SU1390752A1

SU1390752A1 - Ключевой транзисторный преобразователь напр жени

Info

Publication number: SU1390752A1
Application number: SU864145682A
Authority: SU
Inventors: Григорий Алексеевич Гураль; Ричард-Юрий Евстафьевич Костырка; Владимир Николаевич Мельничук
Original assignee: Предприятие П/Я В-8751
Priority date: 1986-11-12
Filing date: 1986-11-12
Publication date: 1988-04-23

Abstract

Изобретение относитс к электротехнике . Цель изобретени - повышение КПД и расширение частотного диапазона . Преобразователь содержит последовательно соединенные быпол р- ный транзистор 1, дроссель 4 и МОП- транзистор 2. Выводы вторичных обмоток дроссел 4 присоединены через соответствующие диоды к коллектору и змиттеру бипол рного транзистора. При запирании МОП-транзистора 2 цель питани эмиттера транзистора 1 разрываетс , а возникша в этот момент ЭДС самоиндукции в вторичной обмотке дроссел 4 вызывает протекание по переходам бипол рного транзистора обратного форсированного тока базы, который, суммиру сь с током нагрузки, уменьшает врем рассасьтани неосновных носителей и врем спада коллекторного тока. 1 ил. с СП

Description

00

со о

О1

ю

Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани и электропривода дл преобразовани по сто нного напр жени в переменное.

Цель изобретени - повьаиение КПД и расширение частотного диапазона преобразовател путем форсировани запирани силового транзистора.

На чертеже показана принципиальна схема предложенного преобразовател ,

Ключевой транзисторный преобразователь напр жени содержит бипол р- ный транзистор 1, вспомогательный быстродействующий низковольтньй МОП-транзистор 2,, низковольтный дополнительный источник 3 питани , плюсовой вывод которого подсоеди- нен к базе бипол рного транзистора 1 а минусовой вывод - к,общему выводу устройства. Дроссель 4 выполнен с вторичной обмоткой, первый вьшод которой через последов ательно соеди- ненные диоды 5 подсоединен к эмиттеру транзистора 1, а второй вывод - к базе транзистора 1, Втора вторична обмотка дроссел 4 одним выводом соединена с базой транзистора 1, а вторым выводом через диод 6 с коллектором транзистора 1. Первична обмотка дроссел 4 соединена первым выводом с эмиттером транзистора 1, вторым выводом через МОП-транзистор 2 с входным питающим выводом преобразовател и шунтирована, по меньшей мере, одним диодом 7.

Преобразователь работает следующим образом.

Импульсы упрат5лени поступают на затвор вспомогато;льного быстродействующего низковольтного МОП-транзистора 2, сток которого запитываетс через переход база эмиттер высоко- вольтного бипол рного транзистора 1 от вспомогательного источника 3. При включении вспомогательного МОП-транзистора 2 от источника 3 протекает базовый ток высоковольтного бипол рного транзистора 1, что приводит к его включению, а в целом к включению обоих транзисторов 1 и 2. Во врем открытого состо 1и обоих транзисторов в дросселе 4 происходит накопление энергии.

При-запирании вспомогательного быстродействующего низковольтного МОП-транзистора- 2 цепь питани эмит

5 0 5 0 с

0

5

тера высоковольтного бипол рного транзистора 1 разрываетс , а возникша в этот момент ЭДС самоиндукции во вторичной обмотке дроссел 4 вызывает по обоим переходам эмиттер-база и коллектор-база высоковольтного бипол рного транзистора обратный форсированный ток базы. Этот ток суммируетс с током нагрузки , который в процессе запирани транзистора 1 проходит через переход коллектор-база к источнику 3. В конечном итоге суммарный базовый ток может превысить в несколько раз ток коллектора, что приведет к уменьшению в несколько раз времени рассасывани неосновных носителей и времени спада тока коллектора. При этом повышаетс быстродействие преобразовател и уменьшаютс динамические потери, так как повБш аетс его КПД.

Дл предотвращени задержки по включению, котора может возникнуть из-за наличи индуктивности в цепи управлени , первична обмотка дроссел 4 зашунтирована диодом 7. Количество диодных переходов 7 и 5 выбираетс из условий необходимого и безопасного накопительного зар да дл форсированного закрывани , а также уверенного включени высоковольтного бипол рного транзистора 1.

о

Claims

Формула изо бретени

Ключевой транзисторный преобразователь напр жени , содержащий бипол рный транзистор, соединенный коллектором с выходным выводом подключени нагрузки, а базой - через вьшоды дл подключени дополнительного источника питани с входным питающим вьшо- дом преобразовател , причем в цепь эмиттера бипол рного транзистора включен последовательно МОП-транзистор , затвор которого соединен с выводом дл подключени источника управл ющих импульсов, отличающий- с тем, что, с целью повышени КПД и расширени частотного диапазона путем форсировани запирани бипол рного транзистора, введен дроссель, первична обмотка которого началом соединена с эмиттером бипол рного транзистора, а концом - со стоком МОП-транзистора, исток которого соединен с входным питающим выводом преобразовател , перва вторична

313907524

обмотка началом соединена с базой би-согласно-последовательно соединенные

пол рного транзистора, а концом черезвторой и третий диоды - с эмиттером

первый цр мовключенный диод - с кол- бипол рного транзистора, причем перлектором бипол рного транзистора, вична обмотка дроссел шунтирована

втора вторична обмотка началом со-пр мовключенным относительно провоединена с базой бипол рного транзис-димости транзисторов по меньшей мере

тора, а концом через пр мовключенныеодним четвертым диодом.