SU1635212A1 - Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства - Google Patents

Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства Download PDF

Info

Publication number
SU1635212A1
SU1635212A1 SU884454556A SU4454556A SU1635212A1 SU 1635212 A1 SU1635212 A1 SU 1635212A1 SU 884454556 A SU884454556 A SU 884454556A SU 4454556 A SU4454556 A SU 4454556A SU 1635212 A1 SU1635212 A1 SU 1635212A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
input
transistor
inputs
key
bias
Prior art date
Application number
SU884454556A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Павлович Сидоренко
Сергей Иванович Яровой
Анатолий Анатольевич Хоружий
Светлана Викторовна Куриленко
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5737
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5737 filed Critical Предприятие П/Я Х-5737
Priority to SU884454556A priority Critical patent/SU1635212A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1635212A1 publication Critical patent/SU1635212A1/ru

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Description

1
(21)4454556/24
(22)05.07.88
(46) 15.03.91. Бю . № 10
(72) В.П.Сидоренко, С.И.Яровой,
А.А.Хоружий и С.В.Куриленко
(53)681.327.66 (038.8) (56) Патент ЕР 0.060.078,
кл. G 11 С 17/00, опублик. 1982.
Electronies February 24, 1983-, p.p. 89-93.
(54)УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА
(57) Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано в электрически программируемых посто нных запоминающих устройствах . Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  устройства считывани . Поставленна  цель достигаетс  за счет того, что устройство содержит группу блоков смещени  и блок смещени  формировател  опорного напр жени , каждый из которых состоит из нагрузочного и ключевого транзисторов. 1 ил.
Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано в электрически программируемых посто нных запоминающих устройствах. Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  устройства считывани  .
На чертеже приведена электрическа  схема устройства.
Устройство содержит блок 1 зар да, коммутатор 2, матричный накопитель 3, блок 4 смещени , формирователь 5 опорного напр жени , дифференциальный усилитель 6, нагрузочный транзистор 7 блока 1, шину 8 питани  устройства, вход 9 усилител  6, ключевой транзистор 10 блока 1, вход 11 установки (фиксации) напр жени  блока 1, ключевой транзистор 12 коммутатора 2,группа входов 13 выборки устройства, информационные входы 14 устройства, за-.
поминающие транзисторы 15, 16 матричного накопител  3, адресные входы 17, 18 накопител  3 и формировател  5, шина 19 нулевого потенциала устройства , нагрузочный транзистор 20 блока 4 смещени , ключевой транзистор 21 блока 4 смещени , вход 22 выборки устройства, нагрузочные транзисторы 23-27 формировател  5 опорного напр жени , вход 28 усилител  6, первый 29 и второй 30 ключевые транзисторы формировател  5 опорного напр жени , запоминающие транзисторы 31 и 32 фор мировател  5 опорного напр жени , группу блоков 33 смещени .
Устройство считывани  работает в двух режимах: считывани  и хранени  информации.
Дл  реализации режима считывани  на вход 22 блока 4 подаетс  нулевой потенциап, запирающий трангшстоо
00
У1
о
ры 21. При этом одновременно все выходы блоков 4 зар жаютс  до потенциала 1,0 В через соответствующий транзистор 20.
На вход 11 поступает потенциал 1,3 В, открывающий транзисторы 10 и 29. На вхоцы 17 и 13 подаетс  потенциал , близкий к напр жению питани , открывающий транзистор 12 коммутатора 2.
Если выбранный транзистор 15 находитс  в закрытом состо нии, т.е. пороговое напр жение ,0 В, то напр жение , равное 5,0 В, поступающее на затвор этого транзистора, недостаточно дл  его отпирани . Вход 14 при этом начинает зар жатьс  через транзисторы 7 и 10 до напр жени  1,2 В, при котором транзистор 10 запираетс , так как на затвор этого транзистора поступает потенциал 1,3В При запирании транзистор tO отдел ет большую нагрузочную емкость чыходов блоков 4 от малой нагрузочной емкости входа 9 дифференциального усилител  6. В результате потенциал на входе 9 усилител  считывани , который повышаетс  постепенно в соответствии с ростом потенциала на входе 14, при запирании транзистора 10 быстро нарастает до потенциала, равного 4,5 В.
15 находитс  в открытом состо нии (т.е. пороговое напр жение ,0 В), то потенциал на входе 14 ограничиваетс  напр жением 0,7 В, обусловленным токами через транзистор 7 и транзистор 20. При этом на входе 9 схемы дифференциального усилител  6 формируетс  потенциал , равный 2,0 В.
На вход 28 усилител  6 подаетс  опорное напр жение, создаваемое на стоке транзистора 29 формировател  5 опорного напр жени  током разр да через транзистор 32, наход щийс  в открытом состо нии, т.к. эти транзисторы наход тс  только в состо нии с низким пороговым напр жением, т.е. VT«i2,0 В.
г
Благодар  параллельному включению п ти транзисторов 23-27 в формирователе 5 опорного напр жени , идентичных транзистору 7, обеспечиваетс  посто нна  величина отношени  токов считывани  транзисторов 15, 31. При этом на входе 28 усилител  6 счиvce VT нул 
Если транзистор
1635212Л
тывани  формируетс  опорное напр жение 3,5 В.
5
0
5
0
6 срав- напр - ток считы5
0
45
50
55
Дифференциальный усилитель нивает потенциал на входе 9 с жением на входе 28. Если вани  транзистора 15 ниже ожидаемого, то и ток считывани  транзистора 31 будет соответственно ниже, в результате чего изменитс  и ток срабатывани  усилител  6. Така  схема позво- л ет сохранить работоспособность при наличии технологических разбросов.
При переключении в режим хранени  на входы 11, 13, 17 поступает нулевой потенциал, запирающий транзистор 10 и транзистор 12 коммутатора 2. На вход 22 подаетс  потенциал, близкий к напр жению питани , открывающий транзистор 21 блока 4, обеспечива  нулевой потенциал на входах 14.
Преимущества устройства считывани  состо т, во-первых, в повышении быстродействи  при использовании в ЗУ большой информационной емкости i во-вторых, в повышении надежности работы запоминающего устройства, обусловленной увеличением времени хранени  информации запоминающих транзисторов накопител  в режиме хра- J нени .

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Устройство считывани  информации дл  посто нного запоминающего устройства , содержащее блок зар да, вход установки напр жени  которого  вл етс  входом установки напр жени  устройства , коммутатор, информационные входы которого  вл ютс  информационными входами устройства, входы выборки коммутатора  вл ютс  группой входов выборки устройства, выходы коммутатора соединены с информационными входами блока зар да, формирователь опорного напр жени , входы выборки которого  вл ютс  входом выборки устройства, вход установки напр жени  формировател  опорного напр жени  соединен с входом установки напр жени  блока зар да, дифференциальный усилитель , первый и второй входы которого соединены с оответственно с выходом блока зар да и выходом формировател  опорного напр жени , о т л -и ч а ю- щ е е с   тем, что, с целью повышени  быстродействи  устройства, оно
    516352
    содержит группу блоков смещени  и блок смещени  формировател  опорного напр жени , каждый из которых состоит из нагрузочного и ключевого транзис- - торов, затвор, сток, исток нагрузочного и исток ключевого транзисторов соединены соответственно с шиной нулевого потенциала устройства, шиной питани  устройства, стоком ключевого JQ транзистора и шиной нулевого потенциала устройства, затвор ключевого транзистора блока смещени  формировател  опорного напр жени   вл етс 
    в
    А
    з i
    i 2О
    п
    входом разрешени  выборки устройства , затворы ключевых транзисторов блоков смещени  объединены и соединены с затвором ключевого транзистора блока смещени  формировател  опорного напр жени , стоки ключевых транзисторов группы блоков смещени  и сток ключевого транзистора блока смещени  формировател  опорного напр жени  соединены соответственно с информационными входами коммутатора и информационным входом формировател  опорного напр жени .
SU884454556A 1988-07-05 1988-07-05 Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства SU1635212A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884454556A SU1635212A1 (ru) 1988-07-05 1988-07-05 Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884454556A SU1635212A1 (ru) 1988-07-05 1988-07-05 Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1635212A1 true SU1635212A1 (ru) 1991-03-15

Family

ID=21387257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884454556A SU1635212A1 (ru) 1988-07-05 1988-07-05 Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1635212A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1996018194A3 (en) Semiconductor memory with non-volatile memory transistor
EP0347909A3 (en) Nonvolatile memory circuit device performing stable operation in wide range of power source voltage level
CA1259136A (en) Output buffer circuit
US4893276A (en) Output circuit of a static random access memory circuit
EP0243169A2 (en) Sense amplifiers
EP0377839A3 (en) Semiconductor memory device capable of preventing data of non-selected memory cell from being degraded
KR850001615A (ko) 집적 메모리회로
SU1635212A1 (ru) Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства
SU1635214A1 (ru) Элемент пам ти
EP0396263A2 (en) EEPROM device
SU1702423A1 (ru) Усилитель считывани дл запоминающего устройства
SU739643A1 (ru) Усилитель записи-считывани дл запоминающего устройства на дополн ющих мдп-транзисторах
SU582528A1 (ru) Запоминающее устройство
SU972592A1 (ru) Ячейка пам ти
SU1566412A1 (ru) Аналоговое запоминающее устройство
RU2050600C1 (ru) Фотоприемный интегральный элемент памяти
SU1589324A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство
JP2634861B2 (ja) 電流センスアンプ回路
SU1455362A1 (ru) Дешифратор на МДП-транзисторах
SU1134965A1 (ru) Усилитель считывани
SU1513513A1 (ru) Усилитель считывани на КМДП-транзисторах дл статических запоминающих устройств
SU1697118A1 (ru) Способ считывани информации из элементов пам ти на полевых транзисторах и формирователь сигналов считывани
KR100437351B1 (ko) 저전압에서 동작 가능한 센스증폭기
SU756478A1 (ru) Усилитель для записи-считывания информации на дополняющих мдп-транзисторах 1
SU1465911A1 (ru) Запоминающее устройство