SU160829A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU160829A1
SU160829A1 SU785811A SU785811A SU160829A1 SU 160829 A1 SU160829 A1 SU 160829A1 SU 785811 A SU785811 A SU 785811A SU 785811 A SU785811 A SU 785811A SU 160829 A1 SU160829 A1 SU 160829A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
temperature
single crystals
germanium
silicon
filamentary
Prior art date
Application number
SU785811A
Other languages
English (en)
Publication of SU160829A1 publication Critical patent/SU160829A1/ru

Links

Description

В насто щее врем  при выращивании нитевидных монокристаллов металлов и полунроводников из паровой фазы путем термического разложени  их галоидов в качестве компонента-растворител  используют в основном йод.
Согласно предлагаемому способу, который отличаетс  тем, что выращивание монокристаллов германи  производ т при температуре исходного вещества 850-900°С и температуре зоны кристаллизации , а выращивание монокристаллов кремни  - при температуре исходного вещества 1150°С и температуре во кы кристаллизации 850-900С°, - в качестве компонента-растворител  используют бром, давление паров которого при температуре процесса составл ет 3-4 атм.
В результате в качестве основного продукта получают нитевидные монокристаллы германи  и кремни  диаметром 1-20 мк с высокой стененью совершенства структуры.
Осуществление способа. Навески исходного германи  или кремни  и брома помещают в ббльщую часть кварцевой ампулы с перет жкой . Затем ампулу опускают в жидкий азот, откачивают до давлени  мм рт. ст. и отпаивают. Запа пную ампулу помещают в двухзопную печь так, что часть ампулы с навесками выдерживаетс  при температуре дл  кремни  и 850-900°С дл  германи . Давление паров компонента-растворител  при этих температурах составл ет 3-4 атм. Другой конец ампулы поддерживаетс  при
температуре 850-ЭОО С дл  кремни  п 600°С дл  германи .
В результате создаваемого- перепада температур .между част ми ампулы в холодном конце ее из паровой фазы выпадает сначала слой поликристаллического осадка, состо щего из многих мелких монокристаллов, а затем на этом слое, как на подложке, вырастают как отдельные монокристаллы, так и сростки и кисти нитевидных монокристаллов. Вследствие концентрации примесей в поликристаллическом слое выращенные нитевидные монокристаллы более чисты, чем исходное вещество . Они имеют чистую, ровную поверхность и значительную механическую прочность.
Предмет изобретени 
Способ выращивани  нитевидных монокристаллов германи  и кремни  из паровой фазы с использованием галоида в качестве компонента-растворител , отличающийс  тем, что, с целью получени  нитевидных монокристаллов германи  и кремни  диаметром 1 - 20 мк, выращивание монокристаллов германи  производ т при температуре исходного вещества 850-900 С и температуре зоны кристаллизации 600°, а выращивание монокристаллов кремни  - при температуре исходного вещества и температуре зоны кристаллизации 850-900°С, причем в качестве компонента-растворител  используют бром, давление паров которого при температуре процесса составл ет 3-4 атм.
SU785811A SU160829A1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU160829A1 true SU160829A1 (ru)

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4661335A (en) * 1982-07-26 1987-04-28 Rhone-Poulenc Specialites Chimiques Novel silicon powder having high purity and density and method of making same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4661335A (en) * 1982-07-26 1987-04-28 Rhone-Poulenc Specialites Chimiques Novel silicon powder having high purity and density and method of making same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5146310B2 (ja) 液相成長法によるZnO単結晶の製造方法
JP4419937B2 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
KR101666596B1 (ko) SiC 단결정 및 그 제조 방법
US7520930B2 (en) Silicon carbide single crystal and a method for its production
KR100845946B1 (ko) SiC 단결정 성장방법
Wajda et al. Epitaxial growth of silicon
James et al. Silicon whisker growth and epitaxy by the vapour-liquid-solid mechanism
SU160829A1 (ru)
Jacquier et al. On the growth of 4H–SiC by low-temperature liquid phase epitaxy in Al rich Al–Si melts
KR101767295B1 (ko) 단결정 탄화규소 액상 에피택셜 성장용 시드재 및 단결정 탄화규소의 액상 에피택셜 성장 방법
EP1498518A1 (en) Silicon carbide single crystal and method for preparation thereof
Bhalla et al. Crystal growth of antimony sulphur iodide
JPH0329037B2 (ru)
JP4184622B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
SU1710604A1 (ru) Способ эпитаксиального выращивани монокристаллических слоев кубического S @ С
RU2315134C1 (ru) Способ выращивания объемных монокристаллов хризоберилла и его разновидностей
JP5724124B2 (ja) 単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材及び単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長方法
RU2818932C1 (ru) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GaAs)
JPS6152119B2 (ru)
JPH10152393A (ja) バルク結晶の成長方法及びバルク結晶成長用種結晶
JP2002241199A (ja) ZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法およびZnTe系化合物半導体単結晶
JP2000154097A (ja) SiC結晶の液相エピタキシャル成長方法
JPS6117489A (ja) シリコン単結晶の製造方法
SU253778A1 (ru) Способ выращивания монокристаллов карбидакремния
US4371420A (en) Method for controlling impurities in liquid phase epitaxial growth