SU1750011A1 - Преобразователь посто нного напр жени - Google Patents

Преобразователь посто нного напр жени Download PDF

Info

Publication number
SU1750011A1
SU1750011A1 SU904836081A SU4836081A SU1750011A1 SU 1750011 A1 SU1750011 A1 SU 1750011A1 SU 904836081 A SU904836081 A SU 904836081A SU 4836081 A SU4836081 A SU 4836081A SU 1750011 A1 SU1750011 A1 SU 1750011A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
transistor
input
base
control
Prior art date
Application number
SU904836081A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Павлович Оленин
Original Assignee
Научно-производственное объединение "Полюс"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-производственное объединение "Полюс" filed Critical Научно-производственное объединение "Полюс"
Priority to SU904836081A priority Critical patent/SU1750011A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1750011A1 publication Critical patent/SU1750011A1/ru

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

Использование: в m-фазных устройствах дл  частотного пуска и импульсного пе-. ревозбуждени  синхронных гистерезисных двигателей. Сущность изобретени : устройство выполнено по полумостовой схеме на составных транзисторах типа p-n-р и п-р-п, состо щих из управл ющих 1 и силовых 2 транзисторов, эмиттер-базовые переходы которых зашунтированы шунтирующими транзисторами 10, управление которыми осуществл етс  входным трансформатором В результате передачи энергии конденсаторов 13 и 26 через входные транзисторы 19 и 31 с регулируемой конденсатором 32 задержкой и обеспечением форсированного рассасывани  базовых носителей составных транзисторов 1, 2 и 4, 5 с помощью шунтирующих транзисторов 10, 12 и 24, 22 не возникают сквозные токи, что позвол ет повысить КПД и надежность. 2 ил

Description

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в мощных m-фазных мостовых инверторах для частотного пуска и импульсного перевозбуждения синхронных гистерезисных двигателей, а также в радиоэлектронной аппаратуре различного назначения.
Известны импульсные усилители, выполненные по мостовой трехфазной схеме (инвертор) и по'полумостовой однофазной схеме, предназначенные для преобразования напряжения постоянного тока в напряжение переменного тока.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является однофазный импульсный усилитель, выполненный по полумостовой схеме, содержащий диодно-резистивное устройство распределения входного сигнала, конденсатор задержки переключения входных транзисторов, два силовых транзистора, соединенных с управляющими транзисторами по схеме Дарлингтона, базы которых соединены через резисторы с коллекторами двух входных транзисторов, а базы входных транзисторов подключены^ устройству распределения входного сигнала и конденсатору задержки. .
В исходном состоянии входной сигнал положительной полярности открывает силовой' и управляющий транзисторы верхнего плеча. При изменении полярности входного сигнала закрываются транзисторы верхнего плеча и только после перезаряда конденсатора задержки начинают открываться й насыщаться транзисторы нижнего плеча полумостового усилителя.
К основным недостаткам данной схемы относятся низкие надёжность и КПД, отсутствие возможности полного устранения протекания сквозных токов через управляющие и силовые транзисторы, особенно при применении в этой схеме мощных высоковольтных транзисторов. Наличие сквозных токов обусловлено отсутствием у управляющих и силовых транзисторов активного запирания и, как следствие, низкие надежность и КПД усилителя, выполненного по данной схеме.
Цель изобретения - повышение надежности и КПД путем протекания сквозных токов через управляющие и силовые транзисторы за счет их активного запирания в обоих плечах полумостового импульсного усилителя.
Указанная цель достигается тем, что в известном полумостовом усилителе (преобразователе), имеющем два источника питания, устройство распределения входного сигнала, входные, управляющие и силовые транзисторы, при этом управляющий транзистор верхнего плеча и входной транзистор нижнего плеча установлены р-п-р типа, а остальные транзисторы п-р-п типа, управляющий и силовой транзисторы каждого плеча ячейки соединены по схеме Дарлингтона, в качестве устройства, обеспечивающего активное запирание, использован четырехобмоточный входной трансформатор и по два соответствующей проводимости транзистора, которые шунтируют переходы змиттер-база управляющего и силового транзисторов каждого плеча в момент времени их закрывания.и нахождения в закрытом состоянии. Управляющие сигналы на шунтирующие транзисторы и устройство распределения входного сигнала поступают с выходных обмоток входного трансформатора. Входной сигнал поступает на первичную обмотку этого трансформатора.
Кроме того, с целью повышения КПД и надежности за счет активного запирания в обоих плечах ячейки, управляющий и силовой транзисторы соединены по схеме составного транзистора, силовой транзистор верхнего плеча заменен на транзистор типа 1 р-п-р, запуск управляющих транзисторов каждого плеча в предлагаемом преобразователе невозможен без введения конденсаторов, напряжения которых в соответствующей полярности прикладываются к эмиттерам входных транзисторов. Плюсовая обкладка конденсатора верхнего плеча и минусовая обкладка конденсатора . нижнего плеча соответственно соединены с плюсовой и минусовой, шинами источника питания. Общая точка, образованная вторыми обкладками этих конденсаторов, соединена с общей’-точкой, образованной эмиттерами входных транзисторов.
На фиг.,1 изображена принципиальная схема преобразователя постоянного напряжения на транзисторах разной проводимости; на фиг.2 - эпюры напряжения и тока на элементах преобразователя.
Каждая фаза m-фазного преобразователя содержит управляющий 1 и силовой 2 транзисторы типа р-п-р в верхнем плече, зашунтированном обратным диодом 3, управляющий 4 и силовой 5 транзисторы типа п-р-п в нижнем плече, зашунтированном обратным диодом 6. Управляющие и силовые транзисторы в обоих плечах соединены по схеме составного транзистора. Коллекторы управляющих и силовых транзисторов обоих плеч, анод обратного диода верхнего пле-. ча и катод обратного диода нижнего плеча . соединены в одну точку 7, которая одновременно является выходной фазой т-фазного
6· преобразователя. Базовые резисторы.8 и 9 управляющего 1 и силового 2 транзисторов образуют общую точку, соединенную с общей точкой, образованной эмиттером управляющего 1 и базой силового 2 5· транзисторов, коллектором шунтирующего транзистора 10, эмиттер которого соединен с базовым резистором 11, эмиттером второго шунтирующего транзистора 12, плюсовой обкладкой конденсатора 13, базовым 10 резистором 14, концом обмотки W3 входного трансформатора и плюсовой шиной 15 питания верхнего плеча фазы преобразователя. Второй вывод резистора 11 соединен с базой транзистора 10 и через ограничива- 15 ющий базовый ток транзистора 10 резистор 16 с началом обмотки W3 входного трансформатора.! Коллектор транзистора 12 соединен с базой транзистора 1. Второй вывод резистора 14 соединен с базой транзистора 20 12 и через ограничивающий базовый ток транзистора 12 резистор. 17 с началом обмотки W3 трансформатора. База транзистора 1 через ограничивающий базовый ток резистора 18 соединена с коллектором вход- 25 ного транзистора Ϊ9. Базовые резисторы20 и 21 управляющего 4 и силового 5 транзисторов образуют общую точку, соединенную с общей точкой, образованной эмиттером управляющего 4 и базой силового 5 транзи- 30 сторов, коллектором шунтирующего транзистора 22, эмиттер которого соединен с базовым резистором 23, эмиттером второго шунтирующего транзистора 24. базовым резистором 25, минусовой обкладкой конден- 35 сатора 26, концом обмотки W4 входного трансформатора и минусовой шиной пита- ния нижнего плеча фазы преобразователя. Второй вывод резистора 23 соединен с базой транзистора 22 и через ограничиваю- 40 щий базовый ток транзистора 22 резистор 28 - с началом обмотки 1Л/д входного трансформатора. Коллектор транзистора 24 объединен с базой транзистора 4. Второй вывод резистора 25 соединен с.базой транзистора 45 24 и через ограничивающий базовый ток транзистора 24 резистор 29 с началом обмотки АЛ/д входного трансформатора, База транзистора 4 через ограничивающий базовый ток транзистора 4 резистор 30 соединена с коллектором второго входного 50 транзистора 31. Эмиттеры входных транзисторов 19 и 31, одна обкладка конденсатора 32 задержки, конец обмотки W2 входного трансформатора, минусовая обкладка конденсатора 13 и плюсовая обкладка конден- 55 сатора 2.6 соединены в общую точку. Вторая обкладка конденсатора задержки соединена с общей.точкой, образованной базовыми резисторами 33 и 34, второй вывод резисто ра 33 подключен к базе транзистора 19, а 'второй вывод резистора 34 к базе транзистора 31, начало обмотки W2 входного трансформатора подключено к общей точке, образованной резисторами 35 и 36. Второй вывод резистора 35 соединен с катодом диода 37. а анод этого диода подключен к базе входного транзистора 19. Второй вывод резистора 36 соединен с анодом диода 38, а катод этого диода подключен к базе второго входного транзистора 31.
Входной трансформатор, резисторы 33...β6 с диодами 37 и 38 образуют диоднорезистивное устройство распределения входного сигнала, который подается на первичную обмотку Wi (точки 39 и 40).
Полученная силовая ячейка-фаза может быть включена в m-фазный преобразователь напряжения постоянного тока с выходами 7., 7 '..7« .
Преобразователь работает следующим образом.
При появлении на входе 40 сигнала положительной полярности на соответствующих выводах выходных обмоток W2, W3, W4 входного трансформатора образуется напряжение того же знака, при этом по цепи резистора 36, диод 38, резисторы 34 и 33 открывается входной транзистор 19, по цепи начало обмотки \ЛМ входного трансформатора, резистор 28 открывается шунтирующий транзистор 22, а через резистор 29 - второй шунтирующий -Транзистор 24 нижнего плеча ячейки. Второй входной транзистор 31, шунтирующие транзисторы 10 и 12 верхнего плеча ячейки остаются закрытыми. Под действием напряжения обмотки W2 входного трансформатора заряжается конденсатор 32 задержки с установлением напряжения положительной полярности в общей точке, образованной резисторами 33 и 34, а напряжением конденсатора 13 за счет подачи отрицательного потенциала на базу управляющего транзистора 1 через входной транзистор 19, резистор 18 открыты управляющий транзистор 1 и силовой транзистор 2.
При смене полярности входного сигнала, когда на входе 40 устанавливается сигнал отрицательной полярности, на соответствующих выводах обмоток W2, W3, W4 входного трансформатора изменяется полярность напряжения; что приводит к открыванию шунтирующих транзисторов 10 и 12 по цепи начало обмоток 1Л/з, резисторы 16 и 17 соответственно, обеспечивая надежное рассасывание неосновных носителей управляющего 1 и силового 2 транзисторов верхнего плеча,ячейки в течение времени, перезаряда конденсатора задержки 32 под действием напряжения обмотки W2 противоположной полярности, передаваемого на базу входного транзистора 31 по цепи резистор 35, диод 37, резисторы 33 и 34 и запиранию ранее открытых шунтирующих транзисторов 24 и 22. После смены полярности напряжения на конденсаторе 32 задержки за счет времени его перезаряда образуется пауза между открывающими напряжениями, затем открывается транзисторный токовый ключ 31 и напряжение конденсатора 26 положительной полярности открывает управляющий транзистор 4 и через открывающийся пёреход эмиттер-база силового транзистора 5 замыкается цеп6 с минусовой обкладкой конденсатора 26, обеспечивая, тем самым, протекание базового тока управляющего транзистора 4 и открывание силового транзистора 5 с соответствующей задержкой. В это время после смены полярности на обмотках W3 и \Л/д входного трансформатора закрываются дополнительные транзисторы 24 и 22 й открываются дополнительные транзисторы 12 и 10, шунтируя переходы эмиттер-база ранее открытых управляющего 1 и силового 2 транзисторов.соответственно, обеспечивая быстрое рассасывание неосновных носителей в закрывающихся 1 и 2 транзисторах. В дальнейшем процесс переключения транзисторов повторяется.
Эпюры напряжения и тока, поясняющие работу элементов фазы преобразователя, приведены на фиг.2, где показаны заштрихованные области, которые соответствуют времени перезаряда конденсатора 32 и времени, в течение которого’происходит рассасывание неосновных, базовых носителей управляющих 1, 4 и силовых 2, 5 транзисторов.
Испытания макета преобразователя подтвердили, что по сравнению с известным, в котором через управляющие и силовые транзисторы в процессе эксплуатации при изменении параметров ЭРИ возможно появление сквозных токов, в предлагаемом устройстве в результате передачи энергии конденсаторов 13 и 26 через входные транзисторы 19 и 31 с регулируемой конденсатором 32 задержкой,и обеспечением форсированного рассасывания базовых носителей транзисторов 1,2 и 4, 5 с помощью транзисторов 10, 12 и 24, 22 соответственно не возникают сквозные токи, что позволяет повысить КПД и надежность работы управляющих и силовых транзисторов преобразователя.

Claims (1)

  1. Формула изобретения Преобразователь постоянного напряжения, каждая из m фаз которого состоит из двух последовательно соединенных плеч, включенных между входными выводами,’ каждое из которых содержит силовой и управляющий транзисторы, база-эмиттерные переходы которых зашунтированы первыми резисторами, базы управляющих транзисторов подсоединены к коллекторам входных транзисторов противоположного типа проводимости, эмиттеры которых соединены между собой и образуют первые управляющий и выходной выводы, при этом второй управляющий вывод подсоединен к точке соединения резисторов диодно-резистивного узла, свободные выводы которых через диоды, включенные встречно по отношению направления протекания базовых токов входных транзисторов, подключены к базам входных транзисторов, база-эмиттерные переходы которых через базовые резисторы подключены к конденсатору задержки, о т ли чающийся тем, что, с целью повышения КПД и надежности путем исключения сквозных токов, введен емкостный делитель напряжения, подсоединенный к входным выводам, средняя точка которого подсоединена к первому выходному выводу, при этом база-эмиттерные переходы силовых и управляющих транзисторов, включенных по схеме составного транзистора, зашунтированы соответствующими введенными шунтирующими транзисторами, управляющие входы которых подсоединены через введенные базовые резисторы к соответствующим управляющим обмоткам введённого трансформатора, вторичная обмотка которого подсоединена к управляющим выводам, а первичная обмотка трансформатора подключена к выходу блока управления, при этом все транзисторы, кроме входных, в каждом плече выбраны одного типа проводимости, а проводимости силовых транзисторов в плечах каждой фазы противоположны.
    U&x одмотки W1-W4 8л од.'кого трансформатора.
    Uft
    Щ'-Э Транзисторов 10,12
    Фс-Э Транзисторов 22,24 ^н-3
    Транзистора 31 rr
    Транзистора. 19
    К
    Я—- V &
    uf t.
    Уе-Э Транзистора 2
    Цу-э транзистора S
    Транзистора 2
    I
    Транзисто- ] ра 5 ' uft : ригЛ
SU904836081A 1990-04-20 1990-04-20 Преобразователь посто нного напр жени SU1750011A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904836081A SU1750011A1 (ru) 1990-04-20 1990-04-20 Преобразователь посто нного напр жени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904836081A SU1750011A1 (ru) 1990-04-20 1990-04-20 Преобразователь посто нного напр жени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1750011A1 true SU1750011A1 (ru) 1992-07-23

Family

ID=21519199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904836081A SU1750011A1 (ru) 1990-04-20 1990-04-20 Преобразователь посто нного напр жени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1750011A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1332491, кл. Н 02 М 7/538, 1987. Авторское свидетельство СССР М; 484628. кл. Н 03 К 5/02, 1976. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4270163A (en) Bridge converter circuit
US11588397B2 (en) Three-level power conversion system and control method
Bhagwat et al. Generalized structure of a multilevel PWM inverter
US3986097A (en) Bilateral direct current converters
US9344004B2 (en) Power conversion system
US4128793A (en) Power circuit for variable frequency, variable magnitude power conditioning system
US10873254B2 (en) Electrical circuit for zero-voltage soft-switching in DC-DC converter under all load conditions
US5892675A (en) AC current source circuit for converting DC voltage into AC current
Toba et al. Auxiliary resonant commutated pole inverter using two internal voltage-points of DC source
Pal et al. A three-phase three-level isolated DC–AC converter with line frequency unfolding
SU1750011A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
KR100205269B1 (ko) 턴 오프 회로
Pal et al. A novel modulation strategy for active rectification of a snubber less soft-switched single stage 30 high frequency link DC-AC converter
CA1175900A (en) Inverter with individual commutation circuit
KR830003965A (ko) 제어 재생식 직류전원
Belkhode et al. A split-phase enhanced hybrid active npc topology for pv applications with short-circuit fault tolerant capability
SU1309218A1 (ru) Регулируемый преобразователь посто нного напр жени в переменное
SU1596425A1 (ru) Транзисторный инвертор
SU1714774A1 (ru) Преобразователь частоты
Negi Operating Electric Drives with Mos-Bipolar Power Devices
SU1169102A1 (ru) Устройство дл формировани импульсов управлени тиристорами @ -фазного мостового преобразовател
Rai et al. Partial Turn-On Control Technique for Voltage Balancing During Body Diode Turn-Off Among Series Connected SiC MOSFETs
SU1624639A1 (ru) Ключевой преобразователь
SU756579A1 (ru) Преобразователь постоянного напряжения в переменное1 2
SU1279033A1 (ru) Синхронное устройство дл управлени тиристорами