SU1606952A1 - Оптический фильтр - Google Patents

Оптический фильтр Download PDF

Info

Publication number
SU1606952A1
SU1606952A1 SU874347708A SU4347708A SU1606952A1 SU 1606952 A1 SU1606952 A1 SU 1606952A1 SU 874347708 A SU874347708 A SU 874347708A SU 4347708 A SU4347708 A SU 4347708A SU 1606952 A1 SU1606952 A1 SU 1606952A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
optical filter
devices
substrate
nickel
corundum
Prior art date
Application number
SU874347708A
Other languages
English (en)
Inventor
Инесса Антоновна Жижейко
Евгений Андреевич Федоров
Original Assignee
Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова
Специальное Конструкторское Бюро Рентгеновского И Кристаллографического Приборостроения С Экспериментальным Производством Института Кристаллографии Им.А.В.Шубникова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова, Специальное Конструкторское Бюро Рентгеновского И Кристаллографического Приборостроения С Экспериментальным Производством Института Кристаллографии Им.А.В.Шубникова filed Critical Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова
Priority to SU874347708A priority Critical patent/SU1606952A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1606952A1 publication Critical patent/SU1606952A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к устройствам, предназначенным дл  фильтрации оптического излучени , и может быть использовано в приборах различного назначени  в радио- и электронной технике. Изобретение позвол ет расширить область поглощени  до 450 - 500 нм. Фильтр содержит подложку, выполненную из корунда, легированного никелем в трехвалентном состо нии в количестве 0,5.10-2 - 5.102 мас.%, и нанесенную на поверхность подложки пленку алюмината кобальта. 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к устройствам , предназначенным дл  фильтрации оптического излучени , и может быть ;использовано в приборах различного назначени  в радио- и электронной технике.
Целью изобретени   вл етс  расширение области поглощени  до 450- 500 нм.
На чертеже представлена спект- рапьна  характеристика предлагаемого оптического фильтра.
Фильтр состоит из подложки толщиной 2 мм, вьполнённой из кристалла корунда (), содержащего в качестве легирующей добавки 1, 5 .S никел  в трехвалентном состо нии, с нанесенной на него пленкой алюми- .
ната кобальта () толщиной 0,6 мкм.
Алюминат кобальта (), ис- попьзуемый в качестве пленки, харак- .теризуетс  температурой плавлени  Т955°С, твердостью 8 по шкале Мооса, шириной полосы максимального поглощени  580 нм.
Корунд (), легированный трехвалентным никепем (Ni) , характеризуетс  температурой плавлени  2030 С твердостью 9 по шкале Мооса, плотностью 4 г /см- и поглощением в УФ области спектра.
Предлагаемый оптический фильтр характеризуетс  .сильным поглощением в УФ и ближней к ней части видимой области спектра (Д 2,5-3).
О)
о
Cft
со сд tc
и ар мула изобретений Оптический фильтр преимущественно дл  высокотемпературных и агрессивных сред содержащий подложку на основе сапфира С нанесенной на её поверхность пленкой алюмината
кобальта, отличающийс  тем, что, с целью расширени  области поглощени  до 450-500 нм, подложка выполнена из корунда, легированного никепем в трехвалентном состо нии в количестве 0, 5-102 мас.%.
90
80
70
60
150
|4 §
10
200
JOO
Редактор Е.Копча
Составитель Н.Киреева Техред М.Дидык
Заказ 3549
Тираж 464
ВНИШИ Государственного комитета по изобретени м и открыти м при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35,-Раушска  наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат Патент, г.Ужгород, ул. Гагарина,101
д50 00500 600 700 800 SOO
Корректор С,Черни
Подписное

Claims (1)

  1. Φα ρ м у л а изобретений Оптический фильтр преимущественно для высокотемпературных и агрессивных сред, содержащий подложку на основе сапфира t нанесенной на её поверхность пленкой алюмината кобальта, отличающийся тем, что, с целью расширения области поглощения до 450-500 нм, подложка выполнена из корунда, легированного никелем в трехвалентном состоянии в количестве 0,5>10~г- 5 -102 мас.%.
SU874347708A 1987-11-17 1987-11-17 Оптический фильтр SU1606952A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874347708A SU1606952A1 (ru) 1987-11-17 1987-11-17 Оптический фильтр

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874347708A SU1606952A1 (ru) 1987-11-17 1987-11-17 Оптический фильтр

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1606952A1 true SU1606952A1 (ru) 1990-11-15

Family

ID=21343958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874347708A SU1606952A1 (ru) 1987-11-17 1987-11-17 Оптический фильтр

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1606952A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1217211, кл. G 02 В 5/20, 1967. Авторское свидетельство СССР № 1196791, кл. G 02 В 5/20, 1983. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Lu et al. Enhanced stabilization of inorganic cesium lead triiodide (CsPbI 3) perovskite quantum dots with tri-octylphosphine
Pauporté et al. Hydrogen peroxide oxygen precursor for zinc oxide electrodeposition I. Deposition in perchlorate medium
Kenanakis et al. Growth of c-axis oriented ZnO nanowires from aqueous solution: the decisive role of a seed layer for controlling the wires’ diameter
Inbaraj et al. Optical and structural properties of Mg doped ZnO thin films by chemical bath deposition method
DE1251287C2 (de) Verfahren zur herstellung von nichtporoesem siliciumnitrid
Ali et al. Structural and optical properties of pure and Ag doped ZnO thin films obtained by sol gel spin coating technique
JP2008230895A (ja) ZnOウィスカー、ZnOウィスカー膜及びそれらの作製方法
Yu et al. Evolutions of composition, microstructure and optical properties of Mn-doped pyrite (FeS2) films prepared by chemical bath deposition
Khan et al. Tungsten dopant incorporation for bandgap and type engineering of perovskite crystals
SU1606952A1 (ru) Оптический фильтр
Prabeesh et al. CZTS films from three different routes: crystallite size-dependent properties
Jana et al. Optical characterization of in-situ generated Cu2O excitons in solution derived nano-zirconia film matrix
Torres‐Delgado et al. Percolation mechanism and characterization of (CdO) y (ZnO) 1–y thin films
Sahraei et al. Antireflective and nanocolumnar-shaped Mn: ZnO films grown by chemical bath deposition
Kamiya et al. Formation of α-alumina around 500° C in alkoxy-derived alumina gels under ambient pressure—effects of starting solution composition and seeding
Ananthi et al. Growth and characterization of doped ADP crystal
Ammar et al. The Effect of TSC and Nickel Doping on SnS Thin Films
Sahoo et al. Hydrothermal synthesis, structural and optical investigations of undoped and Mg doped ZnO nanorods
Korir et al. The effect of oxygen pressure on the structural and photoluminescence properties of pulsed laser deposited (Y-Gd) 3 Al 5 O 12: Ce 3+ thin films
Bhosale et al. Effect of etching on current and optical density for WO3 thin film
Ashokkumar et al. Temperature-induced modification on the structural, optical and morphological properties of Zn 0.96 Cu 0.04 O nanoparticles
RU2298531C1 (ru) Способ получения рефлекторных металлооксидных покрытий (варианты)
Isac et al. Growth and characterization of rare-earth mixed single crystals of samarium barium molybdate
Gavale et al. Band Gap Engineering in Spray Pyrolysis Grown Nanocrystalline NiO Thin Films by Fe Doping
Filevska Luminescence of nanoscale tin dioxide. Review