SU160829A1 - - Google Patents
Info
- Publication number
- SU160829A1 SU160829A1 SU785811A SU785811A SU160829A1 SU 160829 A1 SU160829 A1 SU 160829A1 SU 785811 A SU785811 A SU 785811A SU 785811 A SU785811 A SU 785811A SU 160829 A1 SU160829 A1 SU 160829A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- temperature
- single crystals
- germanium
- silicon
- filamentary
- Prior art date
Links
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Description
В насто щее врем при выращивании нитевидных монокристаллов металлов и полунроводников из паровой фазы путем термического разложени их галоидов в качестве компонента-растворител используют в основном йод.
Согласно предлагаемому способу, который отличаетс тем, что выращивание монокристаллов германи производ т при температуре исходного вещества 850-900°С и температуре зоны кристаллизации , а выращивание монокристаллов кремни - при температуре исходного вещества 1150°С и температуре во кы кристаллизации 850-900С°, - в качестве компонента-растворител используют бром, давление паров которого при температуре процесса составл ет 3-4 атм.
В результате в качестве основного продукта получают нитевидные монокристаллы германи и кремни диаметром 1-20 мк с высокой стененью совершенства структуры.
Осуществление способа. Навески исходного германи или кремни и брома помещают в ббльщую часть кварцевой ампулы с перет жкой . Затем ампулу опускают в жидкий азот, откачивают до давлени мм рт. ст. и отпаивают. Запа пную ампулу помещают в двухзопную печь так, что часть ампулы с навесками выдерживаетс при температуре дл кремни и 850-900°С дл германи . Давление паров компонента-растворител при этих температурах составл ет 3-4 атм. Другой конец ампулы поддерживаетс при
температуре 850-ЭОО С дл кремни п 600°С дл германи .
В результате создаваемого- перепада температур .между част ми ампулы в холодном конце ее из паровой фазы выпадает сначала слой поликристаллического осадка, состо щего из многих мелких монокристаллов, а затем на этом слое, как на подложке, вырастают как отдельные монокристаллы, так и сростки и кисти нитевидных монокристаллов. Вследствие концентрации примесей в поликристаллическом слое выращенные нитевидные монокристаллы более чисты, чем исходное вещество . Они имеют чистую, ровную поверхность и значительную механическую прочность.
Предмет изобретени
Способ выращивани нитевидных монокристаллов германи и кремни из паровой фазы с использованием галоида в качестве компонента-растворител , отличающийс тем, что, с целью получени нитевидных монокристаллов германи и кремни диаметром 1 - 20 мк, выращивание монокристаллов германи производ т при температуре исходного вещества 850-900 С и температуре зоны кристаллизации 600°, а выращивание монокристаллов кремни - при температуре исходного вещества и температуре зоны кристаллизации 850-900°С, причем в качестве компонента-растворител используют бром, давление паров которого при температуре процесса составл ет 3-4 атм.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU160829A1 true SU160829A1 (ru) |
Family
ID=
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4661335A (en) * | 1982-07-26 | 1987-04-28 | Rhone-Poulenc Specialites Chimiques | Novel silicon powder having high purity and density and method of making same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4661335A (en) * | 1982-07-26 | 1987-04-28 | Rhone-Poulenc Specialites Chimiques | Novel silicon powder having high purity and density and method of making same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5146310B2 (ja) | 液相成長法によるZnO単結晶の製造方法 | |
JP4419937B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
KR101666596B1 (ko) | SiC 단결정 및 그 제조 방법 | |
US7520930B2 (en) | Silicon carbide single crystal and a method for its production | |
KR100845946B1 (ko) | SiC 단결정 성장방법 | |
Wajda et al. | Epitaxial growth of silicon | |
James et al. | Silicon whisker growth and epitaxy by the vapour-liquid-solid mechanism | |
SU160829A1 (ru) | ||
Jacquier et al. | On the growth of 4H–SiC by low-temperature liquid phase epitaxy in Al rich Al–Si melts | |
KR101767295B1 (ko) | 단결정 탄화규소 액상 에피택셜 성장용 시드재 및 단결정 탄화규소의 액상 에피택셜 성장 방법 | |
EP1498518A1 (en) | Silicon carbide single crystal and method for preparation thereof | |
Bhalla et al. | Crystal growth of antimony sulphur iodide | |
JPH0329037B2 (ru) | ||
JP4184622B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
SU1710604A1 (ru) | Способ эпитаксиального выращивани монокристаллических слоев кубического S @ С | |
RU2315134C1 (ru) | Способ выращивания объемных монокристаллов хризоберилла и его разновидностей | |
JP5724124B2 (ja) | 単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材及び単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長方法 | |
RU2818932C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GaAs) | |
JPS6152119B2 (ru) | ||
JPH10152393A (ja) | バルク結晶の成長方法及びバルク結晶成長用種結晶 | |
JP2002241199A (ja) | ZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法およびZnTe系化合物半導体単結晶 | |
JP2000154097A (ja) | SiC結晶の液相エピタキシャル成長方法 | |
JPS6117489A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
SU253778A1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов карбидакремния | |
US4371420A (en) | Method for controlling impurities in liquid phase epitaxial growth |