SU1406767A1 - Analog gate - Google Patents

Analog gate Download PDF

Info

Publication number
SU1406767A1
SU1406767A1 SU864155131A SU4155131A SU1406767A1 SU 1406767 A1 SU1406767 A1 SU 1406767A1 SU 864155131 A SU864155131 A SU 864155131A SU 4155131 A SU4155131 A SU 4155131A SU 1406767 A1 SU1406767 A1 SU 1406767A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
diodes
diode
voltage
transistors
control terminal
Prior art date
Application number
SU864155131A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анатолий Соломонович Корабельник
Наталья Олеговна Корабельник
Владимир Васильевич Халтурин
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2168
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2168 filed Critical Предприятие П/Я В-2168
Priority to SU864155131A priority Critical patent/SU1406767A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1406767A1 publication Critical patent/SU1406767A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

(21)4155131/2A-2I(21) 4155131 / 2A-2I

(22)03.12.86(22) 03.12.86

(46) 30.06.88. Бю . 24(46) 06.30.88. Bü 24

(72) А.С.Корабельник, Н.О.Корабельник и В;В.Халтурин(72) A.S. Korabelnik, N.O. Korabelnik and V; V.Halturin

(53)621.382 (088.8)(53) 621.382 (088.8)

(56)Патент США 3509374, кл. 307-239, 01.05.67.(56) U.S. Patent 3,509,374, Cl. 307-239, 01.05.67.

Авторское свидетельство СССР № 586566, кл. И 03 К 17/60, 06.06.75.USSR Author's Certificate No. 586566, cl. And 03 K 17/60, 06.06.75.

(54)АНАЛОГОВЫЙ КЛЮЧ(54) ANALOG KEY

(57)Изобретение может быть использовано дл  коммутации высоковольтных(57) The invention can be used for switching high-voltage

двухпол рных аналоговых сигналов в системах св зи. Цель изобретени  - расширение диапазона коммутируемых сигналов. Аналоговый ключ содержит МДП-транзисторы (т) 1 и 2, диод 6 и резисторы 8 и 9. Введение МДП-Т 3, стабилитронов 4 и 5 и диода 7 обеспечивает управление ключевыми Т с помощью самого коммутирующего сигнала при использовании низковольтного управл ющего сигнала, необходимого только дл  отпирани  ШЩ-Т 3, включенного по схеме с общим истоком. 1 ил.dual analog signals in communication systems. The purpose of the invention is to expand the range of switched signals. The analog switch contains MOS transistors (t) 1 and 2, diode 6 and resistors 8 and 9. Introduction of MDP-T 3, zener diodes 4 and 5, and diode 7 provides control of the key T using the switching signal itself, using a low-voltage control signal, necessary only for unlocking SCHSCH-T 3, included in the scheme with a common source. 1 il.

1212

SS

(ABOUT

ОдOd

Од Od

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано дл  коммутации высоковольтных двух- пол рных аналоговых сигналов в сие- темах св зи, контрол  и измерений.The invention relates to a pulsed technique and can be used for switching high-voltage bi-polar analog signals in communication systems, monitoring and measurement.

Целью изобретени   вл етс  расширение диапазона коммутируемых сигналов путем введени  в двухполюсный аналоговый ключ двух стабилитронов, диода и дополнительного МДП-транзис- тора, благодар  чему обеспечиваетс  управление ключевыми транзисторами с помощью самого коммутирующего сигнала при использовании низковольтног управл ющего сигнала, необходимого .только дл  отпирани  дополнительного МДП-транзистора, включенного по схеме с общим истоком.The aim of the invention is to expand the range of switched signals by introducing into the bipolar analog key two Zener diodes, a diode and an additional MIS transistor, thereby allowing the key transistors to be controlled by the switching signal itself using the low-voltage control signal required for unlocking the additional signal MOSFET connected according to the common source circuit.

На чертеже приведена принципиаль- на  схема аналогового ключа,The drawing is a schematic diagram of an analog key,

Устройство содержит первый 1, второй 2 и третий 3 МДИ-транзисторы, два стабилитрона А и 5, два диода 6 и 7 и два резистора 8 и 9, Входные шины 10 и 11 устройства соединены соответственно с катодами диодов 6 и 7, анодами стабилитронов А и 5, истоками и подложками МДП-транзисторов 1 и 2, Стоки первого 1 и второго 2 МДП-транзисторов соединены соответ- стве нно с выходными шинами 12 и 13, Катоды стабилитронов 4 и 5 соеди 1ены соответственно с затворами первого и второго МДП-транзисторов и с первыми выводами резисторов 8 и 9, вторые выводы которых объединены и подключены к стоку третьего МДП-транзистора 3, исток и подложка которого об ьедин ны и подключены к анодам диодов 5 и 7 и к первой управл ющей клемме 14, а затвор которого соединен с второй управл ющей клеммой 15.The device contains the first 1, second 2 and third 3 MDI transistors, two Zener diodes A and 5, two diodes 6 and 7 and two resistors 8 and 9, Input buses 10 and 11 of the device are connected to the cathodes of diodes 6 and 7, respectively, and anodes of zener diodes A and 5, the sources and substrates of MOS transistors 1 and 2, the drain of the first 1 and second 2 MOS transistors are connected respectively to the output buses 12 and 13, the cathodes of the Zener diodes 4 and 5 are connected to the gates of the first and second MOS transistors and with the first pins of resistors 8 and 9, the second pins of which are combined and connected cheny to the drain of the third MISFET 3, the source and the substrate on which edin us and connected to the anodes of diodes 5 and 7 and to the first control terminal 14 and whose gate is connected to the second control terminal 15.

Аналоговый ключ работает следующим образом.The analog key works as follows.

На выходные шины 10 и 11 подаетс  двухпол рный сигнал. Например, на шине 10 присутствует положительный полюс коммутируемого напр жени . При этом первый стабилитрон 4 открыт в пр мом направлении, а первый МДП-тра зистор 1 п-типа открыт по подложке, так как его р - -П переход подложка - сток смещен в пр мом направлении. Если потенциалы первой 14 и второй 15 управл ющих клемм одинаковые, то третий МДП-транзистор 3 закрыт. При этом положительньш потенциал с первой входной ШИ1-1Ы 10 подаетс  на затA two-pole signal is applied to the output buses 10 and 11. For example, bus 10 has a positive switching voltage pole. At the same time, the first Zener diode 4 is open in the forward direction, and the first MIS-transistor of 1 n-type is open across the substrate, since its p - –P junction substrate – drain is shifted in the forward direction. If the potentials of the first 14 and second 15 control terminals are the same, then the third MOS transistor 3 is closed. At the same time, the positive potential from the first input PX1-1Y 10 is supplied for

Q 5 Q 5

0 0

5 Q Q 5 Q Q

5five

Q Q

5five

5five

вор второго МДП-транзистора 2 и открывает его. Управл ющее напр жение затвор - исток этого транзистора равно коммутируемому напр жению, .но не может превышать напр жение пробо  стабилитрона 5. Этот режим соответствует открытому состо нию аналогового ключа, когда коммутируемое напр жение с входных шин 10 и 11 передаетс  на выходные шины I2 и 13 и в нагрузку ,the thief of the second MOS transistor 2 and opens it. The control voltage of the gate - the source of this transistor is equal to the switched voltage. But it cannot exceed the breakdown voltage of the zener diode 5. This mode corresponds to the open state of the analog switch when the switching voltage from the input buses 10 and 11 is transmitted to the output buses I2 and 13 and in the load

В закрытом состо нии ключа на вторую управл ющую клемму 15 относительно первой управл ющей клемме 14 достаточно подать положительное напр жение , превьш1аюо1ве пороговое напр жение МДП-транзистора. Третий МДП- транзистор 3 при этом открываетс  и шунтирует последовательно соединенные второй диод 7 и второй стабилитрон 5 благодар  тому, что второй диод 7 открыт в пр мом направлении, В результате напр жение затвор - исток второго МДП-транзистора 2 мало и недостаточно дл  отпирани  этого транзистора. Второй МДП транзистор 2 открыти преп тствует прохождению коммутируемого сигнала с входных шин 10 и 11 на выходные шины 12 и 13 и в нагрузку. Аналоговый ключ закрыт,In the closed state of the key, it is sufficient to apply a positive voltage to the second control terminal 15 with respect to the first control terminal 14, above the threshold voltage of the MOS transistor. The third MOS transistor 3 opens and shunts the second diode 7 and the second Zener diode in series due to the fact that the second diode 7 is open in the forward direction. As a result, the gate voltage - the source of the second MOS transistor 2 is small and not enough to unlock this transistor. The second MOS transistor 2 open prevents the switching signal from passing through the input buses 10 and 11 to the output buses 12 and 13 and into the load. The analog key is closed,

В качестве МДП-транзисторов целесообразна использовать ДМДП-транзис- торы, имеющие повьш1ение допустимые рабочие напр жени .As MDP transistors, it is advisable to use DMDP transistors having a higher permissible operating voltage.

Использование предлагаемого аналогового ключа, обеспечивает возможность использовани  низковольтного управл ющего сигнала дл  коммутации высоковольтных аналоговых сигналов ограничении их уровн  только пробивным напр жением стабилитронов и рабочими напр жени ми используемых МДП-транзисторов,The use of the proposed analog switch allows the use of a low voltage control signal for switching high voltage analog signals by limiting their level only by the breakdown voltage of the zener diodes and the operating voltages of the used MOS transistors,

Предлагаемый аналоговый ключ целесообразно использовать в абонент- - ских телефонных устройствах автоматического набора номера с питанием от центральной батареи АТС,The proposed analog key is advisable to use in automatic telephone dialing telephone devices with power from the central PBX battery,

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Аналоговый ключ, содержащий первый и второй МДП-транзисторы, диод и два резистора, которые соединены последовательно, причем истоки МДП-транзисторов соединены с соответ- стБующи)и входными шинами, а стоки - с выходньС 1и шинами, отличающийс  тем, что, с целью расширени  диапазона коммутируемых напр жений , в аналоговый ключ введены третий МДП-транзистор, второй диод и два стабилитрона, причем аноды стабилитронов соединены с истоками cooTBeTcfBeHHo первого и второго МДП-транзистрров, а катоды - с затворами тех же МДП-транзисторов иAn analog switch containing the first and second MOS transistors, a diode and two resistors that are connected in series, the sources of the MOS transistors connected to the corresponding) and input buses, and the drains from the output buses 1 and 2, characterized in that expanding the range of switching voltages, a third MOSFET, a second diode and two Zener diodes are inserted into the analog switch, the anodes of the Zener diodes are connected to the sources of the first and second MOSFET cooTBeTcfBeHHo, and the cathodes are connected to the same MIS transistors со свободными выводами резисторов, JQ объединены.with free pins of resistors, JQ combined. обща  точка которых подключена к стоку третьего МДП-транзистора, исток которого соединен с анодами диодов и с первой управл ющей клеммой, а затвор - с второй управл ющей клеммой, катоды диодов подключены к соответствующим входным шинам, а исток и подложка каждого МДП-тр нзистораthe common point of which is connected to the drain of the third MOS transistor, the source of which is connected to the anodes of the diodes and the first control terminal, and the gate to the second control terminal, the cathodes of the diodes are connected to the corresponding input buses, and the source and substrate of each MIS transistor
SU864155131A 1986-12-03 1986-12-03 Analog gate SU1406767A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864155131A SU1406767A1 (en) 1986-12-03 1986-12-03 Analog gate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864155131A SU1406767A1 (en) 1986-12-03 1986-12-03 Analog gate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1406767A1 true SU1406767A1 (en) 1988-06-30

Family

ID=21270512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864155131A SU1406767A1 (en) 1986-12-03 1986-12-03 Analog gate

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1406767A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1406767A1 (en) Analog gate
GB1415461A (en) Switching circuit for tone-ringer or like load means
SU1550617A2 (en) Analog switch
EP0608667B1 (en) Driving circuit for a field effect transistor in final semibridge stage
SU1274147A1 (en) Electronic switch
SU1385288A1 (en) Analog switch
ES470362A1 (en) Bipolar transistor switching network crosspoint
SU847513A1 (en) Multichannel switching device
SU1241460A1 (en) Multichannel switching device
SU1539991A1 (en) Level converter
SU1372523A1 (en) D.c. voltage converter
SU1195446A1 (en) Generator of modulated pulses
SU919087A1 (en) Analogue switch
SU536598A1 (en) Analog Multichannel Switch
SU792585A1 (en) Multichannel switching device
SU1383482A1 (en) Analog gate
SU1248055A1 (en) Multichannel switching device
SU1677771A1 (en) Pickup for indication of status of valves of converter
SU1406771A1 (en) Device for series connection of power sources in mis integrated circuits
SU1631673A1 (en) Dc-to-dc voltage converter
SU1406768A1 (en) Gate element
SU1119170A2 (en) Switch
SU921052A1 (en) Mos-transistor flip-flop
SU661798A2 (en) Multichannel switching apparatus of analogue signals
SU1506533A1 (en) Threshold device