SU1420566A1 - Method of reproducing nominal voltage value - Google Patents

Method of reproducing nominal voltage value Download PDF

Info

Publication number
SU1420566A1
SU1420566A1 SU864040050A SU4040050A SU1420566A1 SU 1420566 A1 SU1420566 A1 SU 1420566A1 SU 864040050 A SU864040050 A SU 864040050A SU 4040050 A SU4040050 A SU 4040050A SU 1420566 A1 SU1420566 A1 SU 1420566A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
values
current
voltage
junction
calibration
Prior art date
Application number
SU864040050A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Михаил Яковлевич Шор
Original Assignee
М. Я. Шор
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by М. Я. Шор filed Critical М. Я. Шор
Priority to SU864040050A priority Critical patent/SU1420566A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1420566A1 publication Critical patent/SU1420566A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к технике элек- троизмереиий и позвол ет воспроизводить номинальные значени  напр жени . Цель изобретени  - улучшение реализации способа путем устранени  необходимости в до- нолнительных операци х отбора, калибровки и поверки полупроводниковых приборов н повышение точности воспроизведени . Согласно снособу последовательно измен ют электрический режим полупроводникового р-«-перехода. При этом регистрируют последовательность значений напр жени  и тока. После этого наход т эталонные значени  напр жени  по расчетной формуле, приведенной в тексте описани . Дл  этого переход помешают в тепловой контакт с контейнером , наполненным рабочим веществом в состо нии фазового перехода первого рода. Выделенна  идеализированна  часть воспроизводимых значений напр жени  зависит только от фундаментальных констант и  влени  фазового перехода, что позвол ет осуществить самокалибровку значени  напр жени . 2 з.п.ф-лы, 1 ил. иThe invention relates to electrodynamics technique and allows the reproduction of nominal voltage values. The purpose of the invention is to improve the implementation of the method by eliminating the need for additional operations of selecting, calibrating and calibrating semiconductor devices and improving reproduction accuracy. According to the snoot, the electric mode of the p -> junction semiconductor is sequentially changed. A sequence of voltage and current values is recorded. After that, the reference voltage values are determined according to the calculation formula given in the description text. For this, the transition is prevented from thermal contact with the container filled with the working substance in the state of a first-order phase transition. The selected idealized part of the reproducible voltage values depends only on the fundamental constants and phenomena of the phase transition, which allows self-calibration of the voltage value. 2 hp ff, 1 ill. and

Description

4ii го4ii go

оabout

СПSP

0505

0505

Изобретение относитс  к технике измерений электрических величин и может быть использовано в качестве способа воспроизведени  номинального значени  напр жени .The invention relates to a technique for measuring electrical quantities and can be used as a method for reproducing a nominal voltage value.

Цель изобретени  - упрощение реализации способа путем устранени  необходимости в дополнительных операци х отбора, калибровки и поверки переходов и повышение точности.The purpose of the invention is to simplify the implementation of the method by eliminating the need for additional operations of selection, calibration and calibration of transitions and increase accuracy.

На чертеже представлена электрическа  схема, иллюстрирующа  предлагаемый способ.The drawing shows an electrical diagram illustrating the proposed method.

Основной (эмиттерно-базовый) р-п и дополнительный коллекторный р-п переходы образуют бипол рный транзистор 1, который помещают в тепловой контакт с контейнером , наполненным рабочим веществом при реперной температуре, например, в тройной точке. Блок 2 задани  электрического режима соединен с цеп ми трех электродов транзистора 1 (коллекторной, базовой и эмиттерной). Прибор 3, регистрирующий значени  тока коллекторного перехода, включен последовательно в цепь коллектора транзистора 1. Прибор 4, регистри- . рующий значени  второй составл ющей тока основного перехода (тока базы транзистора ) |,, включен последовательно в цепь базы транзистора 1. Прибор 5, регистрирующий значени  напр жени  на основном переходе (J,, включен параллельно основному переходу эмиттер - база транзистора 1.The main (emitter-base) pn and additional collector pn junctions form a bipolar transistor 1, which is placed in thermal contact with a container filled with a working substance at a reference temperature, for example, at a triple point. The electrical mode setting unit 2 is connected to the circuits of the three electrodes of transistor 1 (collector, base, and emitter). The device 3, which records the values of the collector junction current, is connected in series to the collector circuit of transistor 1. Device 4, register-. The second component of the main junction current (base current of the transistor) | is connected in series to the base circuit of transistor 1. Device 5, which records the voltage values on the main junction (J, is connected parallel to the main junction emitter - base of transistor 1.

Способ осуществл етс  следующим образом .The method is carried out as follows.

Блок 2 задает последовательность значений напр жени  (7,, т. е. выполн ет функцию источника напр жени , при-этом напр жение на коллекторном переходе поддерживаетс  посто нным, например, равным нулю . Приборы 3-5 регистрируют последовательность значений J,-, /,-, (7,-, ,...,. На основе полученных значений наход т ре- щение системы четырех уравнений с четырьм  неизвестными параметрами , а, сг, аз, причем дл  определенности, пусть m фиксировано и равно Unit 2 sets the sequence of voltage values (7 ,, i.e., performs the function of a voltage source, and at this voltage at a collector junction is kept constant, for example, equal to zero. Instruments 3-5 record the sequence of values J, -, /, -, (7, -,, ...,. Based on the obtained values, the solution of a system of four equations with four unknown parameters is found, a, cr, az, and for definiteness, let m be fixed and equal to

L v -/7,Ti)ln(J2/Ji)+f2.; (, U,- U, flnQ, t/5-ai il)MJ.5/J,)+f5i,L v - / 7, Ti) ln (J2 / Ji) + f2 .; (, U, - U, flnQ, t / 5-ai il) MJ.5 / J,) + f5i,

а1 (Ji-Ji) -+-a2{j; -ji) -f a;i(,Jf- -/|Л) - значени  аналитической функции i, заданной, например, в виде степенно- го р да.  a1 (ji-ji) - + - a2 {j; -ji) -f a; i (, Jf- - / | Л) - values of the analytic function i, given, for example, in the form of a power series.

Реи1а  систему, наход т значение  )з и эталонные значени  напр жени  (Ui- - U, где А /г7/ег|5.The system, the value of) and the reference voltage values (U - - U, where A / g7 / er | 5.

Таким образом, предлагаемый способ сводитс  к выделению идеализированной части воспроизводимых значений и последующему масштабированию по ней целого, причемThus, the proposed method is reduced to the selection of the idealized part of the reproduced values and the subsequent scaling of the whole along it, and

00

5five

00

5five

00

5five

00

5five

о about

5 five

идеализиров анна  часть зависит только от фундаментальных физических констант и  влени  фазового перехода. Погрешность номинальных значений напр жени  состоит из погрешности определени  фундаментальных констант Кие, погрешности определени  реперной температуры Г, погрешностей регистрирующих приборов 3-5 и погрешности, завис щей от эффективности выбора вида аналитической функции f и чисел пир. Первые три составл ющие погрешности характеризуют в основном состо ние измерительной техники, причем в погрешност х ре- тистрирующих приборов существенны лишь погрешность регистрации отнощени  токов и погрешность регистрации изменени  (разности ) напр жений, т. е. несущественна мультипликативна  составл юща  погрещ- ности, а дл  разности напр жений, кроме того,- смещение нул . Последн   составл юща  погрешности может быть сделана меньше чем первые три путем эффективного выбора вида аналитической функции f и (или) увеличени  чисел п и р, в частности при + 2, примен   метод усреднени , например, метод наименьших квадратов при решении системы уравнений.the idealized part depends only on the fundamental physical constants and phase transition phenomena. The error of the nominal voltage values consists of the error of determining the fundamental constants Kie, the error of determining the reference temperature G, the error of recording devices 3-5 and the error depending on the efficiency of choosing the type of analytical function f and the numbers of peers. The first three components of the errors mainly characterize the state of the measuring equipment, and in the errors of the measuring devices, only the error of the current ratio and the error of the change (difference) in the voltages are significant, i.e. the multiplicative component of the error, and for the difference in voltages, moreover, the offset is zero. The latter component of the error can be made less than the first three by effectively choosing the type of analytical function f and (or) increasing the numbers n and p, in particular for + 2, using the averaging method, for example, the least squares method when solving a system of equations.

Примерно эквивалентные характеристики могут быть получены в разновидности способа - При задании электрического режима в виде задани  значений тока , т. е. при работе блока 2 в качестве источника тока коллекторного перехода, при этом по-прежнему на коллекторном переходе поддерживаетс  посто нное напр жение, например , равное- нулю. При необходимости получени  заданных, например, целочисленных значений напр жени , может быть произведена подстройки режимов в блоке 2.Approximately equivalent characteristics can be obtained in a variation of the method — When setting the electrical mode in the form of setting current values, i.e., when unit 2 operates as a current source of a collector junction, a constant voltage is still maintained at the collector junction, for example equal to zero. If it is necessary to obtain specified, for example, integer voltage values, the modes can be adjusted in block 2.

Таким образом, предлагаемый способ позвол ет воспроизводить эталонные значени  напр жени  без отбора полупроводниковых приборов, их калибровки и поверки по другим мерам напр жени  или эталоном, что позвол ет повысить точность, надежность и расширить диапазон применени  прецизионной электроизмерительной техники.Thus, the proposed method allows reproducing reference voltages without selecting semiconductor devices, calibrating them and calibrating with other voltage measures or a standard, which improves accuracy, reliability and extends the range of application of precision electrical measuring equipment.

Claims (3)

Формула изобретени Invention Formula . Способ воспроизведени  номинального значени  напр жени , заключающийс  в том, что задают ток через смещенный в пр мом направлении р-п-переход и регистрируют напр жение на нем, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  реализации способа путем устранени  необходимости отбора, поверки и калибровки переходов , а также повышени  точности, п раз последовательно измен ют ток через р-п-переход , регистрируют последовательность значений напр жени  L , и тока /,: ,ит,,1п.(), после чего определ ют номинальное значение напр жени  по. A method of reproducing a nominal voltage, comprising setting a current through a forward-shifted pn junction and recording a voltage across it, characterized in that, in order to simplify the implementation of the method by eliminating the need for sampling, calibration and calibration transitions, as well as increases in accuracy, sequentially change the current through the pn-junction, register the sequence of values of voltage L, and current / ,:, it ,, 1n (), then determine the nominal value of voltage формулеformula 1/,:;,Л(,-(;Д Mm,1 /,:;, Л (, - (; Д Mm, где А - калибровочный коэффициент, опре- -5 дел емый по формуле Лг /СГ/ет ;; - посто нна  Больцмана;where A is the calibration factor, determined by -5 divided by the formula Ar / CI / et ;; - constant Boltzmann; / е Т/ e T зар д электрона;electron charge; абсолютна  температура перехода;absolute transition temperature; параметр, который определ ют ре- Юthe parameter that is determined by шением системы п-1 уравнений сsolving a system of p-1 equations with неизвестными р, а,...,а unknown p, a, ..., a (р-()(R-() {U,-U„,ln(-)+f,},{U, -U „, ln (-) + f,}, где (//,/m,JiJm, oi... Op) значени  заданной аналитической функции f значений токаwhere (//, / m, JiJm, oi ... Op) values of a given analytical function f current values и параметров а...ар;and parameters a ... ap; J, и Ui - значени  тока и напр жен-и , соответствующие идеализированной -вольт- амперной характеристике переходаJ and Ui are the values of current and voltage, corresponding to the idealized –volt-ampere characteristic of the junction Uiи -1(1 InJiL/m-g in-jUi -1 (1 InJiL / m-g in-j 2.Способ ПО П. I, отличающийс  тем, что регистрируют значени  составл ющей тока неосновных носителей /„с помощью дополнительного коллекторного р-п-перехода и принимают .2. Software method P.I., characterized in that the values of the component of the current of minority carriers are recorded by means of an additional collector pn-junction and are received. 3.Способ по пп. 1 и 2, отличающийс  тем, что регистрируют значени  составл ющей тока перехода3. Method according to paragraphs. 1 and 2, characterized in that the component values of the transition current are recorded /,/.-J,/,/.-J,
SU864040050A 1986-03-21 1986-03-21 Method of reproducing nominal voltage value SU1420566A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864040050A SU1420566A1 (en) 1986-03-21 1986-03-21 Method of reproducing nominal voltage value

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864040050A SU1420566A1 (en) 1986-03-21 1986-03-21 Method of reproducing nominal voltage value

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1420566A1 true SU1420566A1 (en) 1988-08-30

Family

ID=21227523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864040050A SU1420566A1 (en) 1986-03-21 1986-03-21 Method of reproducing nominal voltage value

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1420566A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Из.мерительна техника, 1981, № 3, с. 49. Додик С. Д.Полупроводниковые стабилизаторы посто нного напр жени и тока. М.: Сов. радио, 1980, с. 12. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4189778A (en) Method and instrumentation for the measurement of parameters of system devices
SU1420566A1 (en) Method of reproducing nominal voltage value
Souders et al. A wideband sampling voltmeter
CN110958050B (en) Method and system for testing sub-extinction ratio of IQ modulator
SU1626220A1 (en) Method for measuring structure temperature of reverse conducting dynistors
SU1608539A1 (en) Apparatus for measuring thermo-emf of filamentary crystals
RU2229692C2 (en) Procedure establishing temperature
SU817596A1 (en) Device for reproducing high-frequency ac voltage
JPH05203697A (en) Method for measuring and extracting junction capacitance of transistor
SU408238A1 (en) METHOD OF MEASURING THE RESISTANCE OF ISOLATION
SU1114991A1 (en) Method of determination of current localization degree in transistor
Zupunski et al. Power-factor calibrator
SU1465783A1 (en) All-purpose a.c. digital circuit
SU1191807A1 (en) Method of zero temperature compensation of thermoconductivitymetering gas analyser
SU714261A1 (en) Method of determining curie point in ferrosemiconductors of a5 b6 c7 type
SU857889A1 (en) Method of measuring charge carrier energy relaxation time in semiconductors
Garcia-Perez et al. Deep Level Transient Spectroscopy System
CN115902564A (en) Device and method for testing thermal resistance of photoelectric detector
CN115714081A (en) Ion scanning method, device and system based on quadrupole mass spectrometer
Verster Silicon planar epitaxial transistors as fast and reliable low-level switches
SU1112286A2 (en) Digital measuring instrument
RU2206900C1 (en) Technique measuring thermal resistance of two-terminal networks
King et al. Some simple modifications to the LKB 9000S to achieve improved selected ion monitoring and repetitive scanning performance
SU114606A1 (en) The method of measuring the slope and the internal resistance of the radio tubes
CN117007930A (en) Power silicon carbide switching device loss measurement method based on temperature measurement