SU1638681A2 - Устройство дл измерени параметров МДП-структур - Google Patents

Устройство дл измерени параметров МДП-структур Download PDF

Info

Publication number
SU1638681A2
SU1638681A2 SU884435492A SU4435492A SU1638681A2 SU 1638681 A2 SU1638681 A2 SU 1638681A2 SU 884435492 A SU884435492 A SU 884435492A SU 4435492 A SU4435492 A SU 4435492A SU 1638681 A2 SU1638681 A2 SU 1638681A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
input
comparator
output
voltage
structures
Prior art date
Application number
SU884435492A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Григорьевич Титов
Виктор Гарревич Стадченко
Владимир Николаевич Харенжев
Original Assignee
Харьковское Высшее Военное Командно-Инженерное Училище Ракетных Войск Им.Маршала Советского Союза Крылова Н.И.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Харьковское Высшее Военное Командно-Инженерное Училище Ракетных Войск Им.Маршала Советского Союза Крылова Н.И. filed Critical Харьковское Высшее Военное Командно-Инженерное Училище Ракетных Войск Им.Маршала Советского Союза Крылова Н.И.
Priority to SU884435492A priority Critical patent/SU1638681A2/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1638681A2 publication Critical patent/SU1638681A2/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

f
(61) 1068848
(21)4435492/25
(22)02.06.88
(46) 30.03.91. Бюл. № 12
(72) Б.Г.Титов, В.Г.Стадченко
и В.Н.Харенжев
(53)621.382 (088.8)
(56)Авторское свидетельство СССР № 1068848, кл. G 01 R 31/86, 1984.
(54)УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ МДП-СТРУКТУР
(57)Изобретение относитс  к области измерительной техники, а именно к устройствам дл  контрол  параметров полупроводниковых приборов, и может быть использовано при оценке качест- ва технологического процесса в производстве МДП-структур. Цель изобре- тени  - расширение функциональных возможностей за счет отбора радиа- ционногтойких МДП-структур. В устройство , содержащее генератор 1 вы
Изобретение относитс  к измерительной технике, а именно к устройствам дл  контрол  параметров полупроводниковых приборов, и может быть использовано при оценке качества технологического процесса в производстве МДП-структур.
Цель изобретени  - расширение функциональных возможностей за счет отбора радиационноетонких МДП-структур .
На фиг.1 представлена функциональна  схема устройства дл  отбора
сокой частоты, клеммы 2 и 3 дл  подключени  исследуемой МДП-струк- туры, генератор 4 развертывающего напр жени , разделительный конденсатор 5, измерительный резистор 6, усилитель 7, детектор 8, блок 9 регистрации , блоки 10 и 11 пам ти, блок 12 формировани  опорного напр жени , комп ратор 13 и дифференциатор 14, введены двухспальный ключ 15, сдвоенный компаратор 16, двух- канальный блок 17 задани  эталонных значений и индикатор 18, что обеспечивает отбор радиационноетонких МДП-структур путем измерени  их электрофизических параметров в виде напр жений на выходе детектора 8 и дифференциатора 14 и сравнени  с эталонными напр жени ми, записанньг ми в двухканальном блоке 17 задани  эталонных значений, и позвол ет отказатьс  от проведени  радиационных испытаний. 2 ил.
радиационноетойких МДП-структур; на фиг.2 - временные диаграммы, по сн ющие работу устройства.
Устройство дл  отбора радиационное тойких МДП-структур содержит (фиг.1) генератор 1 высокой частоты, клеммы 2 и 3 дл  подключени  исследуемой МДП-структуры, генератор 4 развертывающего напр жени , разделительный конденсатор 5, измерительный резистор 6, усилитель 7, детектор 8, блок 9 регистрации, блоки 10 и 11 пам ти, блок 12 формировани  опорноSS
о со оо
05
оо
го
J16
го напр жени , компаратор 13, дифференциатор 14, двухканальный ключ 15, сдвоенный компаратор 16, двухканаль- ный блок 17, задани  эталонных значений , индикатор 18 и общую шину (на фиг.1 не обозначена).
Выход генератора 1 высокой частоты соединен с клеммой 2 дл  подключени  исследуемой МДП структуры, друга  клемма 3 дл  подключени  которой соединена с одним входом блока 11 пам ти, с общей шиной через последовательно соединенные разделительный конденсатор 5 и измерительный резистор 6, а также с входом генератора 4 развертывающего напр жени , выход которого соединен с одним входом блока 10 пам ти. i -iT Ka соединени  разделительного кон- денсатора 5 и измерительного резистора 6 подключена к входу усилител  7, выход которого подсоединен через детектор 8 к входу дифференциатора 14 и к другому входу блока 10 пам ти, подключенного одним входом к выходу генератора 4 развертывающего напр жени  и выходом - через блок 12 формировани  опорного напр жени  к одному входу компаратора 13, подсоединенного другим входом к выходу дифференциатора 14 и выходом - к другому входу блока 11 пам ти, выход которого соединен с входом блока 9 регистрации . Дифференциатор 4 подключен выходом к одному входу двухканального ключа 15 и к одному входу первого компаратора сдвоенного компаратора 16 и входом - к другому входу двухканального ключа 15 и к одному входу второго компаратора сдвоенного компаратора 16. Первый и второй выходы двухканального ключа 15 подсоединены к соответствующим управл ющим входам двухканального блока 17 задани  эталонных значений, первый и второй выходы которого соединены с другими входами соответственно первого и второго компараторов сдвоенного компаратора 16, подключенного выходной шиной к входу индикатора 18.
На фиг,2 прин ты следующие обозначени : сигнал 19 на выходе генератора 1 высокой частоты; сигнал 20 на выходе генератора 4 развертывающего
напр жени ; сигнал 21 на выходе блока 12 формировани  опорного напр жени ; сигнал 22 на выходе детектора 8; сигнал 23 на выходе компаратора 13.
Устройство дл  отбора радиацион- нестойких МДП-структур работает следующим образом.
Исследуемую МДП-структуру подключают к клеммам 2 и 3 (фиг.1). В ис ходном состо нии на выходе генератора 4 развертывающего напр жени  имеетс  напр жение U- (фиг.2, сигнал 20), при котором МДП-структура находитс  в режиме обогащени . Высокочастотный сигнал U,s снимаемый с вы5
Q 5 Q
5
0
хода генератора-1 высокой частоты (сигнал 19) и пропорциональный емкости МДП-структуры, проходит через разделительный конденсатор 5, выдел етс  на измерительном резисторе 6, усиливаетс  усилителем 7 и детектируетс  детектором 8. После запуска генератора 4 развертывающего напр жени  блок 10 пам ти запоминает напр жение U б,х (сигнал 20) на выходе детектора 8, которое соответствует напр жению на выходе емкости окисла МДП-структуры, а на выходе блока 12 формировани  опорного напр жени  по вл етс  напр жение U (сигнал 21), равное производной вольтфарадной характеристики при напр жении включени . Напр жение (сигнал 22), пропорциональное емкости МДП-структуры, с выхода детектора 8 поступает на дифференциатор 14, дифференцируетс  в нем и подаетс  на вход компаратора 13. Так как при напр жени х, близких к напр жению включени , производна  вольтфарадной характеристики измен етс  в большей степени, чем величина емкости, то регистрацию напр жени  включени  при заданном уровне произ-- водной можно определить с большей точностью. Дл  повышени  точности измерений задаваемый уровень производной корректируетс  в зависимости от величины емкости структуры в режиме обогащени  путем изменени  опорного напр жени  на одном из входов компаратора 13. При равенстве напр жени  с выхода блока 12 формировани  опорного напр жени  и сигнала с выхода дифференциатора 14 на выходе компаратора 13 по вл етс  сигнал 23, поступающий на второй вход блока 11 пам ти, который запоминает напр жение , которое было в этот момент на МДП-структуре. Напр жение включени  МДП-структуры, зафиксированное блоком 11 пам ти, измер етс  блоком 9 регистрации.
э . 1 Кроме того, сигналы с выходов детектора 8 и дифференциатора 14 поступают соответственно на одни входы первого и второго компараторов сдвоенного компаратора 16, на другие входы которого подаютс  эталонные сигналы с первого и второго выходов двухканального блока 17 задани  эталонных значений, при этом двухканальный ключ 1 5 разомкнут. Результат сравнени  выходной шины сдвоенного компаратора
16поступает на вход индикатора 18, в котором осуществл етс  индикаци  результата.
Запись эталонных значений в блок
17задани  эталонных значений произвдитс  следующим образом.
К клеммам 2 и 3 подсоедин етс  эталонна  радиационностойка  МДП-ИС и производитс  измерение напр жений Uвк и Uon (фиг.2). При этом двухканальный ключ 15 переводитс  в замкнутое состо ние, и сигналы с выходов детектора 8 и дифференциатора 14 поступают на первый и второй информационные входы блока 17 задани  эталонных значений, где и запоминаютс .
Использование изобретени  позво- л ет повысить достоверность отбора
, 0
0
5
0
5
1

Claims (1)

  1. радиационностойких МДП-структур и сократить затраты на отбор примерно на 34%. Формула изобретени 
    Устройство дл  измерени  параметров МДП-структур по авт. св. № 1068848, отличающеес  тем, что, с целью расширени  функциональных возможностей за счет отбора радиационностойких МДП-структур , в него введены дополнительный сдвоенный компаратор, двухканальный блок задани  эталонных значений, индикатор и двухканальный ключ, подсоединенный одним входом к выходу дифференциатора и к одному входу первого дополнительного компаратора, другим входом - к входу дифференциатора и к одному входу второго дополнительного компаратора, первым и вторым выходами -- к соответствующим управл ющим входам двухканального блока задани  эталонных значений, первый и второй выходы которого соединены с другими входами соответственно первого и второго дополнительных компараторов, выходна  шина дополнительного сдвоенного компаратора подключена к входу индикатора.
    tffQMfi,
    fys-lOB Ujt+lOA
    9bt.Ј.
SU884435492A 1988-06-02 1988-06-02 Устройство дл измерени параметров МДП-структур SU1638681A2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884435492A SU1638681A2 (ru) 1988-06-02 1988-06-02 Устройство дл измерени параметров МДП-структур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884435492A SU1638681A2 (ru) 1988-06-02 1988-06-02 Устройство дл измерени параметров МДП-структур

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1068848 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1638681A2 true SU1638681A2 (ru) 1991-03-30

Family

ID=21379228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884435492A SU1638681A2 (ru) 1988-06-02 1988-06-02 Устройство дл измерени параметров МДП-структур

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1638681A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2456627C1 (ru) * 2011-03-31 2012-07-20 Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" УСТРОЙСТВО ДЛЯ КУЛОНОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НАНОСТРУКТУР ТРАНЗИСТОРА n-МОП В ТЕХНОЛОГИЯХ КМОП/КНД

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2456627C1 (ru) * 2011-03-31 2012-07-20 Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" УСТРОЙСТВО ДЛЯ КУЛОНОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НАНОСТРУКТУР ТРАНЗИСТОРА n-МОП В ТЕХНОЛОГИЯХ КМОП/КНД

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4825147A (en) Capacitance measuring method and apparatus
US2618674A (en) Difference measuring apparatus
US4797603A (en) Device for measuring the ratio of two low value capacities
US4258315A (en) Inductance meter
US4599604A (en) A/D Self-testing circuit
SU1638681A2 (ru) Устройство дл измерени параметров МДП-структур
US20050099251A1 (en) Circuit for detecting capacitance change in variable capacitance
GB1383062A (en) Corrosion ratemeter
JPH0131967Y2 (ru)
SU1068848A1 (ru) Устройство дл измерени параметров МДП структур
JPS59148855A (ja) 皮表角質層用コンダクタンス測定器
JP2002107406A (ja) 半導体試験装置
JP3544449B2 (ja) 低コストのポインティング・スティック回路
JPH0278912A (ja) 可変容量形センサシステム
US3857097A (en) Compensating techniques for sensitive wide band voltmeters
SU919486A1 (ru) Устройство дл определени генерационного времени жизни неосновных носителей зар да в МДП-конденсаторах
SU805201A1 (ru) Устройство дл измерени сопротивлени изОл ции элЕКТРичЕСКиХ СЕТЕй
RU2008690C1 (ru) Способ измерения электрической емкости и индуктивности
SU1132255A1 (ru) Устройство дл измерени относительной погрешности делителей напр жени
SU1043482A1 (ru) Емкостной преобразователь перемещений
RU2042954C1 (ru) Устройство для контроля заданного погонного сопротивления микропровода в стеклянной изоляции
SU883760A1 (ru) Устройство дл измерени амплитуды измен ющихс во времени сигналов
SU945679A1 (ru) Устройство дл измерени резонансной частоты изделий
SU678329A1 (ru) Тензометрическое устройство
SU1247680A1 (ru) Врем импульсный преобразователь измерител температуры