SU1637019A1 - Силовой транзисторный ключ с размыканием эмиттера - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в импульсных стабилизаторах и преобразовател х с повышенным входным напр жением . Цель изобретени  - повышение КПД. Устройство содержит транзисторы 1 и 2, резистор 3. Дл  достижени  поставленной цели введены трансформатор 5 тока, конденсатор 6, диод 7 и цепочка 4 из п последовательно соединенных диодов Исключение дополнительного источника питани  и обеспечение возможности управлени  по общей шине позвол ет примен ть в устройстве пропорционально токовое управление, которое характеризуетс  существенным снижением потребл емой мощности. 1 ил.

Description

О

w J

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в импульсных стабилизаторах и преобразовател х с повышенным входным напр жением .

Цель изобретени  - повышение КПД.

На чертеже представлена принципиальна  схема транзисторного ключа.

Ключ содержит высоковольтный 1 и низковольтный 2 транзисторы, резистор 3, цепочку 4 из п последовательно соединенных диодов, трансформатора 5 тока, конденсатор 6, диод 7. Транзисторы 1 и 2 соединены последовательно , эмиттер транзистора 2 подключен к общей шине 8, коллектор транзистора 1 через первичную обмотку трансформатора 5 подключен к выходной шине 9, первый вывод вторичной обмотки трансформатора 5 подключен к эмиттеру транзистора 2, а второй вывод - к точке соединени  первых выводов конденсатора 6 и диода 7, вторые выводы которых соединены с базой транзистора 1, конденсатор 6 и диод 7 соединены параллельно, база транзистора 1 соединена с шиной 10 управлени  и через цепочку 4 - с базой транзистора 2, резистор 3 включен между базой и эмиттером транзистора 2.

Силовой транзисторный ключ с размыканием эмиттера работает следующим образом,

В исходном состо нии ключ заперт. При подаче на базу транзистора 1 кратковременного импульса напр жени  положительной пол рности от шины 10 отпираютс  низковольтный 2 и высоковольтный 1 транзисторы и через первичную обмотку трансформатора 5 тока начинает протекать ток. При этом благодар  наличию положительной обратной св зи (трансформатор 5, конденсатор 6, диод 7) транзисторный ключ сам поддерживает свое открытое состо ние. При этом транзистор 1 насыщен, а транзистор 2 находитс  в ненасыщенном режиме.

Запирание ключа производитс  путем замыкани  базы высоковольтного транзистора 1 с эмиттером низковольтного транзистора 2 (шины 8 и 10),

0

0

при этом запираетс  ненасыщенный v низковольтный транзистор 2 и прекращаетс  протекание тока эмиттера высоковольтного транзистора 1. Ток рассасывани  зар дов, накопленных в базе высоковольтного транзистора 1, протекает через замкнутые шины 8 и 9 базы высоковольтного транзистора 1 и эмиттера низковольтного транзистора 2. По окончании процессов рассасывани  и спада тока силовой транзисторный ключ с размыканием эмиттера оказываетс  в запертом состо нии.

Таким образом, исключение дополнительного источника питани  и обеспечение возможности управлени  по общей шине позволило применить в силовом ключе с размыканием эмиттера пропорцибнально-токовое управление, характеризующеес  существенным снижением потребл емой мощности.

Claims (1)

1. 25 Формула изобретени 

   Силовой транзисторный ключ с размыканием эмиттера, содержащий последовательно соединенные высоковольтный и низковольтный транзисторы, эмиттер низковольтного транзистора подключен к общей шине, между базой и эмиттером низковольтного транзистора включен резистор, отличающийс  тем, что, с целью повышени  КПД, введен трансформатор тока, диод, конденсатор и цепочка последовательно соединенных п диодов, котора  включена между базами низковольтного и высоковольтного транзисторов , коллектор высоковольтного транзистора соединен с первым выводом первичной обмотки трансформатора тока, второй вывод которой соединен с выходной шиной, первый вывод вторичной обмотки трансформатора тока соединен с эмиттером низковольтного транзистора, а второй вывод - с точкой соединени  первых выводов конденсатора и диода, которые соединены параллельно и вторыми выводами подключены к базе высоковольтного транзистора , котора  соединена с шиной управлени .

   0

   5

   0

   5

   0