SU1504752A1

SU1504752A1 - Высоковольтное транзисторное переключающее устройство

Info

Publication number: SU1504752A1
Application number: SU874295454A
Authority: SU
Inventors: Григорий Алексеевич Гураль; Ричард-Юрий Евстафьевич Костырка; Наталия Алексеевна Семенюк
Original assignee: Предприятие П/Я В-8751
Priority date: 1987-08-12
Filing date: 1987-08-12
Publication date: 1989-08-30

Abstract

Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано в конверторных источниках питани и цеп х различной радиотехнической аппаратуры. Целью изобретени вл етс повышение быстродействи и снижение динамических потерь в силовом транзисторе при переключени х. Цель достигаетс тем, что силовой высоковольтный транзистор 1 форсированно запираетс с использованием энергии, запасенной в индуктивном накопителе 4. Вли ние индуктивности первичной обмотки индуктивного накопител 4 на процесс включени устройства снижаетс за счет ее шунтировани диодом 7. 2 ил.

Description

31504752

Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано в конверторах вторичных источников питани и в цеп х различной радиотехни- г ческой аппаратуры.

Цель изобретени - повышение быстродействи устройства и уменьшение ди намических потерь путем форсированного запирани высоковольтного транзис-tO тора.

На фиг. 1 и фиг. 2 изображены конструктивные варианты выполнени предлагаемого устройства.

Устройство содержит высоковольтный 15 транзистор 1, вспомогательный низковольтный транзистор 2, низковольтный дополнительный источник 3, плюсовый вывод которого подсоединен к базе высоковольтного транзистора 1, а 20 минусовый вывод - к общему вьшоду устройства, индуктивный накопитель 4, вторична обмотка которого выполнена со средней точкой, первый крайний вьшод которой подсоединен к эмиттеру . 5 высоковольтного транзистора 1, сред- НИИ вывод через диодный переход (диод) 5 - к общей шине ус тройства, второй край- НИИ вывод вторичной обмотки подсоединен к коллектору высоковольтного тран-30 зистора 1 и нагрузке 6, а первична обмотка индуктивного накопител 4 включена последовательно с вспомогательным быстродействующим низковольтным транзистором 2, причем первична 35 обмотка зашунтирована, по крайней мере одним диодным переходом (диодом ) 7.

Устройство работает следующим образом .40

Сигнал управлени поступает на вход управлени вспомогательного низковольтного транзистора 2. При включении вспомогательного низковольтного транзистора 2 через него проте- j кает базовый ток высоковольтного транзистора 1 от источника 3, что приводит к включению всего устройства . Во врем открытого состо ни транзисторов в.индуктивном накопите- ле 4 происходит накопление энергии. При запирании вспомогательного низковольтного транзистора 2 цепь питани эмиттера высоковонтного транзистора 1 разрываетс , а возникша в этот момент ЭДС самоиндукции во вторичной .обмотке индуктивного накопител 4 приводит к протеканию через переходы эмиттер-база и коллектор-база высоковольтного транзистора 1 обратного форсированного тока базы. Этот ток суммируетс с током нагрузки,который в процессе запирани транзистора 1 проходит через переход коллектор-база к источнику 3. В результате суммарный обратный ток базы транзистора 1 может превысить в п раз ток (I кН) коллектора, что приводит к уменьшению в п раз времени рассасывани неосновных носителей и времени формировани отрицательного фронта импульса тока, в результате чего повышаетс быстродействие устройства и уменьшаютс динамические потери,Дп предотвращени задержки по включению ,котора может возникнуть из-за индуктивности в цепи управлени , первична обмотка индуктивного накопител 4 зашунтирована диодным переходом .

Ка фиг. 2 изображен вариант устроства , в котором всомогательный низко вольтньм транзистор 2 вьшолнен в виде транзистора МОП-структуры.

В предлагаемо устройстве (по сравнению с ) существенно уменьшены динамические потери при переключении, в результате чего по- вьщ1ены быстродействие устройства (за счет форсированного запирани транзистора) и частота преобразовани .

Claims

1. Высоковольтное транзисторное переключающее устройство, содержащее цепь из последовательно соединенных основного транзистора, вспомогательного транзистора, база которого предназначено дл подключени к источнику сигнала управлени , и первичной обмотки двухобмоточного индуктивного накопител , предназначенной дл включени последовательно с нагрузкой и источником питани , низковольтный источник питани , включенный между базой основного транзистора и общей точкой устройства, первый и второй диоды, отличающеес тем, что, с целью повышени быстродействи и уменьшени динамических потерь, вторична обмотка ин- ДУКТ1ДВНОГО накопител выполнена в виде двух соединенных.началами обмоток , причем первична обмотка индуктивного накопител включена в силову

цепь вспомогательного транзистора, анод первого диода соединен с общей точкой устройства, катод - со средним выводом вторичной обмотки индук- тивного накопител , крайние выводы которой соединены с коллектором и эмиттером основного транзистора соответственно , анод второго диода соединен с началом первичной обмотки индуктивного накопител ,а катод - с ее.концом,

2. Устройство по п. , отличающеес тем, что вспомогательный транзистор выполнен в виде транзистора МОП-структуры.