SU1465825A1 - Method of determining parameters of piezoelectric element - Google Patents

Method of determining parameters of piezoelectric element Download PDF

Info

Publication number
SU1465825A1
SU1465825A1 SU864186291A SU4186291A SU1465825A1 SU 1465825 A1 SU1465825 A1 SU 1465825A1 SU 864186291 A SU864186291 A SU 864186291A SU 4186291 A SU4186291 A SU 4186291A SU 1465825 A1 SU1465825 A1 SU 1465825A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
piezoelectric element
piezoelectric
frequency
quality factor
parameters
Prior art date
Application number
SU864186291A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Никитович Зинченко
Игорь Юрьевич Криков
Любовь Владимировна Мешкова
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8941
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8941 filed Critical Предприятие П/Я В-8941
Priority to SU864186291A priority Critical patent/SU1465825A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1465825A1 publication Critical patent/SU1465825A1/en

Links

Landscapes

  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к области электроизмерений и может быть использовано дл  измерени  параметров пьезо- элементов, в том числе в процессе их изготовлени . Целью изобретени   вл етс  расширение функциональных воз- ыожаостей способа за счет определе- ни  частоты антирезонанса, а также за счет обеспечени  контрол  параметров пьезоэлементов в процессе их изготовлени . Способ заключаетс  в подаче на исследуемый пьезоэлемент переменного напр жени  с измен ющейс  частотой, регистрации протекающего через пьезоэлемент тока, измерение частот f и fj, соответствующих максимуму и минимуму тока, при этом напр жение на пьезоэлемент подают где С„ Со 1 через емкость С -- Q К статическа  емкость пьезоэлемеита; К- - коэффициент электромеханической св зи; Q - добротность пьезоэлемента. Подача напр жени  на пьезоэлемент через малую емкость, например через воздушный зазор между поверхностью пьезоэлемента и тскоподвод - щим электродом, дает возможность наf 1 f i р ду с добротностью Q 2(f7+f т определ ть и частоту антирезонанса з.п. ф-лы, 3 ил. 0 1 (Л сThe invention relates to the field of electrical measurements and can be used to measure the parameters of piezoelectric elements, including in the process of their manufacture. The aim of the invention is to expand the functional capabilities of the method by determining the frequency of antiresonance, as well as by ensuring that the parameters of the piezo elements are monitored during their manufacture. The method consists in supplying an alternating voltage with a varying frequency to the piezoelectric cell under test, registering a current flowing through the piezoelectric element, measuring frequencies f and fj corresponding to the maximum and minimum current, while the voltage to the piezoelectric element is fed where C "Co 1 through C - Q К static capacitance of piezoelemite; K- is an electromechanical coupling coefficient; Q - the quality factor of the piezoelectric element. Applying voltage to the piezoelectric element through a small capacitance, for example, through the air gap between the surface of the piezoelectric element and the coupling electrode, allows you to f 1 fi row with a quality factor Q 2 (f7 + f t to determine the frequency of the antiresonance sf f fy , 3 Fig. 0 1 (L with

Description

1one

Изобретение относитс  к способам злектроизмерений и может быть использовано дл . измерени  параметров пьезоэлементов ., в том числе в процессе их изготовлени .The invention relates to electrical measuring methods and can be used for. measurement of parameters of piezoelements., including in the process of their manufacture.

Цель изобретени  - расширение функциональных возможностей способа за счет обеспечени  контрол  параметров пьезоэлементов в процессе их изготовлени .The purpose of the invention is to expand the functional capabilities of the method by ensuring control of the parameters of the piezoelements during their manufacture.

На фиг.1 изображена схема пьезо- элемента (С - статическа  емкость пьезоэлемента; С, L и R - его динамические параметры); на фиг.2 - зависимость модул  проводимости и текающего через пьезоэлемент тока от частоты; на фиг.З - схема устройства , реализующего предлагаемый способ.Figure 1 shows a diagram of a piezoelectric element (C is the static capacity of the piezoelectric element; C, L and R are its dynamic parameters); figure 2 - the dependence of the modulus of conductivity and the current flowing through the piezoelectric element of the frequency; on fig.Z - diagram of the device that implements the proposed method.

Сущность способа заключаетс  в следукщем.The essence of the method is as follows.

Исследуемый пьезоэлемент (фиг.1) подключают к источнику переменного напр жени  через емкость С, . Проводимость последовательно соединенных пьезоэлемента и емкости С определ -; етс  выражениемThe piezoelectric cell under investigation (Fig. 1) is connected to the alternating voltage source through capacitor C,. Conductivity of series-connected piezoelectric element and capacitance C is defined by -; is expressed

SiSi

Од елOd ate

0000

to елto eat

В этом случае модуль проводимости согласно (1) может быть записан в видеIn this case, the conductivity modulus according to (1) can be written as

JA + CAY-Bf ... Y .JA + CAY-Bf ... Y.

- |-ГГу - кр- | -GGu - cr

1+у21 + y2

(3)(3)

1, Способ определени  параметров пьезоэлемента, включающий подачу на пьезоэлемент переменного напр жени  с измен ющейс  частотой, регистрацию- тока, протекающего через пьезо21, Method for determining parameters of a piezoelectric element, including the application of an alternating voltage to a piezoelectric element with a varying frequency, recording the current flowing through piezo 2

Зависимость модул  проводимости и, соответственно, протекающего через пьезоэлемент тока от ч-астоты (фиг.2) имеет экстремумы при у .- 1, 40 протекающего тока, вычисление добротности Q по формулеThe dependence of the conductivity module and, accordingly, the current flowing through the piezoelectric element from the h-frequency (figure 2) has extremes at y-1, 40 flowing current, calculating the quality factor Q by the formula

элемент, измерение частот f и f соответствз щих максимуму и минимумуelement, measurement of frequencies f and f corresponding to the maximum and minimum

откудаfrom where

f, + и f, + and

f. f- f „ -f. f- f „-

ИзOf

QQ

I, С/ f -ь гI, C / f - g

1 с: 2(1 s: 2 (

где Q - добротность пьезоэлемента на частоте антирезонанса.where Q is the quality factor of the piezoelectric element at the frequency of antiresonance.

Устройство реализующее способ изображено на фиг.З.The device implementing the method is shown in FIG.

3535

Claims (2)

Формулаизобретени Invention Formula 1, Способ определени  параметров пьезоэлемента, включающий подачу на пьезоэлемент переменного напр жени  с измен ющейс  частотой, регистрацию- тока, протекающего через пьезо40 протекающего тока, вычисление добротности Q по формуле1, A method for determining the parameters of a piezoelectric element, including applying an alternating voltage to a piezoelectric element with a varying frequency, registering the current flowing through the piezoelectric current flowing through current, calculating the quality factor Q using the formula 22 протекающего тока, вычисление добротности Q по формулеflowing current, calculating the quality factor Q by the formula элемент, измерение частот f и f соответствз щих максимуму и минимумуelement, measurement of frequencies f and f corresponding to the maximum and minimum QQ f, + и f, + and )) отличающийс  тем, что, с целью расширени  функциональных возможностей, переменное напр жение на пьезоэлемент подают через емкостьcharacterized in that, in order to extend the functionality, the alternating voltage to the piezoelectric element is supplied through a capacitance 5050 qb  qb 5555 где С - статическа  емкость пьезо элемента;where C is the static capacitance of the piezo element; К - коэффициент электромеханической св зи, характеризу- гадий материал пьезоэлемента,K is the electromechanical coupling coefficient, characterized by the material of the piezoelectric element, а частоту антирезонанса f. вычисл ют.and the frequency of antiresonance f. calculate. по формулеaccording to the formula f.f. (f, + fe)/2.(f, + fe) / 2. 5146582551465825 2. Способ по п. 1, о т л и ч а. ю - диэлектрический зазор меаду поверх- щ и и с   тем, что переменное нэп- ностью пьезоэлемента и токопровод - р жение на пьезоэлемент подают через щим электродом.2. The method according to p. 1, about tl and h. ω is the dielectric gap between the surface and the fact that the alternating voltage of the piezoelectric element and the conductor - voltage is applied to the piezoelectric element through the junction electrode. /У/. I/ U /. I /4/four СоWith фаз. iphases. i fi Sa fz cpus.2fi sa fz cpus.2
SU864186291A 1986-11-25 1986-11-25 Method of determining parameters of piezoelectric element SU1465825A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864186291A SU1465825A1 (en) 1986-11-25 1986-11-25 Method of determining parameters of piezoelectric element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864186291A SU1465825A1 (en) 1986-11-25 1986-11-25 Method of determining parameters of piezoelectric element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1465825A1 true SU1465825A1 (en) 1989-03-15

Family

ID=21282432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864186291A SU1465825A1 (en) 1986-11-25 1986-11-25 Method of determining parameters of piezoelectric element

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1465825A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4973981A (en) * 1988-12-30 1990-11-27 Am International, Inc. Method of testing components of pulsed droplet deposition apparatus
US5117192A (en) * 1990-01-12 1992-05-26 Leybold Inficon Inc. Control circuitry for quartz crystal deposition monitor
RU2730127C1 (en) * 2019-12-12 2020-08-17 Акционерное общество "Научно-исследовательский инженерный институт" (АО "НИИИ") Piezo-package non-destructive testing method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ГОСТ 12370-80. Авторское свидетельство СССР № 924628, кл. G 01 Н 29/22, 1982. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4973981A (en) * 1988-12-30 1990-11-27 Am International, Inc. Method of testing components of pulsed droplet deposition apparatus
US5117192A (en) * 1990-01-12 1992-05-26 Leybold Inficon Inc. Control circuitry for quartz crystal deposition monitor
RU2730127C1 (en) * 2019-12-12 2020-08-17 Акционерное общество "Научно-исследовательский инженерный институт" (АО "НИИИ") Piezo-package non-destructive testing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Sessler et al. Electromechanical response of cellular electret films
SU1465825A1 (en) Method of determining parameters of piezoelectric element
JPH0259633A (en) Detector for pressure distribution
US5136162A (en) Measuring device in a scanning probe microscope
CN107015030A (en) A kind of surface potential measuring method
SU1651193A1 (en) Method for measuring acoustic signal parameters in media and device thereof
SU1471152A1 (en) Method of determining charge density in dielectrics
JPS6469901A (en) Interval measuring apparatus
RU1798736C (en) Device for measurement of electric potential of charged surface
SU1663410A1 (en) Method and apparatus for measuring deformations
JPH0355515A (en) Temperature compensating circuit for liquid crystal display device
SU1030681A1 (en) Device for measuring pressure
SU1103102A1 (en) Method of graduation force piezo pickup having two piezo elements fixed between two force-transmitting plates
SU1663405A1 (en) Method of detection of part deformations
Li et al. A combined system of piezo-PWP/PEA methods for measuring space charge distribution in solid dielectrics
SU658408A1 (en) Device for measuring piezoelement acoustic fields
SU1390578A1 (en) Method of determining potential of a charged dielectric surface
SU440614A1 (en) Device for measuring the penetration depth of an electric field of a capacitive sensor
SU1522126A1 (en) Method of measuring piezoelectric modulus
SU1663406A1 (en) Method for measuring deformation of structure and device thereof
RU1807306C (en) Device for measuring vibration parameters of parts made of electricity conducting materials
SU1463224A1 (en) Rheograph
CN113176455A (en) Device and method for measuring piezoelectric performance parameters of ferroelectric crystal under strong electric field
SU1168871A1 (en) Method of measuring surface resistance of high-resistant coating on dielectric substrate
JPH05119094A (en) Ferroelectric thin film measuring instrument