 и 3, 4 работают в ин- жекционном режиме Носители зар да, инжектированные из эмиттеров транзисторов (дырки дл  транзисторов 1 и 3, электроны дл  транзисторов 2 и 4), проход  область базы, экстрагируютс  коллекторами. За счет избыточного зар да дырок в коллекторах транзисторов 1 и 3 возникает положительный ужжекционный потенциал, а вследствие избыточного зар да электронов

в коллекторах транзисторов 2 и 4 - отрицательный потенциал.

Между коллекторами транзисторов 1, 2 и 3, 4 возникают инжекционные напр жени , которые  вл ютс  выходными напр жени ми инжекционных источников, т.е. напр жени ми на нагрузках 9 и 11. Эти напр жени  определ ютс  суммой потенциальных барьеров коллекторных переходов

0 транзисторов 1, 2 и 2. 4 в равновесном состо нии .

Выходное напр жение на нагрузке 13 может иметь значительно большую величину и определ етс  как разность между амп5 литудой входного синусоидального напр жени  и падением напр жени  на эмиттерных переходах транзисторов 1-4.

При по влении отрицательной полуволны синусоидального напр жени  на вход0 ном выводе 16 и положительной полуволны на входном выводе 15 эмиттерные переходы транзисторов 5-8 смещаютс  в пр мом направлении, а эмиттерные переходы транзисторов 1-4 - в обратном направлении.

5Транзисторы 5, 7 и 8, 6 образуют пары,

работающие в инжекционном режиме. Между коллекторами транзисторов 5, 7 и 8, 6 образуютс  инжекционные напр жени , т.е. напр жени  на нагрузках 9 и 11.

0 Ток эмиттера транзистора 7 создает падение напр жени  на нагрузка 13.

Таким образом, во всех трех нагрузках 9, 11, 13 за один период входного синусоидального напр жени  по вл ютс  две поло5 жительные полуволны выпр мленного напр жени , т.е. происходит процесс двух- полупериодного выпр млени .

Диоды 10, 12, 14, 17 необходимы дл  предотвращени  работы транзисторов 1-6 в

0 инверсном режиме.

Claims (1)

1. Формула изобретени  Преобразователь переменного напр жени  в посто нное, содержащий шесть транзисторов, причем базы первого и второ5 го транзисторов соединены между собой, а коллектор второго транзистора соединен с первым выходным выводом дл  подключени  первой нагрузки, базы третьего и четвертого транзисторов соединены между

   0 собой, а коллектор третьего транзистора соединен с первым выходным выводом дл  подключени  второй нагрузки, эмиттеры второго и третьего транзисторов соединены соответственно с первым и вторым выход5 ными выводами дл  подключени  третьей нагрузки, коллектор п того транзистора через первый диод соединен с вторым выходным выводом дл  подключени  первой нагрузки, а его эмиттер соединен с эмиттером четвертого транзистора и подключен к

   второму входному выводу, эмиттер шестого транзистора соединен с эмиттером первого транзистора и подключен к первому входному выводу, а его коллектор через второй диод соединен с вторым выходным выводом дл  подключени  второй нагрузки, отличающийс  тем, что, с целью расширени  функциональных возможностей, в него дополнительно введены седьмой и восьмой транзисторы, третий и четвертый диоды, при этом базы седьмого и п того транзисторов соединены между собой, коллектор и эмиттер седьмого транзистора соединены соответственно с коллектором и эмиттером

   0

   второго транзистора, базы восьмого и шестого транзисторов соединены между собой, коллектор и эмиттер восьмого транзисторе соединены соответственно с коллектором и эмиттером третьего транзистора, коллектор первого транзистора соединен с вторым выходным выводом дл  подключени  первой нагрузки через третий диод, а коллектор четвертого транзистора соединен с вторым выходным выводом дл  подключени  второй нагрузки через четвертый диод, причем первый , третий, п тый и восьмой транзисторы  вл ютс  транзисторами p-n-p-типа, а остальные - транзисторами п-р-п-типа.