SU1531205A1 - Power transistor gate - Google Patents

Power transistor gate Download PDF

Info

Publication number
SU1531205A1
SU1531205A1 SU874227998A SU4227998A SU1531205A1 SU 1531205 A1 SU1531205 A1 SU 1531205A1 SU 874227998 A SU874227998 A SU 874227998A SU 4227998 A SU4227998 A SU 4227998A SU 1531205 A1 SU1531205 A1 SU 1531205A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
terminal
resistor
output
auxiliary
Prior art date
Application number
SU874227998A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анатолий Викторович Неруш
Леонид Дмитриевич Дьяков
Григорий Абрамович Крикунчик
Сергей Викторович Шустов
Original Assignee
Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Производственного Объединения "Завод Им.Владимира Ильича"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Производственного Объединения "Завод Им.Владимира Ильича" filed Critical Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Производственного Объединения "Завод Им.Владимира Ильича"
Priority to SU874227998A priority Critical patent/SU1531205A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1531205A1 publication Critical patent/SU1531205A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в качестве силовых транзисторных ключей в инверторах. Цель изобретени  - расширение области применени  силового транзисторного ключа за счет обеспечени  возможности его работы как с активной, так и с реактивной нагрузкой. Устройство содержит вспомогательный транзистор 2 и силовой транзистор 1, образующие первую триггерную пару, низковольтный источник 14 питани , источник 11 входного двухпол рного импульсного напр жени , первый и второй резисторы 5 и 7, первый и второй разделительные диоды 6 и 15 и первый диод 4 обратного тока. Дл  достижени  поставленной цели в устройство введены дополнительный транзистор 3, второй и третий диоды 12 и 13 обратного тока и третий, четвертый и п тый резисторы 8-10. Дополнительный транзистор 3 и вспомогательный транзистор 2 образуют вторую триггерную пару, позвол ющую нормально работать силовому транзистору 1 при нулевом или низком напр жении на нем, когда он закрыт. 2 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used as power transistor switches in inverters. The purpose of the invention is to expand the scope of application of a power transistor switch by allowing it to work with both active and reactive loads. The device contains an auxiliary transistor 2 and a power transistor 1, which form the first trigger pair, a low-voltage power supply 14, a bi-polar pulse input voltage source 11, the first and second resistors 5 and 7, the first and second isolation diodes 6 and 15, and the first reverse diode 4 current. To achieve this goal, an additional transistor 3, the second and third reverse current diodes 12 and 13, and the third, fourth, and fifth resistors 8-10 are introduced into the device. The additional transistor 3 and the auxiliary transistor 2 form a second trigger pair, allowing the power transistor 1 to operate normally with zero or low voltage on it when it is closed. 2 Il.

Description

Изобретет1е относитс  к импульсной технике и может быть использован в качестве силовых транзисторных клю чей в инверторах.The invention relates to a pulse technique and can be used as power transistor keys in inverters.

Цель изобретени  - расширение области применени  силового транзисторного ключа за счет обеспечени  возможности его работы как с активной, так и с реактивной нагрузкой. The purpose of the invention is to expand the scope of application of a power transistor switch by allowing it to work with both active and reactive loads.

На фиг. 1 представлена принципиална  схема силового ключа; на фиг.2 - временные диаграммы, по сн ющие работу ключа.FIG. 1 shows a circuit diagram of a power switch; 2 shows timing diagrams for the operation of the key.

Силовой транзисторный ключ содер- жит силовой транзистор 1, который в паре с вспомогательным транзистором 2 составл ет первую триггерную пару позвол ющую управл ть им короткими импульсами.The power transistor switch contains a power transistor 1, which, when paired with an auxiliary transistor 2, constitutes the first trigger pair allowing it to control short pulses.

Дополнительный транзистор 3 вместе с вспомогательным составл ет вто- рую триггерную пару, позвол ющую нормально работать силовому транзистору при нулевом или низком напр жении закрытого ключа. The auxiliary transistor 3, together with the auxiliary, constitutes the second trigger pair, which allows the power transistor to operate normally at zero or low voltage of the private key.

Дл  осуществлени  инверторного режима силовой транзистор зашунти- рован первым диодом 4 обратного тока.To implement the inverter mode, the power transistor is shunted by the first diode 4 of the reverse current.

Первый резистор 5 определ ет максимальный ток, при котором ключ закрываетс , определ   уровень тока защиты ключа. Через первый разделительный диод 6 подключены вто- рой 7 и третий 8 резисторы базовой цепи дополнительного транзистора 3 к коллектору вспомогательного транзистора 2.The first resistor 5 determines the maximum current at which the switch closes, determines the level of protection current of the switch. Through the first dividing diode 6, the second 7 and third 8 resistors of the base circuit of the additional transistor 3 are connected to the collector of the auxiliary transistor 2.

В базовой цепи вспомогательного транзистора 2 стоит четвертый резистор 9, св зывающий ее с коллекторной цепью дополнительного транзистора , содержащий п тый резистор 10. Источник 11 входного двухпол р- ного импульсного напр жени  вырабатывает импульсы разной пол рности. Второй 12 и третий 13 обратные диоды создают цепь дл  прохождени  тока от импульсного источник . Низ- ковольтный источник 14 и вс  схема, которую он питает, защищены от высокого напр жени  ключа вторым разделительным диодом 15.In the base circuit of the auxiliary transistor 2, there is a fourth resistor 9, which connects it with the collector circuit of the auxiliary transistor, containing the fifth resistor 10. The source 11 of the input two-pole pulsed voltage produces pulses of different polarity. The second 12 and third 13 reverse diodes create a circuit for passing current from a pulsed source. The low-voltage source 14 and the entire circuit it feeds are protected from the high voltage of the key by the second isolation diode 15.

Схема работает следующим образомThe scheme works as follows

Входной сигнал с источника 11 воздействует на базы транзисторов 2 и 3 (фиг. 1), Пол рность относитс  к открытому состо нию силового транзистора 1.The input signal from source 11 acts on the bases of transistors 2 and 3 (Fig. 1). The polarity refers to the open state of the power transistor 1.

При этом ток протекает по цепи: источник 11 импульсов, диод 13, эмиттер-база транзистора 2, минус источник 11 импульсов. Транзистор 2 оказываетс  в открытом, а 3 - в закрытом состо нии, триггерна  пара 2-1 поддерживает транзистор 1 в открытом состо нии по окончании импульса с источника 11.In this case, the current flows through the circuit: source of 11 pulses, diode 13, emitter-base of transistor 2, minus source of 11 pulses. The transistor 2 is in the open and 3 in the closed state, the trigger pair 2-1 keeps the transistor 1 in the open state when the pulse from the source 11 ends.

При поступлении 1мпульса обратной пол рности с источника 11 транзисторUpon receipt of a reverse polarity 1 pulse from the source 11 transistor

3открываетс , что приводит к запиранию транзисторов 2 и 1. Это состо ние фиксируетс  триггерной парой 2-3 и не зависит от величины напр жени  на закрытом транзисторе 1.3 opens, which leads to the locking of transistors 2 and 1. This state is fixed by a trigger pair of 2-3 and does not depend on the magnitude of the voltage on the closed transistor 1.

В открытом состо нии транзистора 1 транзистор 2 также открыт, а транзистор 3 закрыт. При увеличении тока ключа напр жение на нем начинает возрастать, что приводит к уменьшению тока базы транзистора 2. При определенном напр жении на ключе коэффициент насыщени  транзистора 2 становитс  равным единице и начинает падать ток базы транзистора 1, что увеличивает падение напр жени  на нем, а это приводит к еще большему уменьшению тока базы транзистора 2In the open state of transistor 1, transistor 2 is also open, and transistor 3 is closed. As the key current increases, the voltage on it starts to increase, which leads to a decrease in the base current of transistor 2. With a certain voltage on the key, the saturation coefficient of transistor 2 becomes equal to one and the base current of transistor 1 begins to fall, which increases the voltage drop across it, and this leads to a further decrease in the base current of transistor 2

. Триггер 2-1 опрокидываетс , т.е. транзисторы 1-2 переход т в закрытое состо ние, при этом открываетс  транзистор 3.. Trigger 2-1 capsizes, i.e. the transistors 1-2 are switched to the closed state, and the transistor 3 is opened.

В этом процессе транзистор 3 ускор ет процесс шунтировани  тока базы транзистора 2.In this process, transistor 3 accelerates the process of shunting the base current of transistor 2.

Транзистор 2 имеет разделенную диодом 6 коллекторную нагрузку (резисторы 5 и 8). При этом ток, от пирающий транзистор 3, протекает, мину  цепь базы силового транзистора 1. Это предотвращает открывание силового транзистора 1.Transistor 2 has a collector load separated by diode 6 (resistors 5 and 8). At the same time, the current from the pioneering transistor 3 flows, and the base circuit of the power transistor 1 flows. This prevents the opening of the power transistor 1.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Силовой транзисторный ключ, содержащий триггерную пару на транзистрах разного типа проводимости один из которых - силовой, а другой - вспомогательный, первую и вторую клеммы низковольтного источника питани , первую и вторую клеммы источника входного двухпол рного импульсного напр жени , первый и второй резисторы , первый и второй разделитель11ыеA power transistor switch containing a trigger pair on transistors of different types of conductivity, one of which is power and the other an auxiliary, first and second terminals of a low-voltage power source, first and second terminals of an input two-pole pulse voltage source, first and second resistors, first and second delimiter 11th диоды, первый диод обратного тока, выходную клемму, эмиттер силового транзистора подключен к второй клемме низковольтного источника питани  и к аноду первого диода обратного тока , катод которого подключен к коллектору силового транзистора и к катоду второго разделительного диода, отличающийс  тем, что, с целью расширени  области применени , введены дополнительный транзистор той же проводимости, что и вспомогательный , второй и третий диоды обратного тока, третий, четвертый и п тый резисторы, причем первый вьшод первого резистора подключен к аноду первого разделительного диода и к коллектору вспомогательного транзистора, эмиттер которого подклю- чен к эмиттеру дополнительного транзистора и к первой клемме низковольтного источника питани , второй вывод первого резистора подключен к базе силового транзистора, коллектор кото- diodes, the first reverse current diode, output terminal, the emitter of the power transistor is connected to the second terminal of the low-voltage power source and to the anode of the first reverse current diode, the cathode of which is connected to the collector of the power transistor and to the cathode of the second isolation diode, characterized in that application areas, an additional transistor of the same conductivity as the auxiliary, second and third reverse current diodes, the third, fourth and fifth resistors, the first pin of the first resistor is connected li ne first separator to the anode of the diode and to the collector of the auxiliary transistor, the emitter of which is connected to the emitter of the additional transistor and the first terminal of the low voltage power source, the second terminal of the first resistor connected to the base of the power transistor, the collector koto- рого подключен к выходной клемме, первый вывод второго резистора подключен к катоду первого разделительного диода и к первому выводу третьего резистора, второй вывод которого подключен к второй клемме низковольтного источника питани , второй вывод второго резистора подключен к базе дополнительного транзистора и к второй клемме источника входного двух- пол рного импульсного напр жени , перва  клемма которого подключена к базе вспомогательного транзистора и к первому выводу четвертого резистора , второй вывод которого подключен к коллектору дополнительного транзистора и к первому вьшоду п того резистора, второй вьшод которого подключен к аноду второго разделительного диода, переходы база-эмиттер вспомогательного и дополнительного транзисторов шунтированы вторьм и третьим диодами обратного тока.connected to the output terminal, the first output of the second resistor is connected to the cathode of the first isolation diode and the first output of the third resistor, the second output of which is connected to the second terminal of the low-voltage power supply, the second output of the second resistor is connected to the base of the additional transistor - polar pulse voltage, the first terminal of which is connected to the base of the auxiliary transistor and to the first terminal of the fourth resistor, the second terminal of which is connected to To the collector of the additional transistor and to the first output of the first resistor, the second output of which is connected to the anode of the second separation diode, the base-emitter junctions of the auxiliary and additional transistors are shunted by the second and third reverse current diodes. /vv/T/vy/ vv / T / vy 1one Составитель А. ЦехановскийCompiled by A. Tsekhanovsky Редактор Г. Волкова Техред М.ДидыкКорректор И. МускаEditor G. Volkova Tehred M. Didykkorrektor I. Muska Заказ 7965/55Order 7965/55 Тираж 884Circulation 884 ВНШ-ШИ Государственного комитета по изобретени м и открыти м при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. А/5VNSH-SHI State Committee for Inventions and Discoveries at the State Committee on Science and Technology of the USSR 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., A / 5 Фиг. 2FIG. 2 ПодписноеSubscription
SU874227998A 1987-02-06 1987-02-06 Power transistor gate SU1531205A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874227998A SU1531205A1 (en) 1987-02-06 1987-02-06 Power transistor gate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874227998A SU1531205A1 (en) 1987-02-06 1987-02-06 Power transistor gate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1531205A1 true SU1531205A1 (en) 1989-12-23

Family

ID=21297607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874227998A SU1531205A1 (en) 1987-02-06 1987-02-06 Power transistor gate

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1531205A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Шабо н С.А. Силовые транзисторные защищенные ключи,- Электротехника, 1986, № 5. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4885486A (en) Darlington amplifier with high speed turnoff
US4672245A (en) High frequency diverse semiconductor switch
EP0369448A3 (en) Drive circuit for use with voltage-driven semiconductor device
US3700999A (en) Automatic battery polarizing circuit
US4487457A (en) Gating circuit for combining series and parallel connected FETs
SU1531205A1 (en) Power transistor gate
US4427902A (en) Optimum transistor drive circuit with over load compensation
US4571501A (en) Electronic control circuit
SU1051675A1 (en) Bridge transistor inverter
SU1569969A2 (en) Transistor switch
SU1408524A1 (en) Tertiary flip-flop
SU1539943A2 (en) Transistor inverter
SU1288666A1 (en) Pulsed voltage stabilizer with protection of active-inductive load
SU1196988A1 (en) Device for protection of three-phase using equipment against incomplete operation conditions
RU2013860C1 (en) Magnetic-transistor switch
SU421062A1 (en) NEUTRAL RELAY
SU1690189A1 (en) The high-voltage logical element
SU1429194A1 (en) Device for switching on a relay with low supply voltage
SU1504771A1 (en) D.c. voltage conveerter
SU1582183A2 (en) Device for protection of dc power supply source from overloads and short circuits
SU1667169A1 (en) Device for arcless commutation of d c circuits
RU2065663C1 (en) Generator of bipolar pulses of reference current
SU824383A1 (en) Device for control of power-diode semiconductor switch
SU1244746A1 (en) Device for protection of inverter
RU1780178C (en) Transistor switch with overload protection