SU1589385A1 - Генератор импульсов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к электронике и может быть использовано в генераторах различного назначени , а также в магнитно-модул ционных устройствах. Целью изобретени   вл етс  улучшение формы выходных импульсов генератора при одновременном повышении КПД генератора. Генератор импульсов содержит трансформатор 1, ключи 2 и 3, конденсаторы 4 и 5, дополнительные ключи 6 и 7, диоды 8 - 13, резисторы 14 и 15. Транзисторные ключи 2 и 3 включены по схеме с общим эмиттером и имеют нагрузкой первичную обмотку трансформатора. Предложенный генератор можно использовать по схеме с противоположной пол рностью полупроводниковых элементов и источника питани . При этом транзисторы могут быть выбраны с допустимым напр жением, намного превышающим напр жение питани . 1 ил.

Description

Изобретение относится -к электротехнике и может быть использовано в генераторах различного назначения,а также в магнитомодуляционных устрой- j ствах.

Цель изобретения - улучшение формы выходных импульсов генератора' при одновременном Повышении КПД генератора. 10

На чертеже представлена принципиальная схема магнитотранзисторного генератора с подключенной к нему схемой защиты транзисторров от перенапряжений. 15

Устройство состоит из трансформатора 1, ключей 2 и 3, конденсаторов 4 и 5, дополнительных транзисторных ключей 6 и 7, диодов 8-1(3. и резисторов 14 и 15. 20

Транзисторные ключи. 2 и 3 включены по схеме с общим эмиттером и имеют в качестве нагрузки первичную об;мотку трансформатора 1. К'коллекторам! транзисторных ключей 2 и 3 и к соеди-;25 ненным вместе диодам 8 и 9 и коллекторам введенных транзисторных ключей 6 и 7 подключены конденсаторы 4 и 5. Дополнительные транзисторные ключи 6 и 7 своими общими электродами под- 39 ключены в общей шине, к которой подключены диоды 8 и 9. Базбэмиттерные переходы всех транзисторных ключей шунтированы диодами 10-13..Обмотка обратной связи трансформатора 1 че~ рез резисторы 14 и 15 присоединена.

к управляющим электродам транзисторных ключей 2,3, 6 и 7.

При включении напряжения-питания транзисторные ключи 2 и 3 под 'дейст- 49 вием напряжения обмотки положительной обратной связи трансформатора 1 переключаются. При закрывании этих транзисторных ключей на их коллекторах, возникают импульсы напряжения удвоен- 45 ной по отношению к источнику питания амплитуды и наложенные на них имцульсы перенапряжения, которые заряжают конденсаторы 4 и 5 через диоды 8 и 9. После спада импульсов перенапряжения 59

Составитель диоды 8 и 9 закрываются превосходящем напряжением конденсаторов 4 и 5. Однако благодаря тому, что дополнительные транзисторные ключи в данном полуПериоде открыты, происходит разряд конденсаторов 4 и 5 на первичную обмотку трансформатора 1 и, таким образом, энергия импульсов перенапряжения возвращается, что повышает КПД генератора.

Схему можно использовать и с противоположной полярностью полупроводниковых элементов и источника питания. При этом транзисторы могут быть выбраны с допустимым напряжением не намного превышающим напряжение питания.

Claims (1)

1. Формула изоб. ретения

   Генератор импульсов, содержащий трансформатор с первичной обмоткой, имеющей вывод от средней точки, соединенный с одной шиной питания и с обмоткой обратной связи, первый и второй выводы первичной обмотки тран- · сформагора соответственно через коллекторно-эмиттерные переходы первого и второго основных транзисторов подключены к общей шине, являющейся второй шиной питания, конденсатор, резисторы, два диода, отличающийс я тем, что, с целью улучшения формы выходных импульсов и увеличения КПД генератора, в него введены два транзистора противоположного основным транзисторам типа проводимости,конденсатор, четыре диода, причем каждый конденсатор подключен между коллекторами соответствующих основного и до- полнительного транзисторов, параллельно коллекторно-эмиттерным переходам дополнительных транзисторов включены диоды в обратном направлении, эмиттеры дополнительных транзисторов подключены к общей шине, параллельно база-эмиттерным переходам всех транзисторов включены диоды в обратном направлении, базы всех транзисторов через резисторы подключены к соответствующим выводам обмотки обратной связи.