SU1638745A1 - Растровый электронный микроскоп - Google Patents

Растровый электронный микроскоп Download PDF

Info

Publication number
SU1638745A1
SU1638745A1 SU884486287A SU4486287A SU1638745A1 SU 1638745 A1 SU1638745 A1 SU 1638745A1 SU 884486287 A SU884486287 A SU 884486287A SU 4486287 A SU4486287 A SU 4486287A SU 1638745 A1 SU1638745 A1 SU 1638745A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
input
microwave
electron beam
circulator
Prior art date
Application number
SU884486287A
Other languages
English (en)
Inventor
Алексей Алексеевич Патрин
Александр Михайлович Янченко
Альберт Евдокимович Лукьянов
Original Assignee
Белорусский государственный университет им.В.И.Ленина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Белорусский государственный университет им.В.И.Ленина filed Critical Белорусский государственный университет им.В.И.Ленина
Priority to SU884486287A priority Critical patent/SU1638745A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1638745A1 publication Critical patent/SU1638745A1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к растровой электронной микроскопии полупроводниковых объектов и может быть использовано дл  визуализации и измерени  распределени  времени жизни неравновесных носителей зар да по поверхности этих объектов. Целью изобретени   вл етс  расширение функциональных возможностей растрового электронного микроскопа при обеспечении неразрушающего характера измерений. Микроскоп снабжен измерительным СВЧ- преобразователем в виде отрезка волновода , ориентированным перпендикул рно электронно-оптической оси и выполненным по крайней мере с одним отверстием по ходу электронного пучка. Объект располагаетс  над или под соответствующим отверстием . Система обработки и регистрации сигнала снабжена СВЧ-генерэтором, цирку- л тором, СВЧ-детектором и фазовым анализатором . Вывод преобразовател  соединен с первым входом циркул тора, второй вход которого соединен с выходом СВЧ-генера- тора, а выход - с входом СВ Ч-детектора. Первый вход фазового анализатора соединен с выходом блока управлени  электронным пучком, второй вход - с выходом СВЧ-детектора, а выход - с входом блока усилени  и визуализации. 2 ил.

Description

Изобретение относитс  к растровой электронной микроскопии полупроводниковых объектов (например, кремниевых пластин , структур) и может быть использовано дл  визуализации и измерени  распределени  времени жизни неравновесных носителей зар да по поверхности этих объектов.
Цель изобретени  - расширение функциональных возможностей растрового элек- тронного микроскопа (РЭМ) при обеспечении нерээрушающего характера измерений.
На фиг.1 показана блок-схема РЭМ; на фиг.2 - схема расположени  объекта и СВЧ- преобразовател .
РЭМ включает электронно-оптическую колонну 1 с системой 2 формировани  и сканировани  электронным пучком, выводы которой соединены с блоком 3 управлени  электронным пучком по координатам и времени . По ходу электронного пучка размещены исследуемый объект 4 и измерительный СВЧ-преобразователь 5 (ИП). Система обработки и регистрации сигнала включает цир- кул тор 6, вторгй вход которого соединен с
сь со
00
XI ь. ел
выходом СВЧ-генератора 7, первый вход - с выводом ИП 5, а выход- с СВЧ-детектором (Д) 8. Выходы блока 3 и Д 8 соединены с соответствующими входами фазового анализатора 9, выход которого соединен с входом блока 10 усилени  и визуализации сигнала.
ИП 5 выполнен (фиг.2) в виде отрезка волновода, ориентированного перпендикул рно электронно-оптической оси 11 и имеющего высокочастотный вывод 12 через стенку РЭМ. Объект 4 может устанавливатьс  над или под отверсти ми 13, выполненными по ходу электронного пучка в стенках волновода.
Устройство работает следующим образом .
Электронный пучок взаимодействует с, объектом 4 и генерирует в его приповерхностном объеме неравновесные носители зар да , что приводит к модул ции добротности системы объект - ИП с задержкой во времени адекватно времени жизни неравновесных носителей. Это отражаетс  в виде изменени  амплитуды СВЧ-сигнала на Д 8, который проходит по тракту: СВЧ-генератор 7 - циркул тор 6 - ИП 5 - циркул тор 6 - Д 8. Сигналы с выходов Д 8 и блока 3 управлени  электронным пучком поступают на входы фазового анализатора 9, который определ ет сдвиг фаз в между этими сигналами либо сдвиг фронтов импульсов, либо другие временные соотношени . Врем  т жизни не- равновесных носителей может быть определено из соотношени  tg Э еот,где . частота синусоидальной модул ции.
П р и м е р. В РЭМ типа ISM-U3 помещалс  измерительный преобразователь диапазона 3 см в виде отрезка пр моугольного волновода с одним отверстием щелевидной формы (длина 5 мм, ширина 1 мм), вырезанным в месте пучности сто чей СВЧ-волны. Дл  генерации СВЧ использовалс  диод Ганна АА703, дл  детектировани  - диод Д403, циркул тор-стандартный дл  диапазона 3 см. Электронный пучок модулировали во времени на частоте 1 кГц (генератором
TR-0401), в качестве анализатора использовали фазометр Ф2-4 или двухлучевой осциллограф С1-74. Измер лись времена жизни на кремниевых пластинах р-типа с удельным сопротивлением 10 Ом- см и выше. Можно измер ть времена жизни и в материалах с меньшим удельным сопротивлением в зависимости от конкретной конструкции ИП и чувствительности детектора. ИП может
быть выполнен с одним либо с двум  отверсти ми различной формы, а объект может размещатьс  внутри или вне ИП.

Claims (1)

  1. В результате измерений получены данные о распределении времен жизни по площади растра 1x1 мм с размещением лучше 0,1 мм в диапазоне времени жизни 18-25 мкс дл  кремни  10 Ом-см. Формула изобретени  Растровый электронный микроскоп дл 
    анализа полупроводниковых объектов, содержащий электронно-оптическую колонну, блок управлени  электронным пучком по координатам и времени и систему обработки и регистрации сигнала, включающую блок
    усилени  и визуализации, отличающий- с   тем, что, с целью расширени  функциональных возможностей за счет визуализации распределени  времени жизни носителей зар да и осуществлени  количественного анализа при обеспечении неразрушающего характера измерений, он снабжен измерительным СВЧ-преобразо- вателем в виде отрезка волновода по крайней мере с одним отверстием по ходу
    электронного пучка, а система обработки и регистрации сигнала снабжена СВЧ-гене- ратором, циркул тором, СВЧ-детектором и фазовым анализатором, при этом вывод измерительного СВЧ-преобразовател  соединен с первым входом циркул тора, второй вход которого соединен с выходом СВЧ-генератора , а выход - с входом СВЧ-детекто- ра, первый вход фазового анализатора соединен с выходом блока управлени  электронным пучком, второй вход - с выходом СВЧ-детектора. а выход - с входом блока усилени  и визуализации.
    Фаг.1
    13
SU884486287A 1988-09-26 1988-09-26 Растровый электронный микроскоп SU1638745A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884486287A SU1638745A1 (ru) 1988-09-26 1988-09-26 Растровый электронный микроскоп

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884486287A SU1638745A1 (ru) 1988-09-26 1988-09-26 Растровый электронный микроскоп

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1638745A1 true SU1638745A1 (ru) 1991-03-30

Family

ID=21400841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884486287A SU1638745A1 (ru) 1988-09-26 1988-09-26 Растровый электронный микроскоп

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1638745A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Практическа растрова электронна микроскопи /Под ред. Дж.Гоулдстейна и Х.Яковица. М: Мир, 1978. Уразгильдин Й.Ф., Лукь нов А.Е. и Спи- вак Г.В. Исследование времени жизни неосновных носителей, возбужденных электронной бомбардировкой барьеров Шоттки. - Извести АН СССР. сер.физическа , № 12, 1982, т.46, с.2404. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4210023A (en) Method and apparatus for measuring slag foaming using microwave lever meter
US5942688A (en) Apparatus and method for detecting a measurable quantity of an object
US3531716A (en) Method of testing an electronic device by use of an electron beam
US3144601A (en) Method of discovering and locating the position of localized electrically non-conducting defects in non-conducting materials
US5081414A (en) Method for measuring lifetime of semiconductor material and apparatus therefor
MacDonald et al. Time‐resolved scanning electron microscopy and its application to bulk‐effect oscillators
US2485583A (en) Radio distance measuring system
KR870002450A (ko) 위상감지형 초음파 비파괴 검사방법 및 그 장치
SU1638745A1 (ru) Растровый электронный микроскоп
US3572099A (en) Ultrasonic non-destructive testing apparatus and method
JPS5932145A (ja) 電位検出装置
US4678988A (en) Method and apparatus for spectral analysis of a signal at a measuring point
US6157199A (en) Method of monitoring ion-implantation process using photothermal response from ion-implanted sample, and monitoring apparatus of ion-implantation process
KR930703602A (ko) 반도체 물질내 소수 캐리어의 농도 측정 방법 및 그 장치
JPS61114117A (ja) 微小穴の深さ計測装置
JP2000124282A (ja) 試料電流分光式表面測定法及び測定装置
Schmitt et al. E-beam testing of high-speed electronic devices
US3873839A (en) High speed linac-beam analyzer
KR940000735B1 (ko) 전자비임 길이 측정장치
Polman Sensitive 4 mm Lecher Wire Interferometer for Electron Concentration Measurements in Low‐Density Plasmas
JPH01169862A (ja) 荷電粒子線装置
JPS63231251A (ja) 電子スピン共鳴装置
McNab et al. Measurement technique for eddy-current arrays
SU1223028A2 (ru) Интерферометр дл диагностики плазмы
SU1176231A1 (ru) Трехпараметровый способ вихретокового контрол металлических немагнитных объектов