SU1534425A1

SU1534425A1 - Electrophotographic material

Info

Publication number: SU1534425A1
Application number: SU884430667A
Authority: SU
Inventors: Анна Феодосьевна Шелкова; Марите Римтаутовна Шульчите; Ионас-Донатас Броняус Сидаравичюс; Ниеле Пятровна Астраускене; Галина Зиновьевна Виноградова; Лариса Константиновна Работько; Юозапас Юргиевич Бальчюнас
Original assignee: Предприятие П/Я Г-4602
Priority date: 1988-05-24
Filing date: 1988-05-24
Publication date: 1990-01-07

Abstract

Изобретение относитс к области электрофотографии и позвол ет улучшить качество материала за счет увеличени фоточувствительности в инфракрасной области спектра и снижени остаточного потенциала. На электропровод щую подложку нанос т транспортный и фотогенерирующий слои, выполненные из AS₂SE₃ - SB₂SE₃ с увеличивающейс концентрацией SB₂SE₃ от подложки и с градиентом концентрации в транспортном слое 0,3 - 0,5 мол.%/ мкм, а в фотогенерирующем 2,0 - 2,5 мол.%/мкм. Толщина транспортного сло составл ет 25 - 27 мкм, а фотогенерирующего - 1 - 3 мкм.The invention relates to the field of electrophotography and improves the quality of the material by increasing the photosensitivity in the infrared region of the spectrum and reducing the residual potential. The transport and photogenerating layers made of AS ₂ SE ₃ - SB ₂ SE ₃ with increasing concentration of SB ₂ SE ₃ from the substrate and with a concentration gradient in the transport layer of 0.3-0.5 mol.% / Μm are deposited on an electrically conductive substrate. , and in photogenerating 2.0 - 2.5 mol.% / micron. The thickness of the transport layer is 25 to 27 µm, and the photogenerating layer, 1 to 3 µm.

Description

Изобретение относитс к электрофотографии и может быть использовано в различной копировально-множительной аппаратуре, а также при записи изображени сканирующим лучом лазера.The invention relates to electrophotography and can be used in various copying equipment, as well as when recording an image with a scanning laser beam.

Целью изобретени вл етс улучшение качества материала за счет увеличени фогочувствительности в инфракрасной области спектра и уменьшение остаточного потенциала.The aim of the invention is to improve the quality of the material by increasing the sensitivity in the infrared region of the spectrum and reducing the residual potential.

П о и м е р 1. Сплав системы Sb,Su3 состава 99 мол.% и 1 мол. % Sb7Se3 размельчают, гоосеивают через металлическое сито с размером чеек 1 мм и в количестве, обеспечивающем при его испарении толщину слог 26-30 мкм, загружают в тигель и устанавливают в вакуумную ка- меру. В качестве подложки используют пластину иг цилиндр, выполненные из дюралюминиевого сплава Д 1&Т, обрабо тайные до 10-11 класса чистоты поверхности . Перед напылением подложку обезжиривают гор чим раствором поверхностно-активного вещества Прогресс (температура раствора 70-80°С) После тщательной промывки подложки последовательно проточной гор чей, холодной и дистиллированной водой ее высушивают и устанавливают в вакуумную камеру. Создают вакуум 1 1-10 мм рт.ст. Температуру подложки поднимают до 170 + 10°С и ведут напыление сло до толщины 25-27 мкм при 20±10°С. Затем температуру повышают и напыл ют слой при i 70±1Ce CExample 1: Sb, Su3 alloy of 99 mol.% And 1 mol. The% Sb7Se3 is crushed, go through a metal sieve with a mesh size of 1 mm and, in an amount that ensures the thickness of the syllable 26-30 μm during evaporation, is loaded into a crucible and placed in a vacuum chamber. As a substrate, a plate cylinder ig made of duralumin alloy D 1 & T, machined up to 10-11 surface grade, is used. Before spraying, the substrate is degreased with a hot solution of a surfactant. Progress (solution temperature 70-80 ° C) After thoroughly washing the substrate successively with hot, cold and distilled water, it is dried and placed in a vacuum chamber. Create a vacuum of 1 1-10 mm Hg. The temperature of the substrate is raised to 170 + 10 ° C and the layer is deposited to a thickness of 25-27 μm at 20 ± 10 ° C. Then the temperature is increased and the layer is sprayed at i 70 ± 1Ce C

до полного испарени навески. iuntil complete evaporation of the sample. i

По данным рентгенофлуоресцентногоAccording to X-ray fluorescent

анализа установлено, что фотопроводниковый слой разделен на две зоны с различным содержанием компонентов. При общей толщине фотопроводникового сло 26-30 мкм перва транспортна зона толщиной 25-27 мкм содержит переменное количество Sb/jSu3 со средним градиентом концентрацииanalysis found that the photoconductor layer is divided into two zones with different content of components. With a total thickness of the photoconductor layer of 26-30 μm, the first transport zone with a thickness of 25-27 μm contains a variable amount of Sb / jSu3 with an average concentration gradient

О ABOUT

сwith

СЛ ОС Ј 4SL OS Ј 4

toto

слcl

0,3 мо . /мкм. Зона фотогенерации толщиной 1,3 мкм, т.е, зона с большим количеством селенида сурьмы, имеет среднюю концентрацию 2 мол. % /мкм.0.3 mo / micron The photogeneration zone is 1.3 microns thick, i.e., the zone with a large amount of antimony selenide has an average concentration of 2 mol. % / micron

Параметры полученного материала представлены в таблице.The parameters of the material obtained are presented in the table.

Остаточный потенциал материала равен нулю. Фоточувствительность в ПК-области превышает значение дл известного материала.The residual potential of the material is zero. Photosensitivity in the PC-area exceeds the value for a known material.

Пример 2. Сплав составаExample 2. The alloy composition

Sb2Se3Sb2Se3

97 мол , % As2Se3 и 3 мол. подготавливают способом, аналогичным описанному в примере 1. Таким же образом выполн ют все последующие операции, за исключением температуры испарител ,которую устанавливают равной 30 + 10°С, а затем повышают до Ш ± .97 mole% As2Se3 and 3 mole. prepared in a manner similar to that described in Example 1. In the same way, all subsequent operations are performed, with the exception of the evaporator temperature, which is set to 30 + 10 ° C and then increased to W ±.

По данным рентгенофлуоресцентного анализа установлено, что перва зона толщиной мкм содержит переменное количество . со средней концентрацией Sb2SuA 0,4 мол, %/мкм, а фотогенерирующэ зона 2,3 мол . Д/мкмAccording to X-ray fluorescence analysis, it was found that the first micron-thick zone contains a variable amount. with an average Sb2SuA concentration of 0.4 mol,% / µm, and a photogenerating zone of 2.3 mol. D / micron

Пример 3. Сплав состава 95 мол. % AsjSuj и 5 мол, % подготавливают способом, аналогичным описанному в примере 1. Таким же образом выполн ютс все последующие операции по напылению слой, за исклю- чением температуры испарител , которую устанавливают равной 35 ± +10°С, а затем повышают до А90±10вС По данным рентгенофлуоресцентного анализа установлено, что перва зо- на фоточувствительного сло толщиной мкм содержит переменное количество Sb7Se3 со средней конценрацией SbaSoj 0,5 мол. %/мкм, а фот генерирующап зона 2,5 мол, . Example 3. The alloy composition of 95 mol. % AsjSuj and 5 mol,% are prepared in a manner similar to that described in Example 1. All subsequent spraying operations are performed in the same way, with the exception of the evaporator temperature, which is set to 35 ± + 10 ° С and then increased to A90 ± 10 ° C According to the X-ray fluorescence analysis, it was found that the first photosensitive layer with a thickness of μm contains a variable amount of Sb7Se3 with an average concentration of 0.5 mol. SbaSoj. % / micron, and phot generating area 2.5 mol,.

10ten

2525

, м.m

.4.four

Остаточный потенциал равен 5-7 В.The residual potential is 5-7 V.

Фоточувствительность превышает значени дл известного материала в i ПК-области.Photosensitivity exceeds the values for a known material in the i PC-area.

Таким образом, предлагаемый материал обладает остаточным потенциалом 0-7 В, что значительно меньше, чем у известного материала. При этом величина фоточувствительности в ИК- области при Д 950 нм больше в 2-3 раза по сравнению с известным материалом .Thus, the proposed material has a residual potential of 0-7 V, which is significantly less than that of a known material. In this case, the magnitude of photosensitivity in the IR region at D 950 nm is 2–3 times greater than that of a known material.

Разработанный электрофотографический материал вл етс универсальным, может быть успешно применен в аппаратуре черно-белого и цветного документировани , причем мощность узла экспонировани дл получени качественного изображени уменьшена вдвое. При эксплуатации цилиндров в аппаратуре энергозатраты уменьшаютс на 25-30%. Благодар наличию фоточувствительности в ИК-области материал вл етс перспективным дл применени в лазерных печатающих устройствах.The developed electrophotographic material is universal, it can be successfully used in black-and-white and color documentation equipment, and the power of the exposure unit to obtain a high-quality image is halved. During the operation of the cylinders in the apparatus, the energy consumption is reduced by 25-30%. Due to the presence of photosensitivity in the infrared region, the material is promising for use in laser printing devices.

1515

2020

Claims

Invention Formula

An electrophotographic material consisting of an electrically conductive substrate and a transport layer 25-27 μm thick and a photogenerating layer 1-3 μm thick, applied on the basis of As and Ee, characterized in that, in order to improve the quality of the material, increase the photosensitivity in the infrared region of the spectrum and reduce the residual potential, the transport and photogenerating layers are made of AsuSe3-Sb2Sif 3 with increasing Sb7Se3 concentration from the substrate and with its gradient in the transport layer of 0.3-0.5 mo . $ / μm, and in the photo-generating 2.0-2.5 mol. % / micron

by

О400-950

3-5400-950

5-7400-950

60-100400-950

1.05

1.1

1.15

0.9

0.2 0.25 0.3 0.1