SU1635212A1 - Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства - Google Patents
Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства Download PDFInfo
- Publication number
- SU1635212A1 SU1635212A1 SU884454556A SU4454556A SU1635212A1 SU 1635212 A1 SU1635212 A1 SU 1635212A1 SU 884454556 A SU884454556 A SU 884454556A SU 4454556 A SU4454556 A SU 4454556A SU 1635212 A1 SU1635212 A1 SU 1635212A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- input
- transistor
- inputs
- key
- bias
- Prior art date
Links
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Description
1
(21)4454556/24
(22)05.07.88
(46) 15.03.91. Бю . № 10
(72) В.П.Сидоренко, С.И.Яровой,
А.А.Хоружий и С.В.Куриленко
(53)681.327.66 (038.8) (56) Патент ЕР 0.060.078,
кл. G 11 С 17/00, опублик. 1982.
Electronies February 24, 1983-, p.p. 89-93.
(54)УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА
(57) Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано в электрически программируемых посто нных запоминающих устройствах . Целью изобретени вл етс повышение быстродействи устройства считывани . Поставленна цель достигаетс за счет того, что устройство содержит группу блоков смещени и блок смещени формировател опорного напр жени , каждый из которых состоит из нагрузочного и ключевого транзисторов. 1 ил.
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано в электрически программируемых посто нных запоминающих устройствах. Целью изобретени вл етс повышение быстродействи устройства считывани .
На чертеже приведена электрическа схема устройства.
Устройство содержит блок 1 зар да, коммутатор 2, матричный накопитель 3, блок 4 смещени , формирователь 5 опорного напр жени , дифференциальный усилитель 6, нагрузочный транзистор 7 блока 1, шину 8 питани устройства, вход 9 усилител 6, ключевой транзистор 10 блока 1, вход 11 установки (фиксации) напр жени блока 1, ключевой транзистор 12 коммутатора 2,группа входов 13 выборки устройства, информационные входы 14 устройства, за-.
поминающие транзисторы 15, 16 матричного накопител 3, адресные входы 17, 18 накопител 3 и формировател 5, шина 19 нулевого потенциала устройства , нагрузочный транзистор 20 блока 4 смещени , ключевой транзистор 21 блока 4 смещени , вход 22 выборки устройства, нагрузочные транзисторы 23-27 формировател 5 опорного напр жени , вход 28 усилител 6, первый 29 и второй 30 ключевые транзисторы формировател 5 опорного напр жени , запоминающие транзисторы 31 и 32 фор мировател 5 опорного напр жени , группу блоков 33 смещени .
Устройство считывани работает в двух режимах: считывани и хранени информации.
Дл реализации режима считывани на вход 22 блока 4 подаетс нулевой потенциап, запирающий трангшстоо
00
У1
о
ры 21. При этом одновременно все выходы блоков 4 зар жаютс до потенциала 1,0 В через соответствующий транзистор 20.
На вход 11 поступает потенциал 1,3 В, открывающий транзисторы 10 и 29. На вхоцы 17 и 13 подаетс потенциал , близкий к напр жению питани , открывающий транзистор 12 коммутатора 2.
Если выбранный транзистор 15 находитс в закрытом состо нии, т.е. пороговое напр жение ,0 В, то напр жение , равное 5,0 В, поступающее на затвор этого транзистора, недостаточно дл его отпирани . Вход 14 при этом начинает зар жатьс через транзисторы 7 и 10 до напр жени 1,2 В, при котором транзистор 10 запираетс , так как на затвор этого транзистора поступает потенциал 1,3В При запирании транзистор tO отдел ет большую нагрузочную емкость чыходов блоков 4 от малой нагрузочной емкости входа 9 дифференциального усилител 6. В результате потенциал на входе 9 усилител считывани , который повышаетс постепенно в соответствии с ростом потенциала на входе 14, при запирании транзистора 10 быстро нарастает до потенциала, равного 4,5 В.
15 находитс в открытом состо нии (т.е. пороговое напр жение ,0 В), то потенциал на входе 14 ограничиваетс напр жением 0,7 В, обусловленным токами через транзистор 7 и транзистор 20. При этом на входе 9 схемы дифференциального усилител 6 формируетс потенциал , равный 2,0 В.
На вход 28 усилител 6 подаетс опорное напр жение, создаваемое на стоке транзистора 29 формировател 5 опорного напр жени током разр да через транзистор 32, наход щийс в открытом состо нии, т.к. эти транзисторы наход тс только в состо нии с низким пороговым напр жением, т.е. VT«i2,0 В.
г
Благодар параллельному включению п ти транзисторов 23-27 в формирователе 5 опорного напр жени , идентичных транзистору 7, обеспечиваетс посто нна величина отношени токов считывани транзисторов 15, 31. При этом на входе 28 усилител 6 счиvce VT нул
Если транзистор
1635212Л
тывани формируетс опорное напр жение 3,5 В.
5
0
5
0
6 срав- напр - ток считы5
0
45
50
55
Дифференциальный усилитель нивает потенциал на входе 9 с жением на входе 28. Если вани транзистора 15 ниже ожидаемого, то и ток считывани транзистора 31 будет соответственно ниже, в результате чего изменитс и ток срабатывани усилител 6. Така схема позво- л ет сохранить работоспособность при наличии технологических разбросов.
При переключении в режим хранени на входы 11, 13, 17 поступает нулевой потенциал, запирающий транзистор 10 и транзистор 12 коммутатора 2. На вход 22 подаетс потенциал, близкий к напр жению питани , открывающий транзистор 21 блока 4, обеспечива нулевой потенциал на входах 14.
Преимущества устройства считывани состо т, во-первых, в повышении быстродействи при использовании в ЗУ большой информационной емкости i во-вторых, в повышении надежности работы запоминающего устройства, обусловленной увеличением времени хранени информации запоминающих транзисторов накопител в режиме хра- J нени .
Claims (1)
- Формула изобретениУстройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства , содержащее блок зар да, вход установки напр жени которого вл етс входом установки напр жени устройства , коммутатор, информационные входы которого вл ютс информационными входами устройства, входы выборки коммутатора вл ютс группой входов выборки устройства, выходы коммутатора соединены с информационными входами блока зар да, формирователь опорного напр жени , входы выборки которого вл ютс входом выборки устройства, вход установки напр жени формировател опорного напр жени соединен с входом установки напр жени блока зар да, дифференциальный усилитель , первый и второй входы которого соединены с оответственно с выходом блока зар да и выходом формировател опорного напр жени , о т л -и ч а ю- щ е е с тем, что, с целью повышени быстродействи устройства, оно516352содержит группу блоков смещени и блок смещени формировател опорного напр жени , каждый из которых состоит из нагрузочного и ключевого транзис- - торов, затвор, сток, исток нагрузочного и исток ключевого транзисторов соединены соответственно с шиной нулевого потенциала устройства, шиной питани устройства, стоком ключевого JQ транзистора и шиной нулевого потенциала устройства, затвор ключевого транзистора блока смещени формировател опорного напр жени вл етсвАз ii 2Оп2«входом разрешени выборки устройства , затворы ключевых транзисторов блоков смещени объединены и соединены с затвором ключевого транзистора блока смещени формировател опорного напр жени , стоки ключевых транзисторов группы блоков смещени и сток ключевого транзистора блока смещени формировател опорного напр жени соединены соответственно с информационными входами коммутатора и информационным входом формировател опорного напр жени .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884454556A SU1635212A1 (ru) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884454556A SU1635212A1 (ru) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1635212A1 true SU1635212A1 (ru) | 1991-03-15 |
Family
ID=21387257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884454556A SU1635212A1 (ru) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1635212A1 (ru) |
-
1988
- 1988-07-05 SU SU884454556A patent/SU1635212A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO1996018194A3 (en) | Semiconductor memory with non-volatile memory transistor | |
EP0347909A3 (en) | Nonvolatile memory circuit device performing stable operation in wide range of power source voltage level | |
CA1259136A (en) | Output buffer circuit | |
US4893276A (en) | Output circuit of a static random access memory circuit | |
EP0243169A2 (en) | Sense amplifiers | |
EP0377839A3 (en) | Semiconductor memory device capable of preventing data of non-selected memory cell from being degraded | |
KR850001615A (ko) | 집적 메모리회로 | |
SU1635212A1 (ru) | Устройство считывани информации дл посто нного запоминающего устройства | |
SU1635214A1 (ru) | Элемент пам ти | |
EP0396263A2 (en) | EEPROM device | |
SU1702423A1 (ru) | Усилитель считывани дл запоминающего устройства | |
SU739643A1 (ru) | Усилитель записи-считывани дл запоминающего устройства на дополн ющих мдп-транзисторах | |
SU582528A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
SU972592A1 (ru) | Ячейка пам ти | |
SU1566412A1 (ru) | Аналоговое запоминающее устройство | |
RU2050600C1 (ru) | Фотоприемный интегральный элемент памяти | |
SU1589324A1 (ru) | Оперативное запоминающее устройство | |
JP2634861B2 (ja) | 電流センスアンプ回路 | |
SU1455362A1 (ru) | Дешифратор на МДП-транзисторах | |
SU1134965A1 (ru) | Усилитель считывани | |
SU1513513A1 (ru) | Усилитель считывани на КМДП-транзисторах дл статических запоминающих устройств | |
SU1697118A1 (ru) | Способ считывани информации из элементов пам ти на полевых транзисторах и формирователь сигналов считывани | |
KR100437351B1 (ko) | 저전압에서 동작 가능한 센스증폭기 | |
SU756478A1 (ru) | Усилитель для записи-считывания информации на дополняющих мдп-транзисторах 1 | |
SU1465911A1 (ru) | Запоминающее устройство |