SU1555400A1 - Устройство дл получени монокристаллических слоев - Google Patents

Abstract

Изобретение может быть использовано дл  создани  полупроводниковых приборов и обеспечивает получение слоев с идентичными параметрами на двух противоположных сторонах подложки. Устройство содержит вакуумную камеру с испарителем. Над испарителем размещены два тепловых дефлектора, соединенные с испарителем паропроводами. Между собой паропроводы соединены горизонтальной трубкой, в которой размещена подложка. Дефлекторы закреплены шарнирно с возможностью изменени  угла наклона в вертикальной и горизонтальной плоскост х. 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к полупроводниковой технике и может быть использовано дл  создани  полупроводниковых приборов.

Целью изобретени   вл етс  получение слоев с идентичными параметрами на двух противоположных сторонах подложки .

На чертеже представлено устройство , общий вид.

Устройство содержит несущее основание 1, на котором закреплена рамка 2 из измерительной стали, Рамка 2 выполнена раздвижной в вертикальном и горизонтальном направлени х и служит дл  изменени  относительного расположени  и креплени  на ней узлов устройства . На основании 1 установлен испаритель 3 с испар емым веществом, подогреваемый спиралью 4. Устройство снабжено двум  тепловыми дефлекторами 5, соединенными с испарителем 3 при помощи паропроводов 6. Последние соединены между собой горизонтальной

трубкой 7, в которой на равном pact- сто нии от дефлекторов 5 размещена подложка 8, снабженна  нагревателем 9. Трубка 7 имеет индивидуальный нагрев. Каждый тепловой дефлектор 5 имеет сферическую отражающую поверхность,. выполненную из пластины, спираль 10, котировочные И и фиксирующие 12 винты . Креп т дефлекторы парнирно в верхней части рамки 2 с возможностью изменени  угла наклона при помощи котировочных винтов 11 как в вертикал ьнрй, так и в горизонтальной плоскост х , что позвол ет ориентировать поток частиц испар емого вещества в нужном направлении. Угловую ориентацию дефлекторов 5 осуществл ют юс- тировочными винтами 11. Рассто ние между дефлектором 5 и подложкой 8 30 мм, от испарител  3 до центра отражающей поверхности теплового дефлектора 5 60 мм. Рассто ние между элементами устройства регулируют с помощью рамки 2.

(Л

СП СП СП

Устройство работает следующим образом .

Напыл емое вещество - селен помещают в испаритель 3. Верхн    сть испарител  3 закрыта заслонкой (не показана), Все устройство помещено в вакуумную камеру (не показана), которую откачивают до давлени  остаточных газов 510 -10 мм рт.ст. Одновре- менно с откачкой производ т нагрев испарител  3 до 250°С дл  удалени  газов, содержащихс  в селене, тепловых дефлекторов 5 до 230-250°С, паропровода 6 и трубки 7 до 225°С, под- ложки 3 до 180-190°С. Температуру каждого дефлектора контролируют индивидуальными термопарами и в процессе напылени  корректируют. Подложка 8 экранирована от теплового пол  труб- ки 7. После установлени  указанных режимов температуру испарител  3 уменьшают до 220°С и открывают заслонку , начинаетс  процесс напылени .

Поток молекул и частиц испар емо- го вещества, покида  поверхность расплава , поступает по паропроводу б к дефлекторам 5, тепловое поле которых приводит к перераспределению собственной э.нергии частиц и позвол ет по- лучить усредненный по энергии и скорости молекул рный поток и направл ет его к подложке 8. Собственную энергию частиц испар емого вещества, попавших в тепловое поле дефлектора 5, можно

выразить через коэффициент аккомодации , описывающий поведение молекул рного газа вблизи нагретой поверхности Тепловым полем дефлекторов 5 можно измен ть не только энергию частиц, но и управл ть скоростью роста пленки и концентрацией молекул рного пучка и, как следствие этого, увеличивать получени  качественного, однородного по толщине монокристаллического сло . Это дает возможность использовать предлагаемое устройство дл  серийного напылени  монокристаллических слоев селена при изготовлении приборов с двум  идентичными рабочими поверхност ми . Качество монокристаллических слоев контролируют электронограммами.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Устройство дл  получени  монокрис- таллических слоев, включающее вакуумную камеру, размещенный в ней испаритель и установленную над ним подложку , снабженную нагревателем, о т- личающеес  тем, что, с целью получени  слоев с идентичными параметрами на двух противоположных сторонах подложки, устройство снабжено двум  тепловыми дефлекторами, соединенными с испарителем паропроводами и между собой горизонтальной трубкой, в которой размещена подложка на одинаковом рассто нии от дефлекторов .