SU1648897A1 - Интегральный тензочувствительный элемент - Google Patents

Интегральный тензочувствительный элемент Download PDF

Info

Publication number
SU1648897A1
SU1648897A1 SU884452268A SU4452268A SU1648897A1 SU 1648897 A1 SU1648897 A1 SU 1648897A1 SU 884452268 A SU884452268 A SU 884452268A SU 4452268 A SU4452268 A SU 4452268A SU 1648897 A1 SU1648897 A1 SU 1648897A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
inverters
mos transistors
resistors
gates
graph
Prior art date
Application number
SU884452268A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Павлович Драгунов
Авенир Иванович Ильенков
Original Assignee
Новосибирский электротехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Новосибирский электротехнический институт filed Critical Новосибирский электротехнический институт
Priority to SU884452268A priority Critical patent/SU1648897A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1648897A1 publication Critical patent/SU1648897A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано в системах измерени  давлени , вибраций и деформаций. Целью изобретени   вл етс  повышение точности за счет уменьшени  начального разбаланса и температурной зависимости выходного сигнала. Дл  этого чувствительный элемент содержит два резистора 7 и 8, включенные между затворами всех МДП-транзисторов 3-6 и выходами инверторов 1 и 2, которыми  вл ютс  общие точки МДП-транзисторов 3-6. а величины сопротивлений выбираютс  также определенным образом.3 ил

Description

Ё
ON N 00 00 Ю VI
Фиг. 2
Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано в системах измерени  давлени , вибраций и деформаций,
Цель изобретени  - повышение точности за счет уменьшени  начального разбаланса и температурной зависимости выходного сигнала.
На фиг,1 представлена упрощенна  передаточна  характеристика инвертора; на фиг.2 - принципиальна  электрическа  схема интегрального тензочувствительного элемента; на фиг.З - графики, по сн ющие его работу.
Интегральный тензочувствительный элемент (фиг.2) содержит инверторы 1 и 2 на дополн ющих МДП-транзисторах 3-6, образующих мостовую схему. Общие точки МДП-транзисторов 3 и 4, 5 и 6  вл ютс  выходами инверторов 1 и 2 и одновременно выводами измерительной диагонали моста, а МДП-транзисторов 3 и 5,4 и 6 -  вл ютс  диагонали питани  моста. Затворы всех МДП-транзисторов соединены между собой, а также с выходами инвертора 1 через резистор Тис выходом инвертора 2 через резистор 8.
Точность измерений мостовыми схемами определ етс  р дом параметров, в том числе величиной сигнала начального разбаланса . Дл  определени  этого сигнала рассмотрим упрощенную передаточную характеристику инвертора, приведенную на фиг.1, где прин ты обозначени : U - напр жение на выходе инвертора, UBX - напр жение на выходе инвертора, Е - напр жение источника питани , U1 - пороговое напр жение на входе, W - ширина переходной области характеристики.
Очевидно, что коэффициент усилени  инвертора в переходной области характеристики
и
U K(U1 - UBX)
При 100% обратной отрицательной св зи первого инвертора U1 UBX.
Тогда Ue
Ki
-Ui Ui
1 4-Ki Это же напр жение  вл етс  входным дл  второго инвертора. Тогда U2 K20J2Ki
-и})
1 +Ki
и начальный разбаланс на выходе известного прототипа чувствительного элемента, обусловленный неидентичностью значений параметров инверторов, равен
ДЦ,Р Ui-U2 y j KiUi-K2U2, (1) причем Ki «2.
Анализ приведенных выражений показывает , что в известном тензочувствитель- ном элементе снижена точность измерений за счет сигнала начального разбаланса Д Unp.
величина которого обусловлена напр жением на затворах всех МДП-транзисторов, определ емым параметрами МДП-транзисторов только одной ветви мостовой схемы.
Интегральный тензочувствительный
0 элемент работает следующим образом.
Напр жение на затворах всех МДП- транзисторов, как следует из фиг.2, определ етс  напр жени ми Ui и U2 на выходах инверторов 1 и 2 соответственно и делите5 лем разности этих напр жений, образуемым резисторами 7 и 8. В результате напр жение на измерительной диагонали моста определ етс  параметрами МДП- транзисторов 3-6 и отношением сопротив0 лений резисторов 7 и 8. Это напр жение при отсутствии деформации  вл етс  начальным разбалансом на выходе тензочувствительного элемента. Использу  прин тые обозначени , можно получить выражение
5 дл  сигнала начального разбаланса тензочувствительного элемента.
ди, Л+Л i г 1 + KI
0 где а Ri/R2 и/Unp описываетс  формулой
(1).
Следовательно, поскольку Ki «2
± -.Р
5
1 1 1 + а
1 i и о
1 +Ki
Таким образом, интегральный тензочувствительный элемент имеет меньший по сравнению с известным сигнал начального разбаланса.
0 При синфазном изменении выходных напр жений Ui и U. например уменьшении с ростом температуры, соответственно уменьшаетс  напр жение на затворах всех МДП-транзисторов. что вызывав г соответ5 ствующее увеличение напр жений Ui и U2. Из формулы (2) следует, что интегральный тензочувствительный элемент имеет меньшую по сравнению с известным температурную зависимость выходного сигнала.
Под воздействием, например, деформации раст жени  сопротивлени  каналов МДП-транзисторов 3 и 6 уменьшаютс , а МДП-транзисторов 4 и 5 - увеличиваютс , Это приводит к увеличению напр жени  Ui
5 и уменьшению напр жени  U2, т.е. к дифференциальному изменению их. При таком характере изменений выходных напр жений инверторов 1 и 2 напр жение на затворах всех МДП-транзисторов почти не измен ет0

Claims (1)

  1. с  и полезный сигнал на выходе мостовой схемы пропорциональный деформации, практически не ослабл етс  обратной св зью, создаваемой резисторами 7 и 8. На фиг.З приведены безмасштабные графики, причем график 1 соответствует исходному состо нию элемента, график 2 - изменению напр жений при увеличении температур, но без учета обратной св зи, график 3 - то же. но с учетом обратной св зи, график 4 - при воздействии деформации раст жени . Формула изобретени  Интегральный тензочувствительный элемент, содержащий два инвертора на дополн ющих МДП-транзисторах, собранных по мостовой схеме,в которой выходы инверторов подключены к измерительной диагонали моста, а затворы всех
    0
    5
    МДП-транзисторов соединены между собой , отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности за счет уменьшени  начального разбаланса и температурной зависимости выходного сигнала, в него введены два резистора, включенные между затворами всех МДП-транзисторов и выходами инверторов, а величины сопротивлений резисторов выбраны из соотношени  1 + Ki Ri 1 +К2
    TTR -lfc-ТТКГ где KI и К2 - коэффициенты усилени  первого и второго инверторов без обратной св зи, Кк К2;
    Ri,R2 - сопротивлени  резисторов, соедин ющих затворы всех МДП-транзисторов с выходами первого и второго инверторов.
    Z/5X
SU884452268A 1988-06-30 1988-06-30 Интегральный тензочувствительный элемент SU1648897A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884452268A SU1648897A1 (ru) 1988-06-30 1988-06-30 Интегральный тензочувствительный элемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884452268A SU1648897A1 (ru) 1988-06-30 1988-06-30 Интегральный тензочувствительный элемент

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1648897A1 true SU1648897A1 (ru) 1991-05-15

Family

ID=21386261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884452268A SU1648897A1 (ru) 1988-06-30 1988-06-30 Интегральный тензочувствительный элемент

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1648897A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1453162, кл. G 01 В 7/16, 1987. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4910455A (en) Non-intrusive current measuring circuit
US4143549A (en) Temperature measuring system
KR100384355B1 (ko) 부성온도계수센서를사용하여온도를측정하는방법및관련장치
SU1648897A1 (ru) Интегральный тензочувствительный элемент
US4528499A (en) Modified bridge circuit for measurement purposes
US3535635A (en) Method and apparatus for measuring noise in an active element
RU2082129C1 (ru) Преобразователь давления в электрический сигнал
RU2025675C1 (ru) Устройство для измерения температуры и разности температур
KR930002777Y1 (ko) 미세전류 측정회로
SU1095081A1 (ru) Измеритель логарифма отношени двух токов
JPH05333069A (ja) 電気抵抗測定方法
SU1245867A1 (ru) Тензопреобразователь
SU758022A1 (ru) Устройство для температурной компенсации датчиков холла 1
SU1247680A1 (ru) Врем импульсный преобразователь измерител температуры
SU1714335A1 (ru) Тензопреобразователь
SU870975A1 (ru) Многоточечное устройство дл измерени температуры
SU1273986A1 (ru) Устройство дл измерени модул полного электрического сопротивлени магнитных головок
SU1193472A1 (ru) Измеритель температуры
SU561142A1 (ru) Мостовое измерительное устройство
JP2546681B2 (ja) 温度補償回路
Williams et al. Unbalanced‐bridge Computational Techniques and Accuracy for Automated Multichannel Strain‐measuring Systems
KR830001352B1 (ko) 영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치
SU372673A1 (ru) Преобразователь сопротивления в код
SU1157346A1 (ru) Тензорезисторный датчик
RU2117304C1 (ru) Инвариантный измерительный мост