SU1617459A1 - Элемент оптической пам ти - Google Patents
Элемент оптической пам ти Download PDFInfo
- Publication number
- SU1617459A1 SU1617459A1 SU884491100A SU4491100A SU1617459A1 SU 1617459 A1 SU1617459 A1 SU 1617459A1 SU 884491100 A SU884491100 A SU 884491100A SU 4491100 A SU4491100 A SU 4491100A SU 1617459 A1 SU1617459 A1 SU 1617459A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- optical memory
- optical
- layer
- memory element
- transparent
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной технике, в частности к оптоэлектронным системам хранени и обработки информации. Целью изобретени вл етс расширение спектрального диапазона оптической чувствительности элемента оптической пам ти. Элемент оптической пам ти содержит прозрачную диэлектрическую подложку 2, полупрозрачные электроды 3 и 4, размещенный между ними слой органического фотополупроводника 5, обладающего фотоэлектретным и пироэлектрическим эффектом в отсутствии внешнего электрического пол . Слой 5 выполнен из 4-нитро-4-аминодифенила. 1 ил.
Description
S
(Л
Изобретение относитс к вычислительной технике, в частности к опто- электронным системам хранени и обработки информации.
Цель изобретени - расширение спектрального диапазона оптической чувствительности элемента оптической пам ти,
На чертеже изображен элемент опти- ческой пам ти.
На чертеже показаны пучок 1 света, несущий информацию, прозрачна ди- i электрическа подложка 2, полупрозрачные электроды 3 и 4, полученные термическим испарением, слой 5 органического фотополупроводника, обладающего фотоэлек ретным и пироэлектрическим эффектом при отсутствии внешнего электрического пол , и счи- тываюций пучок 6 света.
Элемент оптической пам ти работает следующим образом.
При прохождении пучка света, несущего информацию.1, через диэлектри- ческую подложку 2 и полупрозрачньй электрод 3 в активном слое 5 создаетс фотоэлектретное состо ние (оптическа пам ть), характер распределени которого воспроизводит форму пуч- ка света, несущего информацию. Считы- вающий ИК-свет (пучок 6 света), вызывает пироэффект в активном слое 5, сигнал которого в кажцой точке органического фотопироэлектрика определ етс величиной фотоэлектретного состо ни и пи- роэффекта.
Запись и считывание оптической информации можно производить также через один из прозрачных электродов 3
или А.
Активный слой из фотопироэлектрика позвол ет многократное считывание оптической информации в широком диапазоне длин волн считывающего пучка света при однократной записи информа- ции. Одновременно такой активный слой устран ет необходимость во внешнем источнике электрического пол в св зи с тем, что в органических фоточувст-
вительных пироэлектриках спектрально распределение пироэлектрического эффекта частично перекрываетс о длин- новолновой примесной фотопроводимост в видимой области спектра. Этот факт дает возможность при импульсном облучении из области спектров перекрыти
фотопроводимости и.пироэффекта создавать неравновесные носители, которые
Q
д
5 . Q
5
под действием возникшего пироэлектрического пол смещаютс , а захватыва- сь локальными центрами создают неоднородное распределение носителей, вследствие чего образуетс фотоэлек- третное состо ние, т.е. оптическа пам ть в фотопироэлектрике, величина которого в каждой точке будет определ тьс экспозицией пространственно распределенного света и величиной пироэлектрического пол . Врем действи света при записи информации не должно превьппать тепловой посто нной пироэффекта . В противном случае за врем превышающее тепловую посто нную будет разрушатьс оптическа пам ть. При использовании в качестве активного сло 4-нитро-А-аминодифенила толщиной 0,3-1 мкм теплова посто нна измен етс от 10 с до 10 с в зависимости от толщины пленки, вида диэлектрика и его толщины, который используетс в качестве подложки.
При считывании оптической информации инфракрасным светом (ИК) длиной волны в диапазоне 1-1А мкм, вызывающим только пироэффект, величина пироэлектрического сигнала определ етс истинным пироэф(})ектом и потенциальным рельефом фотоэлектретного состо ни , отображаю1дего записанную оптическую информацию. Врем считывани оптической пам ти также определ етс тепловой посто нной пироэффекта.
Claims (1)
1. Элемент оптической пам ти, содержащий прозрачную диэлектрическую подложку, .la порерхпости которой последовательно размедцены первый прозрачный электрод, светочувствительный
i1617459
г Фп ми ОТСУТСТВИИ внешнего электри- запоминающий слой и второй прозрач- , ствами в отсутствии
иьй электрод, отличающий- ПлеГн; по п. 1, о т л и а ю - с тем, что. с целью расширени 2 Элемент по п. ,
спектрального диапазона оптической щ и и с тем, „„..„„„-ского чувствительности элемента, светочув- полупроводникового °Р ствительный запомииаиций слой выпол- материала, нен из фотополупроводиикового оргаии- ,°ГГнГн ПлГк иГеГого ческого материала, обладающего фото- 4-иитро-4-аминодифенил. электретным и пироэлектрическим свой- ю ° применен ч HHTI
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884491100A SU1617459A1 (ru) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | Элемент оптической пам ти |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884491100A SU1617459A1 (ru) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | Элемент оптической пам ти |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1617459A1 true SU1617459A1 (ru) | 1990-12-30 |
Family
ID=21402912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU884491100A SU1617459A1 (ru) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | Элемент оптической пам ти |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1617459A1 (ru) |
-
1988
- 1988-07-18 SU SU884491100A patent/SU1617459A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Патент US (f 3660818, кл. 340- 1723, опублик. 1972. Авторское свидетельство СССГ W 699567, кл. G 11 С 11/42, 1979. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3912391A (en) | Optical information storage and retrieval system with optical storage medium | |
| JPS63108771A (ja) | 電子カメラ | |
| US3819938A (en) | Opto-electronic transducers for object detection | |
| CA2036114C (en) | Spectral resolving and sensing apparatus | |
| JPS6386973A (ja) | 露光ブロツキング素子をもつ感光ピクセル | |
| US3865975A (en) | Deep trap, laser activated image converting system | |
| Anderson et al. | Role of photodetectors in optical signal processing | |
| SU1617459A1 (ru) | Элемент оптической пам ти | |
| US3381133A (en) | Scanning device for tracker using concentric photosensitive surfaces cooperating with oscillated image | |
| US4498156A (en) | Electrochromic nonvolatile memory device | |
| FR2808925A1 (fr) | Detecteur optique bi-spectral | |
| US3512879A (en) | Bandwidth-coded photographic film memory | |
| US3825807A (en) | High gain barrier layer solid state devices | |
| US5459321A (en) | Laser hardened backside illuminated optical detector | |
| JPS59177964A (ja) | イメ−ジ・センサ | |
| JPS59189619A (ja) | 焦電素子 | |
| JPS54139341A (en) | Information processing unit | |
| SU980574A1 (ru) | Фотоанализатор линейно-пол ризованного излучени | |
| JPS6111505B2 (ru) | ||
| RU1833826C (ru) | Устройство дл преобразовани изображени | |
| GO | OCLI Optical Coatings Limited | |
| Bruening | Spectral irradiance scales based on filtered absolute silicon photodectors | |
| Giles et al. | Models of parallel computation and optical computing | |
| Maserjian | Deep trap, laser activated image converting system | |
| JPS6015937B2 (ja) | 光応答性高分子膜 |