SU1659887A1 - Device for tolerance monitoring voltage - Google Patents
Device for tolerance monitoring voltage Download PDFInfo
- Publication number
- SU1659887A1 SU1659887A1 SU894660877A SU4660877A SU1659887A1 SU 1659887 A1 SU1659887 A1 SU 1659887A1 SU 894660877 A SU894660877 A SU 894660877A SU 4660877 A SU4660877 A SU 4660877A SU 1659887 A1 SU1659887 A1 SU 1659887A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- voltage
- output
- source
- input
- reference voltage
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано дл контрол напр жени в заданном диапазоне. Цель изобретени - расширение функциоВход нальных возможностей за счет того, что вследствие независимости значений нижнего и верхнего порогов срабатывани от изменени опорного напр жени устройство можно использовать дл контрол амплитуды сигнала «МОП-схем при различных напр жени х питани без дополнительной установки пороговых уровней - достигаетс введением второго источника 6 опорного напр жени и операционного усилител 7. Устройство также содержит комплементарный МДП-транзисторный инвертор 1, резистор 2, первый источник 3 опорного напр жени , индикатор 4, пороговый элемент (компаратор) 5. 2 ил. ш Ё Os ел о 00 00 VIThe invention relates to a pulse technique and can be used to control a voltage in a given range. The purpose of the invention is to expand the functional input due to the fact that, due to the independence of the lower and upper response thresholds from the change in the reference voltage, the device can be used to control the amplitude of the signal "MOS circuits at different supply voltages without setting additional threshold levels" the second source 6 of the reference voltage and the operational amplifier 7. The device also contains a complementary MOS transistor inverter 1, a resistor 2, the first source 3 reference voltage, indicator 4, threshold element (comparator) 5. 2 Il. w y os ate about 00 00 VI
Description
Изобретение относитс к импульсной технике и электроизмерени м и может использоватьс дл контрол напр жени в заданном диапазоне, в частности дл контрол амплитуды логических уровней КМОП- схем.The invention relates to a pulse technique and electrical measurements and can be used to monitor voltage in a given range, in particular to control the amplitude of logic levels of CMOS circuits.
Цель изобретени - расширение функциональных возможностей устройства за счет того, что вследствие независимости значений нижнего и верхнего порогов срабатывани от изменени опорного напр жени устройство можно использовать дл контрол амплитуды сигнала КМОП-схем при различных напр жени х питани без дополнительной установки пороговых уровней .The purpose of the invention is to expand the functionality of the device due to the fact that, due to the independence of the values of the lower and upper response thresholds from changes in the reference voltage, the device can be used to control the amplitude of the CMOS signal at different power voltages without setting threshold levels.
На фиг. 1 приведена функциональна схема устройства; на фиг. 2 - временные диаграммы его работы.FIG. 1 shows a functional diagram of the device; in fig. 2 - time diagrams of his work.
Устройство содержит комплементарный МДП-транзисторный инвертор 1, резистор 2, первый источник 3 опорного напр жени , индикатор 4, пороговый элемент (компаратор) 5, второй источник 6 опорного напр жени и операционный усилитель 7. Вход комплементарного МДП- транзисторного инвертора 1 вл етс входом устройства и соединен с затворами первого и второго МДП-транзисторов 8 и 9, стоки которых объединены, сток первого МДП-транзистора 8 и подложка подключены к инверсному входу операционного усилител 7 и через резистор 2 - к выходу операционного усилител 7 и к первому входу порогового элемента 5, сток второго МДП-транзистора 9 и подложка подключены к общей шине, пр мой вход операционного усилител 7 подключен к источнику 6 опорного напр жени , а второй вход порогового элемента 5 подключен к источнику 3 опорного напр жени , выход порогового элемента 5 подключен к индикатору 4 и к выходной шине.The device contains a complementary MOSFET inverter 1, a resistor 2, a first voltage source 3, an indicator 4, a threshold element (comparator) 5, a second voltage source 6 and an operational amplifier 7. The input of a complementary MOS transistor inverter 1 is input device and connected to the gates of the first and second MOS transistors 8 and 9, the drains of which are combined, the drain of the first MOS transistor 8 and the substrate are connected to the inverse input of the operational amplifier 7 and through a resistor 2 to the output of the operational wisi The telephone 7 and the first input of the threshold element 5, the drain of the second MOS transistor 9 and the substrate are connected to the common bus, the direct input of the operational amplifier 7 is connected to the source 6 of the reference voltage, and the second input of the threshold element 5 is connected to the source 3 of the reference voltage , the output of the threshold element 5 is connected to the indicator 4 and to the output bus.
Устройство работает следующим образом .The device works as follows.
МДП-транзисторы инвертора 1 работают в режиме управл емых резисторов. На выходе операционного усилител 7 устанавливаетс напр жение UA, равноеThe inverter 1 MOSFET transistors operate in the mode of controlled resistors. At the output of the operational amplifier 7, a voltage UA is set to
UA-UR+UI,UA-UR + UI,
где UR - падение напр жени на резисторе 2;where UR is the voltage drop across resistor 2;
Ui - напр жение опорного источника 6.Ui is the voltage of the reference source 6.
Источником 3 опорного напр жени задаетс напр жение IJ2. которое находитс в границахThe voltage source 3 sets the voltage IJ2. which is within the boundaries
идмакс, idmax
где идмакс напр жение на выходе операционного усилител 7 при максимальном токе, протекающем через резистор 2.where idmax is the voltage at the output of the opamp 7 at the maximum current flowing through the resistor 2.
При нулевом значении входного сигнала (фиг. 2) второй МДП-транзистор 9 инвертора 1 закрыт, а первый МДП-транзистор 8 открыт. Через резистор 2 ток не протекаетWhen the input signal is zero (Fig. 2), the second MOS transistor 9 of the inverter 1 is closed and the first MOS transistor 8 is open. No current flows through resistor 2
и . На выходе операционного усилител 7 при этом напр жение . Пороговый элемент 5 производит сравнение напр жений U2 и UA, так как UA U2, то на выходе порогового элемента 5 - высокийand The output of the operational amplifier 7 at the same voltage. The threshold element 5 compares the voltages U2 and UA, since UA U2, then the output of the threshold element 5 is high
0 логический уровень и индикатор 4 выключен , что свидетельствует о том, что уровень входного сигнала ниже нижнего порогового уровн Уну (фиг.2).0 logic level and indicator 4 is turned off, which indicates that the input signal level is below the lower Unu threshold level (figure 2).
При увеличении напр жени входногоWhen increasing the input voltage
5 сигнала второй МДП-транзистор 9 инвертора 1 открываетс и через резистор 2 протекает ток, на выходе операционного усилител 7 напр жение UA увеличиваетс и, если оно достигнет или превысит напр 0 жение U2 (фиг. 2), пороговый элемент 5 изменит свое состо ние и на его выходе по витс низкий логический уровень, выключающий индикатор 4 и свидетельствующий , что уровень входного сигнала равен5 of the signal of the second MOSFET 9 of the inverter 1 opens and current flows through the resistor 2, the output voltage of the operational amplifier 7 UA increases and if it reaches or exceeds the voltage U2 (Fig. 2), the threshold element 5 changes its state and at its output, a low logic level is turned on, switching off the indicator 4 and indicating that the input signal level is equal to
5 или выше нижнего порогового уровн 1)ну, но ниже верхнего порогового уровн UBy (фиг. 2). При дальнейшем увеличении входного сигнала из-за изменени соотношени сопротивлени каналов транзисторов 8 и 95 or above the lower threshold level 1) well, but below the upper threshold level UBy (Fig. 2). With a further increase in the input signal due to the change in the ratio of the resistance of the channels of transistors 8 and 9
0 ток, протекающий через резистор 2, достигает максимума, а затем уменьшаетс . Напр жение .UA тоже достигает максимума идмакс, а затем уменьшаетс . И, если при этом оно будет ниже, чем 1)2, то на выходе0, the current flowing through the resistor 2 reaches a maximum and then decreases. The voltage .UA also reaches a maximum of idmax and then decreases. And, if at the same time it will be lower than 1) 2, then the output
5 порогового элемента 5 установитс тоже высокий логический уровень, индикатор 4 включаетс , что свидетельствует о том, что уровень входного сигнала превысил верхний пороговый уровень.The 5th threshold element 5 is set to a high logic level too, the indicator 4 is turned on, which indicates that the input signal level has exceeded the upper threshold level.
0 При изменении напр жени U2 источника 3 опорного напр жени симметрично относительной общей шины и относительно напр жени Ui, заданного источником б опорного напр жени , соответственно из5 мен етс нижний Уну и верхний 1)ву пороговые уровни. Изменение опорного напр жени источника 6, например увеличение с Ui до Ui (фиг. 2), измен ет на аналогичную величину верхний пороговый0 When the voltage U2 of the source 3 of the reference voltage is changed symmetrically to the relative common bus and relative to the voltage Ui given by the source of the reference voltage, the lower Unu and the upper 1) threshold levels change accordingly from 5. A change in the reference voltage of source 6, for example, an increase from Ui to Ui (Fig. 2), changes the upper threshold value by the same amount.
0 уровень, который равен uSy-U ey-KUi-Ui)0 level, which is equal to uSy-U ey-KUi-Ui)
Симметричность порогов срабатывани не только позвол ет с большей точностью контролировать в допустимых пределах за5 данное напр жение, но и контролировать амплитуду низкого и высокого уровней логических сигналов, например КМОП-схем, высокий уровень которых относительно шины питани по значению соизмерим с низким уровнем.The symmetry of the response thresholds not only allows monitoring the voltage within acceptable limits, but also controls the amplitude of low and high levels of logic signals, such as CMOS circuits, whose high level relative to the power bus is comparable to a low level.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894660877A SU1659887A1 (en) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | Device for tolerance monitoring voltage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894660877A SU1659887A1 (en) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | Device for tolerance monitoring voltage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1659887A1 true SU1659887A1 (en) | 1991-06-30 |
Family
ID=21433466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894660877A SU1659887A1 (en) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | Device for tolerance monitoring voltage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1659887A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2522913C1 (en) * | 2013-06-04 | 2014-07-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Device for galvanic signal separation |
-
1989
- 1989-03-09 SU SU894660877A patent/SU1659887A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 924594, кл. G 01 R 19/165. 1978, Авторское свидетельство СССР ГФ 1357858, кл. G 01 R 19/165. 1985. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2522913C1 (en) * | 2013-06-04 | 2014-07-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Device for galvanic signal separation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6445244B1 (en) | Current measuring methods | |
US4885477A (en) | Differential amplifier and current sensing circuit including such an amplifier | |
CA1268519A (en) | Power supply adapter systems | |
EP0321226A1 (en) | Intermediate potential generation circuit for generating a potential intermediate between a power source potential and ground potential | |
US4752703A (en) | Current source polarity switching circuit | |
US4023122A (en) | Signal generating circuit | |
US4205279A (en) | CMOS Low current RC oscillator | |
US5362994A (en) | Comparator with controlled hysteresis | |
EP0254012B1 (en) | Active load network | |
US11114880B2 (en) | Current regulating circuit and power supply management circuit including the same | |
SU1659887A1 (en) | Device for tolerance monitoring voltage | |
JP4147965B2 (en) | Single-phase load overcurrent detection circuit with PWM voltage control by MOS transistor | |
US4110704A (en) | Astable multivibrator with temperature compensation and requiring a single supply voltage | |
KR970704270A (en) | Analog-to-digital conversion method of electrical signals and apparatus therefor | |
US4217505A (en) | Monostable multivibrator | |
JPH0159773B2 (en) | ||
SU1360454A1 (en) | Analog storage | |
JPH03172782A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH0697796A (en) | Power-on reset circuit | |
SU1406768A1 (en) | Gate element | |
SU1571749A1 (en) | Amplifying device | |
SU520706A1 (en) | Analog key | |
SU1383476A1 (en) | Distributor | |
JPH04326074A (en) | Method for measuring threshold voltage | |
JPH0722950A (en) | Ad conversion circuit |