SU1522047A1 - Способ измерени температуры поверхности электропроводных тел - Google Patents

Способ измерени температуры поверхности электропроводных тел Download PDF

Info

Publication number
SU1522047A1
SU1522047A1 SU874293817A SU4293817A SU1522047A1 SU 1522047 A1 SU1522047 A1 SU 1522047A1 SU 874293817 A SU874293817 A SU 874293817A SU 4293817 A SU4293817 A SU 4293817A SU 1522047 A1 SU1522047 A1 SU 1522047A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
temperature
medium
dielectric
controlled
voltage
Prior art date
Application number
SU874293817A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Иванович Фальковский
Игорь Васильевич Божко
Валерий Владимирович Белинский
Людмила Ивановна Фролова
Александр Васильевич Примак
Юрий Викторович Сердюк
Original Assignee
Институт Электродинамики Ан Усср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электродинамики Ан Усср filed Critical Институт Электродинамики Ан Усср
Priority to SU874293817A priority Critical patent/SU1522047A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1522047A1 publication Critical patent/SU1522047A1/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к бесконтактным способам измерени  температуры поверхности нагретых тел и позвол ет повысить экономичность и точность измерений. Предложенный способ предусматривает размещение вблизи контролируемой поверхности 3 измерительного электрода, отделенного от поверхности 3 слоем диэлектрика. К электроду 1 и поверхности 3 прикладывают высокое переменное напр жение от источника 4. В промежутке между поверхностью диэлектрика 2 и контролируемой поверхностью 3 создают однородное электрическое поле, напр женность которого увеличивают до возникновени  пробо  среды в указанном промежутке. По величине приложенного напр жени , при котором наступает указанный пробой, определ ют измер емую температуру контролируемой поверхности. Температура среды в промежутке между контролируемой поверхностью 3 и поверхностью диэлектрика 2 и температура последней не должны превышать измер емой температуры поверхности 3. 1 ил.

Description

С
/
J
©
4
У///////////////7//////////////у
f
f5
20
25
Изобретение относитс  к термометрии и может быть исполь:зовано в системах технологического контрол  дл  бесконтактного измерени  температуры поверхности электропроводных тел.
Цель изобретени  повьшение экономичности способа.за счет уменьшени  износа измерительного электрода, и снижени  рабочих напр )1Гений и токов и Q повышение точности измерений.
На чертеже приведена обща  схема устройства дл  реализации предложенного способа.
Устройство содержит измерительный (вспомогательный) электрод 1, диэлектрический барьер 2, контролируемую поверхность 3, источник высокого переменного напр жени , 4, регул тор 5 напр жени  и измеритель 6 высокого напр жени .
Предложенньй способ осуществл етс  следующим образом.
Измерительный электрод 1 отдел етс  от разр дного промежутка диэлектрическим барьером 2. На электрод 1 подаетс  переменное напр жение, которое повышают до возникновени  незавершенного стримерного пробо  ме сду контролируемой поверхностью 3 и поверхностью барьера 2, обращенной к контролируемой поверхности. Указанный пробой  вл етс  незавершенным потому, что капал пробо , начинающийс  на контролируемой поверхности 3, не достигает электрода 1, а прерываетс  барьером 2 и заканчиваетс  на его поверхности , обращенной к контролируемой поверхности 3. В момент возникновени  пробо  фиксируетс  напр жение начала разр да UH.P и по нему с помощью градуировочной кривой U.n f(T) определ етс  температура Т контролируемой поверхности. Согласно предла- гаемому способу необходимым  вл етс  условие однородности электрического пол  в разр дном промежутке между барьером 2 и контролируемой поверхностью 3, Требуема  однородность электрического пол  достигаетс  ром формы электрода 1 и барьера 2, типом материала, толщиной, специаль15220474
ной обработкой барьера 2 и т.д. Однородность пол  обеспечивает развитие стримера до перекрыти  им всего промежутка между поверхностью 3 и Варье- ром 2 после зарождени  его в наиболее гор чей зоне разр дного промежутка, т.е. на контролируемой поверхности 3. Тем самым обеспечиваетс  однозначность св зи напр жени  начала незавершенного стримерного разр да с температурой контролируемой поверхности при неизменном давлении газовой среды в разр дном промежутке.
Температура поверхности диэлектрического барьера 2 и среды в разр дном промежутке не должна превышать температуру контролируемой поверхности . В противном случае тер етс  однозначность св зи и„п f(T).
30
35
40
45
50

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ измерени  температуры поверхности электропроводных тел, за- ключающийс  в том, что вблизи контролируемой поверхности на фиксированном рассто нии от нее размещают измерительный электрод, прикладывают к ним электрическое напр жение, создава  при этом однородное электрическое поле, напр женность которого повышают до возникновени  электрического пробо  среды, и в момент пробо  среды измер ют приложенное напр жение , по величине которого определ ют измер емую температуру, о т л и- чающийс  тем, что, с целью повьшени  экономичности и точности, измерительный электрод до. подачи напр жени  отдел ют от среды и контролируемой поверхности слоем диэлектрика , к электроду и контролируемой поверхности прикладывают переменное напр жение , а однородное электрическое поле создают в промежутке между диэлектриком и контролируемой поверхностью , при.этом температура поверхности диэлектрика и среды в промежутке между диэлектриком и контролируемой поверхностью не должна превьпнать температуру контролируемой поверхности.
    5
    0
    5
    0
    5
    0
    Формула изобретени 
    Способ измерени  температуры поверхности электропроводных тел, за- ключающийс  в том, что вблизи контролируемой поверхности на фиксированном рассто нии от нее размещают измерительный электрод, прикладывают к ним электрическое напр жение, создава  при этом однородное электрическое поле, напр женность которого повышают до возникновени  электрического пробо  среды, и в момент пробо  среды измер ют приложенное напр жение , по величине которого определ ют измер емую температуру, о т л и- чающийс  тем, что, с целью повьшени  экономичности и точности, измерительный электрод до. подачи напр жени  отдел ют от среды и контролируемой поверхности слоем диэлектрика , к электроду и контролируемой поверхности прикладывают переменное напр жение , а однородное электрическое поле создают в промежутке между диэлектриком и контролируемой поверхностью , при.этом температура поверхности диэлектрика и среды в промежутке между диэлектриком и контролируемой поверхностью не должна превьпнать температуру контролируемой поверхности.
SU874293817A 1987-08-04 1987-08-04 Способ измерени температуры поверхности электропроводных тел SU1522047A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874293817A SU1522047A1 (ru) 1987-08-04 1987-08-04 Способ измерени температуры поверхности электропроводных тел

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874293817A SU1522047A1 (ru) 1987-08-04 1987-08-04 Способ измерени температуры поверхности электропроводных тел

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1522047A1 true SU1522047A1 (ru) 1989-11-15

Family

ID=21323085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874293817A SU1522047A1 (ru) 1987-08-04 1987-08-04 Способ измерени температуры поверхности электропроводных тел

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1522047A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 498515, кл. G 01 К 7/40, 1976. Авторское свидетельство СССР № 1377620, кл. G 01 К 7/40, 1986. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5872694A (en) Method and apparatus for determining wafer warpage for optimized electrostatic chuck clamping voltage
US4286215A (en) Method and apparatus for the contactless monitoring carrier lifetime in semiconductor materials
KR19990087819A (ko) 플라즈마 처리장치
DE3474853D1 (en) Apparatus and process for the dynamic contactless measuring of small distances
CN109239434B (zh) 表面电位在线监测的测量装置
US2859407A (en) Method and device for measuring semiconductor parameters
SU1522047A1 (ru) Способ измерени температуры поверхности электропроводных тел
US3075902A (en) Jet-electrolytic etching and measuring method
JP3353391B2 (ja) 荷電粒子ビーム照射装置
SU1013836A1 (ru) Способ определени релаксационных переходов в полимерных материалах
SU1312464A1 (ru) Способ прецизионного измерени контактной разности потенциалов при помощи статического конденсатора
SU834486A1 (ru) Способ обнаружени поверхностныхдЕфЕКТОВ B элЕКТРОпРОВОдНыХ издЕли Х
CN111238669B (zh) 用于半导体射频处理装置的温度测量方法
JPS57108264A (en) Operating method for electrostatic adsorbing device
SU1320728A1 (ru) Вихретоковое устройство дл контрол изделий с ограниченным доступом к зоне контрол
SU1326914A1 (ru) Устройство дл измерени гидростатического давлени
SU1377620A1 (ru) Способ измерени температуры электропроводной поверхности
SU426252A1 (ru) Способ определения электрической прочности магнитоуправляемых контактов
SU1317275A1 (ru) Способ контрол геометрических параметров диэлектрических объектов
SU1232936A1 (ru) Устройство дл бесконтактного измерени рассто ний
SU1569593A1 (ru) Способ определени температуры поверхности электропроводного тела
SU1396030A1 (ru) Устройство дл измерени диэлектрических параметров твердых электроизол ционных материалов
SU1531031A1 (ru) Способ измерени поверхностной плотности зар да электрета
SU808834A1 (ru) Способ измерени шероховатостипОВЕРХНОСТи
JPS578464A (en) Layer short circuit detecting device of electric winding