SU1638745A1 - Растровый электронный микроскоп - Google Patents
Растровый электронный микроскоп Download PDFInfo
- Publication number
- SU1638745A1 SU1638745A1 SU884486287A SU4486287A SU1638745A1 SU 1638745 A1 SU1638745 A1 SU 1638745A1 SU 884486287 A SU884486287 A SU 884486287A SU 4486287 A SU4486287 A SU 4486287A SU 1638745 A1 SU1638745 A1 SU 1638745A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- output
- input
- microwave
- electron beam
- circulator
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к растровой электронной микроскопии полупроводниковых объектов и может быть использовано дл визуализации и измерени распределени времени жизни неравновесных носителей зар да по поверхности этих объектов. Целью изобретени вл етс расширение функциональных возможностей растрового электронного микроскопа при обеспечении неразрушающего характера измерений. Микроскоп снабжен измерительным СВЧ- преобразователем в виде отрезка волновода , ориентированным перпендикул рно электронно-оптической оси и выполненным по крайней мере с одним отверстием по ходу электронного пучка. Объект располагаетс над или под соответствующим отверстием . Система обработки и регистрации сигнала снабжена СВЧ-генерэтором, цирку- л тором, СВЧ-детектором и фазовым анализатором . Вывод преобразовател соединен с первым входом циркул тора, второй вход которого соединен с выходом СВЧ-генера- тора, а выход - с входом СВ Ч-детектора. Первый вход фазового анализатора соединен с выходом блока управлени электронным пучком, второй вход - с выходом СВЧ-детектора, а выход - с входом блока усилени и визуализации. 2 ил.
Description
Изобретение относитс к растровой электронной микроскопии полупроводниковых объектов (например, кремниевых пластин , структур) и может быть использовано дл визуализации и измерени распределени времени жизни неравновесных носителей зар да по поверхности этих объектов.
Цель изобретени - расширение функциональных возможностей растрового элек- тронного микроскопа (РЭМ) при обеспечении нерээрушающего характера измерений.
На фиг.1 показана блок-схема РЭМ; на фиг.2 - схема расположени объекта и СВЧ- преобразовател .
РЭМ включает электронно-оптическую колонну 1 с системой 2 формировани и сканировани электронным пучком, выводы которой соединены с блоком 3 управлени электронным пучком по координатам и времени . По ходу электронного пучка размещены исследуемый объект 4 и измерительный СВЧ-преобразователь 5 (ИП). Система обработки и регистрации сигнала включает цир- кул тор 6, вторгй вход которого соединен с
сь со
00
XI ь. ел
выходом СВЧ-генератора 7, первый вход - с выводом ИП 5, а выход- с СВЧ-детектором (Д) 8. Выходы блока 3 и Д 8 соединены с соответствующими входами фазового анализатора 9, выход которого соединен с входом блока 10 усилени и визуализации сигнала.
ИП 5 выполнен (фиг.2) в виде отрезка волновода, ориентированного перпендикул рно электронно-оптической оси 11 и имеющего высокочастотный вывод 12 через стенку РЭМ. Объект 4 может устанавливатьс над или под отверсти ми 13, выполненными по ходу электронного пучка в стенках волновода.
Устройство работает следующим образом .
Электронный пучок взаимодействует с, объектом 4 и генерирует в его приповерхностном объеме неравновесные носители зар да , что приводит к модул ции добротности системы объект - ИП с задержкой во времени адекватно времени жизни неравновесных носителей. Это отражаетс в виде изменени амплитуды СВЧ-сигнала на Д 8, который проходит по тракту: СВЧ-генератор 7 - циркул тор 6 - ИП 5 - циркул тор 6 - Д 8. Сигналы с выходов Д 8 и блока 3 управлени электронным пучком поступают на входы фазового анализатора 9, который определ ет сдвиг фаз в между этими сигналами либо сдвиг фронтов импульсов, либо другие временные соотношени . Врем т жизни не- равновесных носителей может быть определено из соотношени tg Э еот,где . частота синусоидальной модул ции.
П р и м е р. В РЭМ типа ISM-U3 помещалс измерительный преобразователь диапазона 3 см в виде отрезка пр моугольного волновода с одним отверстием щелевидной формы (длина 5 мм, ширина 1 мм), вырезанным в месте пучности сто чей СВЧ-волны. Дл генерации СВЧ использовалс диод Ганна АА703, дл детектировани - диод Д403, циркул тор-стандартный дл диапазона 3 см. Электронный пучок модулировали во времени на частоте 1 кГц (генератором
TR-0401), в качестве анализатора использовали фазометр Ф2-4 или двухлучевой осциллограф С1-74. Измер лись времена жизни на кремниевых пластинах р-типа с удельным сопротивлением 10 Ом- см и выше. Можно измер ть времена жизни и в материалах с меньшим удельным сопротивлением в зависимости от конкретной конструкции ИП и чувствительности детектора. ИП может
быть выполнен с одним либо с двум отверсти ми различной формы, а объект может размещатьс внутри или вне ИП.
Claims (1)
- В результате измерений получены данные о распределении времен жизни по площади растра 1x1 мм с размещением лучше 0,1 мм в диапазоне времени жизни 18-25 мкс дл кремни 10 Ом-см. Формула изобретени Растровый электронный микроскоп дланализа полупроводниковых объектов, содержащий электронно-оптическую колонну, блок управлени электронным пучком по координатам и времени и систему обработки и регистрации сигнала, включающую блокусилени и визуализации, отличающий- с тем, что, с целью расширени функциональных возможностей за счет визуализации распределени времени жизни носителей зар да и осуществлени количественного анализа при обеспечении неразрушающего характера измерений, он снабжен измерительным СВЧ-преобразо- вателем в виде отрезка волновода по крайней мере с одним отверстием по ходуэлектронного пучка, а система обработки и регистрации сигнала снабжена СВЧ-гене- ратором, циркул тором, СВЧ-детектором и фазовым анализатором, при этом вывод измерительного СВЧ-преобразовател соединен с первым входом циркул тора, второй вход которого соединен с выходом СВЧ-генератора , а выход - с входом СВЧ-детекто- ра, первый вход фазового анализатора соединен с выходом блока управлени электронным пучком, второй вход - с выходом СВЧ-детектора. а выход - с входом блока усилени и визуализации.Фаг.113
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884486287A SU1638745A1 (ru) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | Растровый электронный микроскоп |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884486287A SU1638745A1 (ru) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | Растровый электронный микроскоп |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1638745A1 true SU1638745A1 (ru) | 1991-03-30 |
Family
ID=21400841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884486287A SU1638745A1 (ru) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | Растровый электронный микроскоп |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1638745A1 (ru) |
-
1988
- 1988-09-26 SU SU884486287A patent/SU1638745A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Практическа растрова электронна микроскопи /Под ред. Дж.Гоулдстейна и Х.Яковица. М: Мир, 1978. Уразгильдин Й.Ф., Лукь нов А.Е. и Спи- вак Г.В. Исследование времени жизни неосновных носителей, возбужденных электронной бомбардировкой барьеров Шоттки. - Извести АН СССР. сер.физическа , № 12, 1982, т.46, с.2404. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4210023A (en) | Method and apparatus for measuring slag foaming using microwave lever meter | |
US5942688A (en) | Apparatus and method for detecting a measurable quantity of an object | |
US3531716A (en) | Method of testing an electronic device by use of an electron beam | |
US3144601A (en) | Method of discovering and locating the position of localized electrically non-conducting defects in non-conducting materials | |
US5081414A (en) | Method for measuring lifetime of semiconductor material and apparatus therefor | |
MacDonald et al. | Time‐resolved scanning electron microscopy and its application to bulk‐effect oscillators | |
US2485583A (en) | Radio distance measuring system | |
KR870002450A (ko) | 위상감지형 초음파 비파괴 검사방법 및 그 장치 | |
SU1638745A1 (ru) | Растровый электронный микроскоп | |
US3572099A (en) | Ultrasonic non-destructive testing apparatus and method | |
JPS5932145A (ja) | 電位検出装置 | |
US4678988A (en) | Method and apparatus for spectral analysis of a signal at a measuring point | |
US6157199A (en) | Method of monitoring ion-implantation process using photothermal response from ion-implanted sample, and monitoring apparatus of ion-implantation process | |
KR930703602A (ko) | 반도체 물질내 소수 캐리어의 농도 측정 방법 및 그 장치 | |
JPS61114117A (ja) | 微小穴の深さ計測装置 | |
JP2000124282A (ja) | 試料電流分光式表面測定法及び測定装置 | |
Schmitt et al. | E-beam testing of high-speed electronic devices | |
US3873839A (en) | High speed linac-beam analyzer | |
KR940000735B1 (ko) | 전자비임 길이 측정장치 | |
Polman | Sensitive 4 mm Lecher Wire Interferometer for Electron Concentration Measurements in Low‐Density Plasmas | |
JPH01169862A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JPS63231251A (ja) | 電子スピン共鳴装置 | |
McNab et al. | Measurement technique for eddy-current arrays | |
SU1223028A2 (ru) | Интерферометр дл диагностики плазмы | |
SU1176231A1 (ru) | Трехпараметровый способ вихретокового контрол металлических немагнитных объектов |