SU151114A1 - Способ питани параметронов, выполненных на полупроводниковых диодах - Google Patents

Description

Известные способы питани  параметронов, выполненных на полупроводниковых диодах, с использованием ключей, собранных на полупроводниковых триодах, недостаточно экономичны.

Предлагаемый способ питани  параметронов более экономичен. Это достигаетс  использованием напр жени  «накачки в качестве источника питани  триодных ключей, а при переключении используетс  эффект перераспределени  напр жени  «накачки между параметронами и полным сопротивлением коллекторного перехода триода ключа.

На. чертеже изображена схема дл  способа питани  параметронов .

Схема имеет: высокочастотный генератор / «накачки ; три ключа 2, 3 и 4; параметроны 5-10, собранные на полупроводниковых диодах D, и трехфазный модул тор 11. Генератор «накачки питает все параметроны , а также -три ключа, собранных на полупроводниковых высокочастотных триодах. Трехфазный мо дул тор обеспечивает насыщение соответствующих ключей по заданной временной тактовой последовательности .

Импульсы трехфазного модул тора, отпирающие ключи, содержат не выше третьей гар.моники тактовой частоты, этим исключаетс  захват фазы параметров.

Генератор «накачки может быть выполнен по двухтактной схеме, по два триода в параллель, и в случае необходимости - стабилизирован кварцем. Необходимо, чтобы триоды ключей имели небольщую емкость и минимальное сопротивление насыщени . Каждый полупроводниковый ключ позвол ет коммутировать возбуждение пор дка двухсот параметронов.

№ 151114- 2 ,Предмет изобретени 

Способ питани  параметронов, выполненных на полупроводниковых диодах, с использованием ключей на полупроводниковых триодах, отличающийс  тем, что, с целью повышени  экономичности устройства питани , напр жение «накачки примен ют в качестве источника питанид триодных ключей, а при переключении используют эффект пе{}е распределени  напр жени  «накачки между параметронами и полным сопротивлением коллекторного перехода триода ключа.