SU1550617A2 - Analog switch - Google Patents

Analog switch Download PDF

Info

Publication number
SU1550617A2
SU1550617A2 SU874299974A SU4299974A SU1550617A2 SU 1550617 A2 SU1550617 A2 SU 1550617A2 SU 874299974 A SU874299974 A SU 874299974A SU 4299974 A SU4299974 A SU 4299974A SU 1550617 A2 SU1550617 A2 SU 1550617A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
analog switch
circuit
diode
power supply
source
Prior art date
Application number
SU874299974A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анатолий Соломонович Корабельник
Наталья Олеговна Корабельник
Владимир Васильевич Халтурин
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2168
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2168 filed Critical Предприятие П/Я В-2168
Priority to SU874299974A priority Critical patent/SU1550617A2/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1550617A2 publication Critical patent/SU1550617A2/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в качестве коммутатора переменных напр жений, например, в устройствах телефонии. Цель изобретени  - расширение функциональных возможностей аналогового ключа - достигаетс  путем введени  в аналоговый ключ дополнительной цепи 16, состо щей из последовательно включенных источника питани  17, резистора 18 и диода 19. Благодар  наличию источника питани  17 обеспечиваетс  открытое состо ние ключевых МДП-транзисторов 1 и 2 при малых напр жени х на входных шинах 10 и 11. В результате расшир етс  диапазон коммутируемых напр жений и диапазон коммутируемых нагрузок, в том числе низкоомных нагрузок, измен емых во врем  работы, и обеспечиваетс  работоспособность аналогового ключа при значительных сопротивлени х источника коммутируемого сигнала, т.е. расшир ютс  его функциональные возможности. Аналоговый ключ содержит также третий МДП-транзистор 3, два стабилитрона 4 и 5, два диода 6 и 7 и два резистора 8 и 9. 1 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used as a switch of alternating voltages, for example, in telephony devices. The purpose of the invention is the extension of the functionality of an analog switch - is achieved by introducing into the analog switch an additional circuit 16 consisting of a series-connected power supply 17, a resistor 18 and a diode 19. Due to the presence of the power supply 17, an open state of the key MOS transistors 1 and 2 is provided at low voltages on the input buses 10 and 11. As a result, the range of switching voltages and the range of switching loads, including low-resistance loads, varying during operation, and providing The operability of the analog switch is tested with significant resistances of the source of the switched signal, i.e. its functionality is extended. The analog switch also contains the third MOSFET 3, two Zener diodes 4 and 5, two diodes 6 and 7, and two resistors 8 and 9. 1 Il.

Description

СПSP

сдsd

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в качестве коммутатора переменных напр жений, например, в устройствах телефонии.The invention relates to a pulse technique and can be used as a switch of alternating voltages, for example, in telephony devices.

Целью изобретени   вл етс  расширение функциональных возможностей устройства, заключающеес  в расширении диапазона коммутируемых напр же- ний, в том числе коммутации малых напр жений ,, в широком диапазоне коммутируемых нагрузок и выходных сопротивлений источника сигнала путем введени  в аналоговый ключ дополнитель- ной цепи смещени , состо щей из источника питани , резистора и диода, включенного в пр мом направлении, За счет чего при коммутации малых входных напр жений или при низком сопро- тивлении нагрузки обеспечиваетс  открытое состо ние соответствующего ключевого МДП транзистора аналогово- го ключа.The aim of the invention is to expand the functionality of the device, which consists in expanding the range of switching voltages, including switching low voltages, in a wide range of switching loads and output impedances of the signal source by introducing an additional bias circuit into the analog switch power supply, resistor and diode connected in the forward direction, so that when switching small input voltages or when the load resistance is low th state of the corresponding key transistor TIR analog-th key.

II

На чертеже приведена принципиальна  схема предлагаемого аналогового ключа при использовании МДП-транзисто- ров с п-каналом.The drawing shows a schematic diagram of the proposed analog key when using MIS transistors with the p-channel.

Аналоговый ключ содержит три МДП- транзистора 1-3, два стабилитрона А и 5, два диода 6 и 7, два резистора 8 и 9, а также входные 10 и 11, выходные 12 и 13 управл ющие 14 и 15 шины и цепь 16, состо щую из последовательно соединенных источника 17 питани , резистора 18 и диода 19.The analog switch contains three MOS transistors 1-3, two Zener diodes A and 5, two diodes 6 and 7, two resistors 8 and 9, as well as input 10 and 11, output 12 and 13 control buses 14 and 15, and a circuit 16, consisting of a series-connected power supply 17, a resistor 18, and a diode 19.

Входные шины 10 и 11 соединены в каждой из фаз с катодами соответствующих диодов 6 и 7, анодами стабилиронов 4 и 5, истоками и подложками МДП-транзисторов 1 и 2. Стоки первого 1 и второго 2 МДП-транзисторов подключены к выходным шинам 12 и 13. Катоды стабилитронов 4 и 5 соединены с затворами соответственно первого 1 и второго 2 МДП-транзисторов и соответственно через первый 8 и второ 9 резисторы объединены и подключены к стоку третьего МДП-транзистора 3, исток и подложка которого подключены к общей точке первого 6 и второго 7 диодов и к первой управл ющей шине 14, а затвор которого соединен со второй управл ющей шиной 15. Цепь 16 включена между общей точкой диодов 6 и 7 и общей точкой резисторов 8 и 9. Причем источник 17 питани  и диод 19 включены в направлении отпирани The input buses 10 and 11 are connected in each of the phases with the cathodes of the corresponding diodes 6 and 7, the anodes of the stabilitrons 4 and 5, the sources and the substrates of the MOS transistors 1 and 2. The drains of the first 1 and second 2 MOS transistors are connected to the output buses 12 and 13 The cathodes of Zener diodes 4 and 5 are connected to the gates of the first 1 and second 2 MOS transistors, respectively, and through the first 8 and second 9, respectively, resistors are connected and connected to the drain of the third MOS transistor 3, whose source and substrate are connected to a common point of the first 6 and second 7 diodes and to the first control bus 14, and the gate of which is connected to the second control bus 15. A circuit 16 is connected between the common point of diodes 6 and 7 and the common point of resistors 8 and 9. Moreover, the power supply 17 and the diode 19 are turned on in the direction of unlocking

« 0 “0

5five

5 five

5five

00

первого 1 или второго 2 МДП-транзисторов .first 1 or second 2 MOS transistors.

Аналоговый ключ работает следующим образом.The analog key works as follows.

На входные шины 10 и 12 подаетс  двухпол рное напр жение, например на шину 10 поступает положительный потенциал . Первый МДП-транзистор 1 при этом работает как диод, открытый в пр мом направлении.A bipolar voltage is applied to the input busbars 10 and 12, for example, a positive potential is applied to the bus 10. The first MOS transistor 1 thus operates as a diode open in the forward direction.

В закрытом состо нии устройства на вторую управл ющую шину 15 относительно первой управл ющей шины 14 подаетс  напр жение больше, чем пороговое напр жение третьего МДП-транзистора 3, в результате чего он отпираетс . Сопротивление-этого МДП-транзистора в открытом состо нии выбираетс  много меньше, чем величина сопротивлени  резисторов 8 и 9. Поэтому даже с учетом падени  напр жени  на диоде 7 величина напр жени  затвор - исток второго МДП-транзистора 2 будет мала (меньше порогового напр жени ) и транзистор 2 будет заперт. Благодар  диодам 6 и 7 закрытое состо ние одного из МДП-транзисторов 1 или 2 обеспечиваетс  при открытом МДП-транзисторе 3 при любой пол рности и любой величине коммутируемого напр жени  на входных шинах 10 и 11. При этом закрытое состо ние соответствующего МДП-транзистора 1 или 2 обеспечиваетс  наименьшим из потенциалов на входных шинах устройства. Резистор 18 ограничивает ток в цепи 16. В открытом состо нии устройства третий МДП-транзистор 3 закрыт, дл  чего дл  транзистора с индуцированным каналом управл ющие шины 14 и 15 могут быть закорочены.In the closed state of the device, the second control bus 15 is supplied to the second control bus 14 with a voltage greater than the threshold voltage of the third MOS transistor 3, as a result of which it is unlocked. The resistance of this MOS transistor in the open state is chosen much less than the resistance value of the resistors 8 and 9. Therefore, even taking into account the voltage drop on the diode 7, the gate voltage value - the source of the second MOS transistor 2 will be small (less than the threshold voltage ) and transistor 2 will be locked. Due to diodes 6 and 7, the closed state of one of the MOS transistors 1 or 2 is provided when the MOS transistor 3 is open for any polarity and any amount of switching voltage on the input buses 10 and 11. At the same time, the closed state of the corresponding MOS transistor 1 or 2 is provided with the lowest potential at the input device tires. The resistor 18 limits the current in the circuit 16. In the open state of the device, the third MOS transistor 3 is closed, for which, for the transistor with an induced channel, the control buses 14 and 15 can be shorted.

Если величина коммутируемого напр жени  больше, чем напр жение изолированного источника 17 питани  цепи 16, то открываетс  первый стабилитрон 4, а диод 19 цепи 16 закрываетс . Потенциал первой входной шины 10 при этом передаетс  резисторы 8 и 9 на затвор второго МДП-транзистора 2 и открывает его. Через нагрузку, подключенную между выходными шинами 12 и 13, при этом протекает ток нагрузки .If the value of the switched voltage is greater than the voltage of the insulated power supply source 17 of the circuit 16, then the first Zener diode 4 is opened and the diode 19 of the circuit 16 is closed. The potential of the first input bus 10 in this case transfers the resistors 8 and 9 to the gate of the second MOS transistor 2 and opens it. Through the load connected between the output tires 12 and 13, while flowing load current.

Если величина коммутируемого напр жени ,меньше, чем напр жение источника 17, стабилитрон 4 закрываетс , а диод 19 цепи 16 открываетс  и отпирающий потенциал источника 17 rvIf the switched voltage is less than the voltage of source 17, zener diode 4 closes and diode 19 of circuit 16 opens and the unlocking potential of source 17 rv

515515

редаетс  на затвор МДЛ-транзистора 2 и открывает его. Таким образом, устройство обеспечивает коммутацию и малых входных сигналов, меньших, чем пороговое напр жение МДП-транзисто- ров, благодар  чему расшир етс  диапазон коммутируемых напр жений. При этом предлагаемое устройство обеспечивает расширение функциональных воз можностей и с точки зрени  величины коммутируемых нагрузок и параметров источников коммутируемых сигналов. Так, например, если, величина сопротивлени  нагрузка мала или сравнима с величиной сопротивлени  источника входного сигнала, образуетс  делител напр жени , в результате чего напр жение на входной шине 10 может быть недостаточно дл  отпирани  МДП-тран- зистора 2 или дл  обеспечени  малого сопротивлени  этого транзистора. Поэтому величина напр жени  источника 17 цепи 16 выбираетс  таким образом, чтобы обеспечить достаточно полное открывание ключевых МДП-транзисторов 1 и 2 при самом неблагопри тном сочетании величин сопротивлений нагрузки и источника коммутируемого напр же7It is detected on the gate of the MDL transistor 2 and opens it. Thus, the device provides switching for small input signals smaller than the threshold voltage of MIS transistors, thereby expanding the range of switching voltages. At the same time, the proposed device provides for the expansion of functional capabilities from the point of view of the magnitude of switched loads and parameters of sources of switched signals. For example, if the resistance value of the load is small or comparable to the resistance value of the input source, a voltage divider is formed, as a result of which the voltage on the input bus 10 may not be enough to unlock the MIS transistor 2. transistor. Therefore, the voltage value of the source 17 of the circuit 16 is chosen in such a way as to ensure a sufficiently complete opening of the key MOS transistors 1 and 2 with the most unfavorable combination of the values of the load resistances and the source of the switched voltage 7

ни . Устройство при этом приближаетс  по свойствами к аналоговому ключу тока и может быть использовано дл  коммутации в цеп х с высоким выходным сопротивлением источника сигнала и при низкоомной нагрузке. Такие услови  возникают в цеп х с переменной нагрузкой, например в устройствах телефонии, где величина сопротивлени  нагрузки зависит от режима выбора абонента. Стабилитроны k и 5 дополнительно обеспечивают защиту затворов МДП-транзисторов.neither The device at the same time approaches the properties of the analog current switch and can be used for switching in circuits with a high output impedance of the signal source and under a low-impedance load. Such conditions occur in variable load circuits, such as telephony devices, where the magnitude of the load resistance depends on the selection mode of the subscriber. The zener diodes k and 5 additionally provide protection for the gates of MOS transistors.

Ф о ула изобретени F o ula Invention

Аналоговый ключ по авт. св. If Й06767, отличающийс  тем, что, с целью расширени  функциональных возможностей, в него введена цепь, состо ща  из последовательно соединенных источника пита-, ни , резистора и диода, котора  включена параллельно цепи третьего МДП- транзистора, причем источник питани  и диод введенной цепи включены в направлении отпирани  первого или второго МДП-транзисторов устройства.Analog key on auth. St. If06767, characterized in that, in order to expand its functionality, a circuit is inserted in it consisting of a series-connected power source, resistor and diode, which is connected in parallel with the circuit of the third MOS transistor; included in the direction of unlocking the first or second MOS transistors of the device.

Claims (1)

Аналоговый ключ по авт.Analog key by author 140б7б7, отличающ тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него введена цепь, состоящая из последо4 этому величина напряжения источника140b7b7, characterized in that, in order to expand the functionality, a circuit is introduced into it, consisting of the last 4 value of the source voltage 17 цепи 16 выбирается таким образом, чтобы обеспечить достаточно полное открывание ключевых МДП-транзисторов17 circuit 16 is selected in such a way as to ensure sufficiently complete opening of the key MOS transistors 1 и 2 при самом неблагоприятном сочетании величин сопротивлений нагрузки и источника коммутируемого напряже- вательно соединенных источника питания , резистора и диода, которая вклю 25 чена параллельно цепи третьего МДПтранзистора, причем источник питания и диод введенной цепи включены в направлении отпирания первого или второго МДП-транзисторов устройства.1 and 2 for the most unfavorable combination of the load resistances and the source of switched voltage-connected power supply, resistor and diode, which is connected 25 parallel to the circuit of the third MOS transistor, the power supply and the diode of the introduced circuit included in the unlocking direction of the first or second MOS transistors devices.
SU874299974A 1987-08-31 1987-08-31 Analog switch SU1550617A2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874299974A SU1550617A2 (en) 1987-08-31 1987-08-31 Analog switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874299974A SU1550617A2 (en) 1987-08-31 1987-08-31 Analog switch

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1406767A Addition SU326998A1 (en) METHOD OF MANUFACTURING TURBINE AND COMPRESSOR BALLS

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1550617A2 true SU1550617A2 (en) 1990-03-15

Family

ID=21325414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874299974A SU1550617A2 (en) 1987-08-31 1987-08-31 Analog switch

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1550617A2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4139378A1 (en) * 1991-11-29 1993-06-03 Hella Kg Hueck & Co FET protective circuit against faulty polarisation - has diode incorporated between consumer junction point to DC voltage source and FET gate-terminal
US5673277A (en) * 1993-09-16 1997-09-30 Quality Semiconductor, Inc. Scan test circuit using fast transmission gate switch
US6208195B1 (en) 1991-03-18 2001-03-27 Integrated Device Technology, Inc. Fast transmission gate switch
US6215350B1 (en) * 1991-03-18 2001-04-10 Integrated Device Technology, Inc. Fast transmission gate switch

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент Англии № 2162711, кл. Н 03 К 17/687, 1979. Авторское свидетельство СССР If 1406767, кл. Н 03 К 17/687, 03.12.86. *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6208195B1 (en) 1991-03-18 2001-03-27 Integrated Device Technology, Inc. Fast transmission gate switch
US6215350B1 (en) * 1991-03-18 2001-04-10 Integrated Device Technology, Inc. Fast transmission gate switch
US6556063B2 (en) 1991-03-18 2003-04-29 Integrated Device Technology, Inc. Fast transmission gate switch
DE4139378A1 (en) * 1991-11-29 1993-06-03 Hella Kg Hueck & Co FET protective circuit against faulty polarisation - has diode incorporated between consumer junction point to DC voltage source and FET gate-terminal
US5673277A (en) * 1993-09-16 1997-09-30 Quality Semiconductor, Inc. Scan test circuit using fast transmission gate switch

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0048758B1 (en) Field effect transistor circuit configuration
US4730122A (en) Power supply adapter systems
US4752703A (en) Current source polarity switching circuit
US5493244A (en) Breakdown protection circuit using high voltage detection
US4473761A (en) Solid state transmission gate
US4733168A (en) Test enabling circuit for enabling overhead test circuitry in programmable devices
JPH06188710A (en) Control circuit for electric power fet
US3866064A (en) Cmos analog switch
EP0703667B1 (en) An integrated control circuit with a level shifter for switching an electronic switch
US4811191A (en) CMOS rectifier circuit
KR910005614B1 (en) Sequential comparison analog digital converter
US20050046462A1 (en) CMOS analog switch
SU1550617A2 (en) Analog switch
US4010385A (en) Multiplexing circuitry for time sharing a common conductor
EP0254012B1 (en) Active load network
US20020046388A1 (en) Semiconductor integrated circuitry
US6917227B1 (en) Efficient gate driver for power device
US3789244A (en) Fet analog multiplex switch
US5206553A (en) Clamping circuit
US20040066594A1 (en) Protection of an A.C. switch
US7031349B1 (en) Multiplexer circuit and analogue-to-digital converter
KR920004334B1 (en) Clamping circuit
SU1370758A1 (en) Current comparator
US7042249B2 (en) Method for actuating a transistor
SU1406767A1 (en) Analog gate