SU1474150A1 - Charge composition for producing segnetoceramic capacitor material - Google Patents
Charge composition for producing segnetoceramic capacitor material Download PDFInfo
- Publication number
- SU1474150A1 SU1474150A1 SU874173943A SU4173943A SU1474150A1 SU 1474150 A1 SU1474150 A1 SU 1474150A1 SU 874173943 A SU874173943 A SU 874173943A SU 4173943 A SU4173943 A SU 4173943A SU 1474150 A1 SU1474150 A1 SU 1474150A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- ceramic
- segnetoceramic
- producing
- technology
- capacitor material
- Prior art date
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано дл изготовлени низкочастотных керамических конденсаторов. Дл повышени диэлектрической проницаемости шихта материала сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки CASNO3, CEO2 и ZRO2 при следующем соотношении компонентов, мас. %: BATIO3 86,37-88,65, CAZRO3 8-5,9,0, MNCO3 0,08-0,10, NB2O5 0,70-0,98, ZNO 0,45-0,70, CASNO3 1,50-2,50, CEO2 0,02-0,15 и ZRO2 0,10-0,20. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют следующие характеристики: ε 15500-17000, TG δ 1,15-2,25X 10-2, ρ V при 100°С 6,0-9,6 ГОм.м, Е пр 7,0-8,4 МВ /м, Тк 10-20°с, температура спекани материала 1260-1280°с. 2 табл.The invention relates to radio electronic technology, in particular, to ceramic dielectric compositions, and can be used to make low frequency ceramic capacitors. To increase the dielectric constant, the charge of the material of the ferroelectric ceramic capacitor material contains as an additive CASNO 3 , CEO 2 and ZRO 2 in the following ratio of components, wt. %: BATIO 3 86.37-88.65, CAZRO 3 8-5.9.0, MNCO 3 0.08-0.10, NB 2 O 5 0.70-0.98, ZNO 0.45-0 , 70, CASNO 3 1.50-2.50, CEO 2 0.02-0.15 and ZRO 2 0.10-0.20. The composition of the material from the proposed mixture obtained by the usual ceramic technology has the following characteristics: ε 15500-17000, TG δ 1.15-2.25 X 10 - 2, ρ V at 100 ° С 6.0-9.6 GOm. pr 7.0-8.4 MV / m, Tk 10-20 ° C, sintering temperature of the material 1260-1280 ° C. 2 tab.
Description
(21)4173943/29-33(21) 4173943 / 29-33
(22)04.01.87(22) 01/04/87
(46) 23.04.89. Бюл. № 15 (72) Э.И.Мамчиц, И.Г.Бертош, В.В.Самойлов, Л.И.Егоров, З.И.Давыдова, Л.Д.Подласенко и В.Ф.Ларичева(46) 04.23.89. Bul № 15 (72) E.I.Mamchits, I.G. Bertosh, V.V.Samoilov, L.I.Egorov, Z.I.Davydova, L.D.Podlasenko and V.F. Laricheva
(53)666.638 (088.8)(53) 666.638 (088.8)
(56)Авторское свидетельство СССР № 1258825, кл. С 04 В 35/46,1986.(56) USSR Copyright Certificate No. 1258825, cl. C 04 B 35 / 46,1986.
Авторское свидетельство СССР № 810643, кл. С 04 В 35/46, 1981.USSR Author's Certificate No. 810643, cl. C 04 B 35/46, 1981.
(54)ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТО- ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА(54) CHARGE PREPARATION FOR THE MANUFACTURE OF FERROELECTRIC CERAMIC CONDENSING MATERIAL
(57)Изобретение относитс к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано дл изготовлени низкочастотных керамических конденсаторов. Дл повышени диэлектрической проницаемости шихта материала сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки CaSn03, СеО и Zr02 при следующем соотношении компонентов, мас.%: BaTiOj 86,37-88,65,CaZr05 8,5-9,0, MnC03 0,08-0,10, 0,70-0,98, ZnO 0,45-0,70, CaSn03 1,50-2,50, Ce02 0,02-0,15 и Zr02 0,10-0,20. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют следующие характеристики: Ј 15500-17000, tg сГ (1,15-2,25) ,Л при 100°С 6,0 - 9,6 ГОм.м, Епр. 7,0-8,4 МВ/м, Тк Ю-20°С, температура спекани материала 1 260-1280°С. 2 табл.(57) The invention relates to radio-electronic technology, in particular, to ceramic dielectric compositions, and can be used to make low-frequency ceramic capacitors. To increase the dielectric constant, the mixture of ferroelectric ceramic capacitor material contains CaSn03, CeO and Zr02 as an additive in the following ratio of components, wt%: BaTiOj 86.37-88.65, CaZr05 8.5-9.0, MnC03 0.08 -0.10, 0.70-0.98, ZnO 0.45-0.70, CaSn03 1.50-2.50, Ce02 0.02-0.15 and Zr02 0.10-0.20. The composition of the material from the proposed mixture obtained according to the usual ceramic technology has the following characteristics: Ј 15500-17000, tg сГ (1.15-2.25), L at 100 ° С 6.0 - 9.6 GOm.m, Ep. 7.0-8.4 MV / m, Tk Yu-20 ° C, sintering temperature of the material 1 260-1280 ° C. 2 tab.
СОWITH
1one
Изобретение относитс к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано дл изготовлени низкочастотных керамических конденсаторов.The invention relates to radio electronic technology, in particular, to ceramic dielectric compositions, and can be used to make low frequency ceramic capacitors.
Цель изобретени - повышение диэлектрической проницаемости материала .The purpose of the invention is to increase the dielectric constant of the material.
Шихту получают следующим образом.The mixture is obtained as follows.
Предварительно известным в керамической технологии способом получают спеки титаната бари , цирконата кальци и станната кальци , которые синтезируют при 1220-1300 С, затем измельчают до удельной поверхности 4000 - 5000 см /г. Измельченные спеки , вз тые в заданном соотношении, смешивают с требуемым количеством углекислого марганца и оксидов цинка, ниоби , цери и циркони .The previously known method in ceramic technology produces specimens of barium titanate, calcium zirconate and calcium stannate, which are synthesized at 1220-1300 C, then crushed to a specific surface of 4000-5000 cm / g. Crushed specimens, taken in a predetermined ratio, are mixed with the required amount of manganese carbonate and oxides of zinc, niobium, cerium, and zirconium.
Полученную смесь измельчают до удельной поверхности 5000-7000 см /г и используют дл получени диэлектрика конденсаторов по прин той в керамическом конденсаторостроении технологии .The resulting mixture is ground to a specific surface of 5000–7000 cm / g and used to obtain a dielectric of capacitors according to the technology adopted in ceramic capacitor building.
-Составы шихты приведены в табл.1; характеристики полученных из шихты материалов - в табл.2.- Compositions of the mixture are given in table 1; characteristics obtained from the mixture of materials in table 2.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874173943A SU1474150A1 (en) | 1987-01-04 | 1987-01-04 | Charge composition for producing segnetoceramic capacitor material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874173943A SU1474150A1 (en) | 1987-01-04 | 1987-01-04 | Charge composition for producing segnetoceramic capacitor material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1474150A1 true SU1474150A1 (en) | 1989-04-23 |
Family
ID=21277610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU874173943A SU1474150A1 (en) | 1987-01-04 | 1987-01-04 | Charge composition for producing segnetoceramic capacitor material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1474150A1 (en) |
-
1987
- 1987-01-04 SU SU874173943A patent/SU1474150A1/en active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4626396A (en) | Method of manufacturing low temperature sintered ceramic materials for use in solid dielectric capacitors of the like | |
| US4626393A (en) | Method of manufacturing low temperature sintered ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like | |
| KR910009892B1 (en) | Ferroelectric ceramic material | |
| US4626395A (en) | Method of manufacturing low temperature sintered ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like | |
| EP0155366A2 (en) | Low temperature sinterable ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture | |
| US4447549A (en) | Non-linear dielectric element | |
| US4054532A (en) | Ceramic dielectric material | |
| KR910009893B1 (en) | Ferroelectric ceramic material | |
| US4700266A (en) | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture | |
| US4700269A (en) | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture | |
| US4226735A (en) | Dielectric ceramic composition and process for its production containing MgTiO3 and Pb3 O4 having a quantitative relationship | |
| SU1474150A1 (en) | Charge composition for producing segnetoceramic capacitor material | |
| US4700265A (en) | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture | |
| EP0256405A1 (en) | Semiconductive ceramic composition | |
| US4723193A (en) | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture | |
| US4468472A (en) | Composition for ceramic dielectrics | |
| US4700264A (en) | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture | |
| SU1458355A1 (en) | Charge for producing segnetoelectric ceramic capacitor material | |
| US4700268A (en) | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture | |
| SU1474149A1 (en) | Charge composition for producing segnetoceramic capacitor material | |
| US4700267A (en) | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture | |
| SU1244129A1 (en) | Charge for manufacturing ferroceramic capacitor material | |
| US3713853A (en) | Ceramic dielectric materials of perovskite barium-lead sodium niobate | |
| JPH05213666A (en) | Dielectric porcelain composition and its production | |
| KR20020012878A (en) | A method for preparing ceramic powders for Y5V type multilayer ceramic Chip Capacitor |