SU1608539A1 - Apparatus for measuring thermo-emf of filamentary crystals - Google Patents
Apparatus for measuring thermo-emf of filamentary crystals Download PDFInfo
- Publication number
- SU1608539A1 SU1608539A1 SU894644535A SU4644535A SU1608539A1 SU 1608539 A1 SU1608539 A1 SU 1608539A1 SU 894644535 A SU894644535 A SU 894644535A SU 4644535 A SU4644535 A SU 4644535A SU 1608539 A1 SU1608539 A1 SU 1608539A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- pairs
- current
- crystal
- outputs
- internal terminals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к физике твердого тела. Цель изобретени - упрощение процесса измерений. Дл этого в устройство содержащее первый и второй источники тока, выходы которых подключены соответственно к внутренним выводам первой и второй пар токовыводов на концах кристалла, и измерительный прибор, который подключен между внутренними выводами первой и второй пар токовыводов, дополнительно введены фазорасщепитель, два диода и управл емый делитель напр жени . Устройство позвол ет частично автоматизировать процесс измерений, так как задаютс сразу два взаимосв занных тока, разогревающие концы кристалла до определенных температур, а при определении термоЭДС исключаетс сопротивление средних контактов. 1 ил.This invention relates to solid state physics. The purpose of the invention is to simplify the measurement process. To do this, a device containing the first and second current sources, the outputs of which are connected respectively to the internal terminals of the first and second pairs of current leads at the ends of the crystal, and a measuring device that is connected between the internal terminals of the first and second pairs of current leads, additionally introduces a phase splitter, two diodes and a control divisible voltage divider. The device allows to partially automate the measurement process, since two interconnected currents are set at once, heating the ends of the crystal to certain temperatures, and the resistance of the average contacts is excluded when determining the thermoEMF. 1 il.
Description
И; ки конкр видны|х вано вAND; ki konkr visible | x vano in
юбретение относитс к разделу физи- твеодого тела - измерению п араметров, ггного к измерению термоЭДС ните- кристаллов, и может быть использо- измерительной технике. Целью изобретени вл етс упрощение процесса измерений.The decree relates to the section of the physical body - measurement of parameters that are relevant to the measurement of thermoelectric power of filaments, and can be used with the measuring technique. The aim of the invention is to simplify the measurement process.
Устройство позвол ет частично автома- тизирс вать процесс измерений, так как задаютс сразу два взаимосв занных тока, разогревающих концы кристалла до определенных температур, а при определении тер- моЭДС Де исключаетс сопротивление средних контактов.The device allows one to partially automate the measurement process, since two interconnected currents are set at once, heating the ends of the crystal to certain temperatures, and the determination of the thermopower D eliminates the resistance of the average contacts.
На чертеже лредставленб функциональна сх(;ма предлагаемого устройства.In the drawing, the Lredstavlenb functional cf (; ma of the proposed device.
Ус-ройсГво дл :4змерен 1;1 термоЭДС нитевидных кристаллов содержит источник 1 напр жени , управл емый делитель 2 напр жени , фазорасщепитель 3. источники А и 5 тока, измерительный прибор 6. диоды 7 и 8 и две пары токовыводов 9, 10 и 11, 12, которые подключены к испытуемому образцу 13 кристалла.Usage: for 1: 1; 1 thermopower of threadlike crystals contains 1 voltage source, controlled 2 voltage divider, phase splitter 3. current sources A and 5, measuring device 6. diodes 7 and 8 and two pairs of current terminals 9, 10 and 11, 12, which are connected to the sample under test 13 crystals.
Выход источника 1 напр жени подключен к входу управл емого делител 2 напр жени , выход которого соединен с входом фазорасщепител 3. Первый и второй выходы фазорасщепител 3 подключены соответственно к входам первого 4 и оторого 5 источниковтока, выходы .которых подключены к внутренним токовыводам 10 и 11 соответственно первой и второй пар, между которыми подключен измерительный прибор 6. Внешние токозыаоды 9 и 12 первой и второй пар токовыводов подключень соответственно через первый 7 и второй 8 диоды к общей шине. В состав управл емого делител 2 вход т сопротивлени 14 и 15.The output of the voltage source 1 is connected to the input of the controlled voltage divider 2, the output of which is connected to the input of the phase splitter 3. The first and second outputs of the phase splitter 3 are connected respectively to the inputs of the first 4 and cheap 5 sources, the outputs of which are connected to the internal current terminals 10 and 11 the first and second pairs, respectively, between which measuring device 6 is connected. The external current collectors 9 and 12 of the first and second pairs of current leads are connected via the first 7 and second 8 diodes to a common bus, respectively. The controlled divider 2 includes resistances 14 and 15.
СлSl
«gH-jjja"GH-jjja
Фазорасщепитель 3 выполнен, например , на операционном усилителе 16, транзисторе 17 и резисторах 18 и 19, а источники тока по компенсационной схеме - на операционных усилител х 20 и 21, транзисторах 22 и 23 и резисторах 24 и 25.A phase splitter 3 is made, for example, on an operational amplifier 16, a transistor 17 and resistors 18 and 19, and current sources are based on a compensation circuit on an operational amplifier 20 and 21, transistors 22 and 23, and resistors 24 and 25.
Устройство работает следующим образом .The device works as follows.
Выходное напр жение источника 1 делитс управл емым делителем 2, расщеп- л етс по фазе фазорасщепителем 3 на два противоположных сигнала, которые управл ют источниками токов 4 и 5 (соответствен- но положительного и отрицательного токов).The output voltage of source 1 is divided by controlled divider 2, split in phase by phase splitter 3 into two opposite signals that control sources of currents 4 and 5 (respectively, positive and negative currents).
Токи источников 4 и 5 замыкаютс соответственно через разогрбваем ые ими участки кристалла испытуемого образца 13 и диоды 7 и В на общую шину. Измерительный прибор фиксирует разность потенциалов между внутренними токовыводами 10 и 11 соответственно первой и второй пар токо- выводов.The currents of sources 4 and 5 are closed, respectively, through the sections of the test sample 13 crystal and the diodes 7 and B on the common busbar, which they can unload. The measuring device records the potential difference between the internal current leads 10 and 11, respectively, of the first and second pairs of current leads.
Выходные токи источников 4 и 5 соот- ветственно равныThe output currents of sources 4 and 5 are respectively equal
i4 i4
RIBRib
Rl5Rl5
:rUi,: rUi,
(1)(one)
(2)(2)
R24R19 Rl4+Rl5 I,- 1 . Rl5 ,. R24R19 Rl4 + Rl5 I, - 1. Rl5,.
где Ui - значение выходного напр жени источника 1 напр жени ;where Ui is the value of the output voltage of voltage source 1;
R - значение сопротивлени i-резисто- ра (соответствует позиции на чертеже).R is the resistance value of the i-resistor (corresponds to the position in the drawing).
Значение тормоЭДС кристалла опреде- .л етс по фoprs1yлeThe value of the crystal EMF is determined from the form 1
Ae-U6-(U RKIO-IS-RKII), (3)Ae-U6- (U RKIO-IS-RKII), (3)
где Us- значение напр жени , регистриру- емого измерительным прибором 6;where Us is the voltage value recorded by the measuring device 6;
Редактор И.Горна Editor I.Gorn
Составитель И.Атманов Тех ред М.МоргенталCompiled by I.Atmanov Tech red by M. Morgenthal
RKIO и RKII - значени сопротивлени токовыводов 10 и 11.RKIO and RKII are the resistance values of the current leads 10 and 11.
Поскольку направлени токов U и Is через токовыводы 10 и 11 противоположны, а абсолютные величины i и Is выбраны так, чтобыSince the directions of the currents U and Is through the current terminals 10 and 11 are opposite, and the absolute values of i and Is are chosen so that
ll4lRKio ll бЖкп, , (4) то формула (3) принимает видll4lRKio ll БЖкп,, (4) then the formula (3) takes the form
.,(5).,(five)
т.е. измерительный прибор 6 непосредственно показывает значение термоЭДС кристалла . Дл определени коэффициента термо ЭДС- поуравнениюthose. The measuring device 6 directly shows the value of the thermopower of the crystal. To determine the thermoelectric emf coefficient
а Де/АТ неоходимо знать температуры концов кристалла, которые определ ют по проградуированным зависимост м сопротивлений концов кристалла от температуры .and De / AT, it is necessary to know the temperature of the ends of the crystal, which are determined by the graduated dependences of the resistances of the ends of the crystal on temperature.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894644535A SU1608539A1 (en) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | Apparatus for measuring thermo-emf of filamentary crystals |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894644535A SU1608539A1 (en) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | Apparatus for measuring thermo-emf of filamentary crystals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1608539A1 true SU1608539A1 (en) | 1990-11-23 |
Family
ID=21426026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894644535A SU1608539A1 (en) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | Apparatus for measuring thermo-emf of filamentary crystals |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1608539A1 (en) |
-
1989
- 1989-01-30 SU SU894644535A patent/SU1608539A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Аиторское свидетельство СССР :053, кл. G 01 N 25/30, 1973. Апторское свидетельство СССР N5 14Р7541, кп. G 01 N 25/18, 1987. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104374421A (en) | Transducer for measuring tiny water in oil and method for on-line real-time monitoring of temperature and humidity in oil | |
WO1993017347A1 (en) | Method and apparatus for measuring voltage | |
SU1608539A1 (en) | Apparatus for measuring thermo-emf of filamentary crystals | |
US5096303A (en) | Electronic circuit arrangement for temperature measurement based on a platinum resistor as a temperature sensing resistor | |
US3842349A (en) | Automatic ac/dc rms comparator | |
SU1362960A1 (en) | Device for measuring temperature | |
RU2229692C2 (en) | Procedure establishing temperature | |
CN219714570U (en) | Temperature measuring circuit | |
US5831427A (en) | Voltage measuring device for a source with unknown resistance | |
US5745062A (en) | Pulse width modulation analog to digital converter | |
JPS61223622A (en) | Multitemperature measuring instrument | |
CN221127276U (en) | Current sampling circuit and electronic equipment | |
SU1663588A1 (en) | Device for indicating thermomagnetic characteristics | |
SU1275230A1 (en) | Device for measuring temperature | |
SU1661588A1 (en) | Apparatus to measure temperature difference | |
SU1397743A1 (en) | Multipoint digital thermometer | |
SU627350A2 (en) | Digital thermometer electric circuit | |
SU1513376A1 (en) | Device for measuring temperature of winding of electric motor | |
SU1597601A1 (en) | Apparatus for measuring temperature and checking operability of thermoelectric transducer | |
SU1420566A1 (en) | Method of reproducing nominal voltage value | |
SU1018044A1 (en) | Electric radio component parameter automatic measuring device | |
SU1064156A1 (en) | Semiconducor temperature pickup | |
JPS5831078Y2 (en) | Thermoelectric temperature measuring device | |
SU1247796A1 (en) | Device for performing rejection of power transistors | |
SU1084709A1 (en) | Device for measuring transistor dissipation parameters |