SU1615582A1 - Device for measuring pressure - Google Patents
Device for measuring pressure Download PDFInfo
- Publication number
- SU1615582A1 SU1615582A1 SU894642841A SU4642841A SU1615582A1 SU 1615582 A1 SU1615582 A1 SU 1615582A1 SU 894642841 A SU894642841 A SU 894642841A SU 4642841 A SU4642841 A SU 4642841A SU 1615582 A1 SU1615582 A1 SU 1615582A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- pressure
- strain gauges
- dielectric
- crystallographic
- axis
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к измерительной технике и может быть использовано дл измерени высоких гидростатических давлений. Целью изобретени вл етс повышение чувствительности и расширение диапазона измерени высоких гидростатических давлений. В устройстве использован электрический преобразователь, содержащий идентичные тонкопленочные тензорезисторы 1 и 2, размещенные на поверхности монокристаллического диэлектрика вдоль кристаллографических осей X и Z, в направлении которых линейные сжимаемости диэлектрика неодинаковы. Преобразователь помещен в сосуд высокого давлени и включен в потенциометрическую схему. Если UX и UZ - напр жени на тензорезисторах, ориентированных по длине вдоль осей X и Z соответственно, то при изменении давлени в сосуде 4 напр жени измен ютс из-за изменени сопротивлений тензорезисторов. По отношению напр жений определ етс давление. 2 ил.The invention relates to a measurement technique and can be used to measure high hydrostatic pressures. The aim of the invention is to increase the sensitivity and extend the range of measurement of high hydrostatic pressures. The device uses an electrical transducer containing identical thin-film strain gauges 1 and 2 placed on the surface of a single-crystal dielectric along the X and Z crystallographic axes, in the direction of which the linear compressibility of the dielectric is not the same. The transducer is placed in a pressure vessel and is included in the potentiometric circuit. If U X and U Z are voltages on strain gauges oriented in length along the X and Z axes, respectively, then as pressure changes in vessel 4, the voltages change due to the change in resistance of the strain gauges. The stress ratio is determined by the pressure. 2 Il.
Description
Изобретение относитс к измеритель- ной техн14ке и может быть использовано дл измерени высоких гидростатических давлений .The invention relates to a measurement technique and can be used to measure high hydrostatic pressures.
.Цель изобретени - повышение чувст- 5 вительности и расширение диапазона измерени высоких давлений.The purpose of the invention is to increase the sensitivity and expand the range of measurement of high pressures.
На фиг. 1 изображена схема устройства; на фиг. 2 - размещение тензорезисторов на противоположных сторонах монокристал- 10 лического диэлектрика.FIG. 1 shows a diagram of the device; in fig. 2 - placement of strain gauges on opposite sides of a single crystal dielectric.
Устройство содержит два идентичных тонкопленочных тензорезистора 1 и 2 (фиг. 1), расположенных на одном и том же монокристаллическом элементе 3, например на 15. кварцевом диске Y-cpeaa, помещенном в сосуд 4 высокого давлени , заполненный жидкостью 5, передающей давление. Тензо- резистор 1 ориентирован по длине в направлении одной из кристаллографических 20 осей диэлектрика, например в направлении оси X кристаллического кварца, а тензоре- зистор 2 ориентирован по длине в направ- лении другой, неэквивалентной кристаллографической оси этого диэлектрика, напри- 25 мер в направлений оси Z. Тензорезисторы подключены КИСТОЧ1-1ИКУ 6 посто нного тока и к компаратору 7 напр жений.The device contains two identical thin-film strain gauges 1 and 2 (Fig. 1) located on the same monocrystalline element 3, for example, on a 15. quartz Y-cpeaa disk placed in a high pressure vessel 4 filled with liquid 5 transmitting pressure. The strainer resistor 1 is oriented along the length in the direction of one of the crystallographic 20 axes of the dielectric, for example, in the X direction of the crystalline quartz, and the strain gauge 2 is oriented along the length in the direction of the other, nonequivalent crystallographic axis of this dielectric, for example, in the directions Z-axis. The resistance strain gages are connected to a 6 KISTOCH1-1IKUU DC and to the voltage comparator 7.
Устройство работает следующим образом .30The device works as follows .30
Изменение давлени в сосуде 4 вызыват изменение сопротивлений RX и RZ тензо- . ;зезисторов 1 и 2 и соответствующее изменение напр жений на них Ux и Uz. Напр жени Ux м Uz измер ютс компаратором 7 и по ним определ етс давление,A change in pressure in vessel 4 causes a change in the resistances RX and RZ of the tenso. Zezistors 1 and 2 and the corresponding change in voltage Ux and Uz. The stresses Ux and Uz are measured by a comparator 7 and the pressure is determined from them.
Если в качестве монокристаллического элемента используетс кварцевый диск Y- среза, то давление наход т по формулеIf a quartz Y-cut disk is used as the single-crystal element, the pressure is found by the formula
P AollJI-,,.P AollJI - ,,.
где АО - посто нна .where AO is constant.
Дл кварца посто нна равна 1/2Constant for quartz is 1/2
Ао Ao
,283 ГПа ,, 283 GPa,
QZ - QXQZ - QX
где QZ и.QX-линейные сжимаемости кварца в направлени х его кристаллографических осей Z и X соответственно.where QZ and .QX-linear compressibility of quartz in the directions of its crystallographic axes Z and X, respectively.
Ф о р м .у л а и 3 о б р е т е н и Устройство дл измерени давлени , содержащее первый и второй тензорезисто- ры, размещенные на поверхности монокристаллического диэлектрика, соединенные в потенциометрическую схему и подключенные к измерительному прибору, отличающеес тем, что, с целью повышени чувствительности и расширени диапазона измерени высоких давлений, первый тензоре- зистор ориентирован в направлении первой кристаллографической оси монокристаллического диэлектрика, а второй - в направлении второй оси, причем перва и втора кристаллографические оси вь1браны так, что линейные коэффициенты сжимаемости диэлектрика вдоль них различны при гидростатическом сжатии.Ph o m o l a and 3 o bre i n A pressure measuring device containing first and second strain gages placed on the surface of a single-crystal dielectric, connected in a potentiometric circuit and connected to a measuring device, that, in order to increase the sensitivity and expand the range of measuring high pressures, the first strain gauge is oriented in the direction of the first crystallographic axis of the single-crystal dielectric, and the second in the direction of the second axis, with the first and second v1brany crystallographic axis so that the linear dielectric compressibility coefficients vary along them under hydrostatic pressure.
Стокана /4Stokana / 4
С/Г7орома ВS / G7oroma B
XX
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894642841A SU1615582A1 (en) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | Device for measuring pressure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894642841A SU1615582A1 (en) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | Device for measuring pressure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1615582A1 true SU1615582A1 (en) | 1990-12-23 |
Family
ID=21425276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU894642841A SU1615582A1 (en) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | Device for measuring pressure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1615582A1 (en) |
-
1989
- 1989-01-27 SU SU894642841A patent/SU1615582A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Авторское свидетельство СССР №386294, кл. G01 L 9/12, 1973. Кравченко Г.Н., Яровчук А.В., Пак С.П, Структура элементов высокотемпературного пленочного тензорезистора. - Vill Всесоюзна конференци Методы и средства тензометрии и их применение в народном хоз йстве. - Свердловск, 1983; с.30-31. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4096740A (en) | Surface acoustic wave strain detector and gage | |
| US3350944A (en) | Strain gauge pressure transducer | |
| US4741200A (en) | Method and apparatus for measuring viscosity in a liquid utilizing a piezoelectric sensor | |
| Barlow et al. | The effect of pressure on the viscoelastic properties of liquids | |
| Heyman | A CW ultrasonic bolt-strain monitor: A new sensitive device is reported for the measurement of stress-related strain as well as stress-related change in velocity of sound | |
| US4549436A (en) | Surface-acoustic-wave, digitized angular accelerometer | |
| US3313204A (en) | Photoelastic strain gauge with bult-in stress pattern | |
| Hammond et al. | The crystal resonator-a digital transducer | |
| SU1615582A1 (en) | Device for measuring pressure | |
| Graham | Pressure dependence of the piezoelectric polarization of LiNbO3 and LiTaO3 | |
| SU1605146A1 (en) | Pressure transducer | |
| SU1663410A1 (en) | Method and apparatus for measuring deformations | |
| US3383912A (en) | Force measuring apparatus | |
| SU1428952A1 (en) | Strees transducer | |
| SU1182382A1 (en) | Method of measuring acoustic pressure | |
| SU1629877A1 (en) | Capacitance meter | |
| SU1520370A1 (en) | Method of checking piezoelectric transducers | |
| SU1451566A1 (en) | Semiconductor strain transducer | |
| SU1103161A1 (en) | Device for measuring longitudinal piezo module | |
| SU1474452A1 (en) | Method and device for testing surface of electroconductive article | |
| SU1651193A1 (en) | Method for measuring acoustic signal parameters in media and device thereof | |
| FR2592949A1 (en) | Electromagnetic measurement system for converting small displacements into proportional electrical signals, in particular in the form of a roughness measurer | |
| SU1435967A1 (en) | Integral pressure strain-gauge transducer | |
| SU1136045A1 (en) | Device for measuring pressure | |
| SU1052848A1 (en) | Integrated strain gauge |