SU1465825A1 - Method of determining parameters of piezoelectric element - Google Patents
Method of determining parameters of piezoelectric element Download PDFInfo
- Publication number
- SU1465825A1 SU1465825A1 SU864186291A SU4186291A SU1465825A1 SU 1465825 A1 SU1465825 A1 SU 1465825A1 SU 864186291 A SU864186291 A SU 864186291A SU 4186291 A SU4186291 A SU 4186291A SU 1465825 A1 SU1465825 A1 SU 1465825A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- piezoelectric element
- piezoelectric
- frequency
- quality factor
- parameters
- Prior art date
Links
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области электроизмерений и может быть использовано дл измерени параметров пьезо- элементов, в том числе в процессе их изготовлени . Целью изобретени вл етс расширение функциональных воз- ыожаостей способа за счет определе- ни частоты антирезонанса, а также за счет обеспечени контрол параметров пьезоэлементов в процессе их изготовлени . Способ заключаетс в подаче на исследуемый пьезоэлемент переменного напр жени с измен ющейс частотой, регистрации протекающего через пьезоэлемент тока, измерение частот f и fj, соответствующих максимуму и минимуму тока, при этом напр жение на пьезоэлемент подают где С„ Со 1 через емкость С -- Q К статическа емкость пьезоэлемеита; К- - коэффициент электромеханической св зи; Q - добротность пьезоэлемента. Подача напр жени на пьезоэлемент через малую емкость, например через воздушный зазор между поверхностью пьезоэлемента и тскоподвод - щим электродом, дает возможность наf 1 f i р ду с добротностью Q 2(f7+f т определ ть и частоту антирезонанса з.п. ф-лы, 3 ил. 0 1 (Л сThe invention relates to the field of electrical measurements and can be used to measure the parameters of piezoelectric elements, including in the process of their manufacture. The aim of the invention is to expand the functional capabilities of the method by determining the frequency of antiresonance, as well as by ensuring that the parameters of the piezo elements are monitored during their manufacture. The method consists in supplying an alternating voltage with a varying frequency to the piezoelectric cell under test, registering a current flowing through the piezoelectric element, measuring frequencies f and fj corresponding to the maximum and minimum current, while the voltage to the piezoelectric element is fed where C "Co 1 through C - Q К static capacitance of piezoelemite; K- is an electromechanical coupling coefficient; Q - the quality factor of the piezoelectric element. Applying voltage to the piezoelectric element through a small capacitance, for example, through the air gap between the surface of the piezoelectric element and the coupling electrode, allows you to f 1 fi row with a quality factor Q 2 (f7 + f t to determine the frequency of the antiresonance sf f fy , 3 Fig. 0 1 (L with
Description
1one
Изобретение относитс к способам злектроизмерений и может быть использовано дл . измерени параметров пьезоэлементов ., в том числе в процессе их изготовлени .The invention relates to electrical measuring methods and can be used for. measurement of parameters of piezoelements., including in the process of their manufacture.
Цель изобретени - расширение функциональных возможностей способа за счет обеспечени контрол параметров пьезоэлементов в процессе их изготовлени .The purpose of the invention is to expand the functional capabilities of the method by ensuring control of the parameters of the piezoelements during their manufacture.
На фиг.1 изображена схема пьезо- элемента (С - статическа емкость пьезоэлемента; С, L и R - его динамические параметры); на фиг.2 - зависимость модул проводимости и текающего через пьезоэлемент тока от частоты; на фиг.З - схема устройства , реализующего предлагаемый способ.Figure 1 shows a diagram of a piezoelectric element (C is the static capacity of the piezoelectric element; C, L and R are its dynamic parameters); figure 2 - the dependence of the modulus of conductivity and the current flowing through the piezoelectric element of the frequency; on fig.Z - diagram of the device that implements the proposed method.
Сущность способа заключаетс в следукщем.The essence of the method is as follows.
Исследуемый пьезоэлемент (фиг.1) подключают к источнику переменного напр жени через емкость С, . Проводимость последовательно соединенных пьезоэлемента и емкости С определ -; етс выражениемThe piezoelectric cell under investigation (Fig. 1) is connected to the alternating voltage source through capacitor C,. Conductivity of series-connected piezoelectric element and capacitance C is defined by -; is expressed
SiSi
Од елOd ate
0000
to елto eat
В этом случае модуль проводимости согласно (1) может быть записан в видеIn this case, the conductivity modulus according to (1) can be written as
JA + CAY-Bf ... Y .JA + CAY-Bf ... Y.
- |-ГГу - кр- | -GGu - cr
1+у21 + y2
(3)(3)
1, Способ определени параметров пьезоэлемента, включающий подачу на пьезоэлемент переменного напр жени с измен ющейс частотой, регистрацию- тока, протекающего через пьезо21, Method for determining parameters of a piezoelectric element, including the application of an alternating voltage to a piezoelectric element with a varying frequency, recording the current flowing through piezo 2
Зависимость модул проводимости и, соответственно, протекающего через пьезоэлемент тока от ч-астоты (фиг.2) имеет экстремумы при у .- 1, 40 протекающего тока, вычисление добротности Q по формулеThe dependence of the conductivity module and, accordingly, the current flowing through the piezoelectric element from the h-frequency (figure 2) has extremes at y-1, 40 flowing current, calculating the quality factor Q by the formula
элемент, измерение частот f и f соответствз щих максимуму и минимумуelement, measurement of frequencies f and f corresponding to the maximum and minimum
откудаfrom where
f, + и f, + and
f. f- f „ -f. f- f „-
ИзOf
I, С/ f -ь гI, C / f - g
1 с: 2(1 s: 2 (
где Q - добротность пьезоэлемента на частоте антирезонанса.where Q is the quality factor of the piezoelectric element at the frequency of antiresonance.
Устройство реализующее способ изображено на фиг.З.The device implementing the method is shown in FIG.
3535
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864186291A SU1465825A1 (en) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | Method of determining parameters of piezoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864186291A SU1465825A1 (en) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | Method of determining parameters of piezoelectric element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1465825A1 true SU1465825A1 (en) | 1989-03-15 |
Family
ID=21282432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864186291A SU1465825A1 (en) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | Method of determining parameters of piezoelectric element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1465825A1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4973981A (en) * | 1988-12-30 | 1990-11-27 | Am International, Inc. | Method of testing components of pulsed droplet deposition apparatus |
US5117192A (en) * | 1990-01-12 | 1992-05-26 | Leybold Inficon Inc. | Control circuitry for quartz crystal deposition monitor |
RU2730127C1 (en) * | 2019-12-12 | 2020-08-17 | Акционерное общество "Научно-исследовательский инженерный институт" (АО "НИИИ") | Piezo-package non-destructive testing method |
-
1986
- 1986-11-25 SU SU864186291A patent/SU1465825A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ГОСТ 12370-80. Авторское свидетельство СССР № 924628, кл. G 01 Н 29/22, 1982. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4973981A (en) * | 1988-12-30 | 1990-11-27 | Am International, Inc. | Method of testing components of pulsed droplet deposition apparatus |
US5117192A (en) * | 1990-01-12 | 1992-05-26 | Leybold Inficon Inc. | Control circuitry for quartz crystal deposition monitor |
RU2730127C1 (en) * | 2019-12-12 | 2020-08-17 | Акционерное общество "Научно-исследовательский инженерный институт" (АО "НИИИ") | Piezo-package non-destructive testing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Sessler et al. | Electromechanical response of cellular electret films | |
SU1465825A1 (en) | Method of determining parameters of piezoelectric element | |
JPH0259633A (en) | Detector for pressure distribution | |
US5136162A (en) | Measuring device in a scanning probe microscope | |
CN107015030A (en) | A kind of surface potential measuring method | |
SU1651193A1 (en) | Method for measuring acoustic signal parameters in media and device thereof | |
SU1471152A1 (en) | Method of determining charge density in dielectrics | |
JPS6469901A (en) | Interval measuring apparatus | |
RU1798736C (en) | Device for measurement of electric potential of charged surface | |
SU1663410A1 (en) | Method and apparatus for measuring deformations | |
JPH0355515A (en) | Temperature compensating circuit for liquid crystal display device | |
SU1030681A1 (en) | Device for measuring pressure | |
SU1103102A1 (en) | Method of graduation force piezo pickup having two piezo elements fixed between two force-transmitting plates | |
SU1663405A1 (en) | Method of detection of part deformations | |
Li et al. | A combined system of piezo-PWP/PEA methods for measuring space charge distribution in solid dielectrics | |
SU658408A1 (en) | Device for measuring piezoelement acoustic fields | |
SU1390578A1 (en) | Method of determining potential of a charged dielectric surface | |
SU440614A1 (en) | Device for measuring the penetration depth of an electric field of a capacitive sensor | |
SU1522126A1 (en) | Method of measuring piezoelectric modulus | |
SU1663406A1 (en) | Method for measuring deformation of structure and device thereof | |
RU1807306C (en) | Device for measuring vibration parameters of parts made of electricity conducting materials | |
SU1463224A1 (en) | Rheograph | |
CN113176455A (en) | Device and method for measuring piezoelectric performance parameters of ferroelectric crystal under strong electric field | |
SU1168871A1 (en) | Method of measuring surface resistance of high-resistant coating on dielectric substrate | |
JPH05119094A (en) | Ferroelectric thin film measuring instrument |