SU1647886A1

SU1647886A1 - Устройство с л мбда-характеристикой

Info

Publication number: SU1647886A1
Application number: SU894699482A
Authority: SU
Inventors: Иван Дементьевич Рэйлян; Михаил Иванович Гервас
Original assignee: Предприятие П/Я В-2690
Priority date: 1989-05-31
Filing date: 1989-05-31
Publication date: 1991-05-07

Abstract

Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в схемах генераторов, пороговых устройств, систем защиты преобразователей. Цель изобретени - расширение области применени . Устройство содержит МДП-транзи сторы 1-3, 5 и 6, первую 4 и вторую 7 шины управлени . Введение МДП-транзисторов 3, 5, 6 и новых конструктивных св зей приводит к увеличению числа пиков тока, что позвол ет более эффективно управл ть вольт-амперной характеристикой устройства . 2 ил.

Description

Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в схемах генераторов, пороговых устройств, систем защиты, преобразователей.

Цель изобретени - расширение области применени .

На фиг. 1 приведена электрическа схе ма устройства с л мбда-характеристикой; на фиг. 2а и б -вольт-амперные характеристики (ВАХ) устройства, по сн ющие его работу .

Устройство с л мбда-характеристикой состоит из первого полевого МДП-транзи- стора 1 (со встроенным каналом n-типа, сток которого подключен к шине питани и затвору второго транзистора 2, стоку третьего транзистора 3, затвор - к первой шине 4 управлени , исток - к истоку второго транзистора 2 и затвору третьего транзистора 3, сток второго полевого МДП-транзистора 2 со встроенным каналом р-типа подключен к общей шине, исток третьего полевого МДП- транзистора 3 большей площади с индуцированным каналом n-типа соединен со стоком четвертого транзистора 5 и затвором п того гора 6, загвор четвертого полевого МДП-транзистора 5 со встроенным каналом n-типа соединен с второй шиной 7 управлени , исток - с истоком п того транзистора 6 р-типа сток которого подключен к общей шине.

Устройство работает следующим образом .

Поскольку каналы транзисторов 1 и 2 при напр жении на затворе, равном нулю, провод т ток, то при увеличении напр жени питани , приложенного к выводу +Un устройства, выше нул ток, протекающий через устройство, возрастает (участок 1 на фиг. 2). Падение напр жени на одном из транзисторов 1 и 2 вл етс напр жением смещени другого транзистора пары в направлении уменьшени протекающего через него тока. Поэтому ток через пару транзисторов 1 и 2 достигает максимального значени (точка А на фиг. 2а) при Un UOTC любого транзистора пары 1 и 2 и начинает уменьшатьс (участок 1 сотрицательным сопротивлением на фиг. 2) до тех пор, пока оба транзистора 1 и 2 не перейдут в состо ние отсечки (точка В на фиг. 2а). Таким образом, эту пару транзисторов можно рассматри (Л

С

о

N VI

00 00 О

вать как структуру.охваченную положительной обратной св зью, т.е. л мбда-диод.

Существует следующа зависимость между напр жени ми затвора и стока транзисторов 1 и 2 : U3 -xUe, где у - коэффициент обратной св зи каскада, Если транзисторы 1 и 2 полностью симметричны , то у- 1,т.е. Ua -Ue.

Дл рассмотреной пары затвор транзистора 1 отключен от стока транзистора 2 и соединен с шиной 4 управлени , что дает возможность управл ть формой ВАХ и контролировать параметры первого пика тока ВАХ устройства изменением величины управл ющего напр жени Uynp.i, т.е. дл транзистора 1 коэффициент у мен етс одновременно с изменением Uynp.i (см. фиг. 26). По сути дела мы имеет л мбда-диод с управлением .

Транзистор 3 начинает работать только тогда, когда напр жение в точке соединени истоков транзисторов 1 и 2 достигает порогового значени Упор.з- Рассмотрим случай, когда напр жени отсечки равны по модулю: I UOTC.I| I UoTc.al tUoTc.nl - I UOTCS I I UoTd,2A51 Когда пороговое на 1 UOTCI 1 + 1 UoTc2 I

пр жение Unop .начинает открыватьс транзистор 3. А так как последний работает в режиме истокового повторител (с коэффициентом передачи по напр жению, равным 1, поскольку площадь его больше площади любого транзисторов 1, 2, 4, 5), то напр жение, приложенное к его затвору, передаетс на исток и приводит к передаче напр жени питани на очередную пару транзисторов 4 и 5, образующих вторую структуру, охваченную положительной обратной св зью, т.е. второй л мбда-диод. Также как и первый , он имеет такую же л мбда-характеристику с пиком тока при напр жении на затворе транзистора 3 и соответственно в точке соединени истока транзистора 3 с выводом второго л мбда-диода, равном 3

i UOTCI,2,4,5 I

0

5

0

5

0

5

0

5

Интервал между пиками тока на ВАХ устройства можно регулировать, управл пороговым напр жением

транзистора 3 (см. фиг. 2а, кривые при

I Unop3 I lUoTci.2,4,5 I и Unop.3 I I UOTCI,2,4,5

Количество пиков ВАХ можно увеличивать и дальше, подключа в точке соединени истоков транзисторов предыдущего л мбда-диода с управлением затвор следующего транзистора большей площади, сток которого соедин ют с шиной питани , исток с одним выводом следующей пары транзисторов , образующих л мбда-диод с управлением . Другой вывод л мбда-диода с управлением соедин ют с общей шиной.

Claims

Формула изобретени Устройство с л мбда-характеристикой, содержащее первый и второй полевые МДЛ-транзисторы со встроенным каналом, сток первого транзистора со встроенным каналом n-типа соединен с шиной питани , затвором второго транзистора со встроенным каналом р-типа, затвор соединен с первой шиной управлени , исток - с истоком второго транзистора со встроенным каналом р-типа, сток которого подключен к общей шине, отличающеес тем, что, с целью расширени области применени устройства , в него дополнительно введены третий полевой МДП-транзистор большей площади с индуцированным каналом п-ти- па, четвертый МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа и п тый полевой МДП-транзистор со встроенным каналом р- типа, причем сток третьего транзистора соединен с шиной питани и стоком первого транзистора, затвор - с точкой соединени истоков первого и второго транзисторов, исток - со стоком четвертого и затвором п того транзисторов, затвор четвертого транзистора соединен с второй шиной управлени , исток - с истоком п того транзистора , сток которого подключен к общей шине.

зг

м

o-i

I

О Uomc отс

отс иотс

Inl

макс

U

б

V

УПРЯ

и

т

Фиг.1

mcj

- M,,fl

V/ap3 1иотС)

/

«.

W,ff

„

Г 9 7

/ V/iWW

uynPl 0 Uynp/0

/ило/ 51 №0тш 51