SU1443056A1 - Транзисторный модуль - Google Patents

Транзисторный модуль Download PDF

Info

Publication number
SU1443056A1
SU1443056A1 SU874237777A SU4237777A SU1443056A1 SU 1443056 A1 SU1443056 A1 SU 1443056A1 SU 874237777 A SU874237777 A SU 874237777A SU 4237777 A SU4237777 A SU 4237777A SU 1443056 A1 SU1443056 A1 SU 1443056A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
heat sink
connections
module
radio elements
Prior art date
Application number
SU874237777A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Михайлович Еськин
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6510
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6510 filed Critical Предприятие П/Я Р-6510
Priority to SU874237777A priority Critical patent/SU1443056A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1443056A1 publication Critical patent/SU1443056A1/ru

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Description

(21)4237777/24-07
(22)29.04.87
(46) 07.12.88. Бюп. № 45 (72) А.М.Еськин
(53)621.314.61 (088.8)
(56)Домеников В.И. и др. Стабилизированные источники электропитани  судовой радиоэлектронной аппаратуры. Л.: Судостроение, 1971, с.368-372.
(54)ТРАНЗИСТОРНЫЙ МОДУЛЬ
(57)Изобретение относитс  к преобразовательной технике и может быть использовано при конструировании выходных каскадов передатчиков и инверторов большой мощности. Цель изобретени  - уменьшение вли ни  паразитных электрических параметров соединений между элементами транзисторного модул . Сущность изобретени  заключаетс  в том, что соединени  между транзисторами 2 и другими радиоэлементами 11, 12, 13 выполнены в виде пакета плоских шин 3 и 4, наложенного нА теплоотвод 1 со стороны вьгаодов тран- зисторов и перекрывающего по размерам всю область теплоотвода. зан тую
изи  уры. 2.
обра исыходртоетеных ний модуетс  зиси та А ран- етую
транзисторами, шины снабжены штьфька- ми 7 и 8 дл  выполнени  соединений, расположенными со стороны, противоположной теплоотводу, и соосными с ними и с выводами транзисторов отверсти ми . Шины и теплоотвод обеспечивают соединени  по двум измерени м: ши-; рине и длине модул , а соединени  по глубине обеспечиваютс  при помощи выводов транзисторов и жестких металлических штьфьков, установленных на шинах и теплоотводе, при этом кажда  сплошна  шина и теплоотвод, выполн ющий , роль общей коллекторной шины, несмотр  на значительную величину протекающих по ним , токов, представл ют собою эквипотенциальные поверхности. Так как система плоскопараллельных шин обладает минимально возможными омическими сопротивлени ми и индуктивност ми среди проводников одинаковых размеров, но различной конфигурации, обеспечивает дополнительную неравномерность режимов транзисторов из-за соединений. 1 ил.
f
ю
САд
о сл о
Изобретение относитс  к преобразовательной технике и может быть использовано при конструировании выходных каскадов передатчиков и инверто- ров большой мощности.
Целью изобретени   вл етс  уменьшение вли ни  паразитных электрических параметров соединений мезкду транзисторами и радиоэлементами.
На чертеже изображена конструкци  модул , выполненного на бипол рных или лрлевых транзисторах в корпусах со штыревыми выводами.
Основой конструкции модул  слу- жит пр моугольный, оребренный с одной стороны теплоотвод 1 из алюминиевого сплава с провод щим покрытием . Между ребрами теплоотвода 1 установлены тридцать два транзистора 2 а на противоположную сторону тепло- отвода 1 установлен пакет шин 3 и 4. Выводы 5 транзисторов 2 проход т сквозь соосные отверсти  в теплоот- воде 1 и пакете шин 3 и 4, выступа  над последней на несколько миллиметров .
Количество шин в пакете может быть от одного до трех и более в зависимости от схемы модул ,
Пакет DiHH 3 и 4 представл ет собой в данном случае две медные или алюминиевые пластины толщиной 0,51мм , причем амна 3 отделена от теплоотвода 1 и от шины 4 при помощи ди- электрических пластин 6 или воздушных промежутков. В теплоотвод 1 и шины 3 и 4 запрессованы металлические штырьки-контакты 7-9 различной длины, на шину 4 устанавливаютс  изо л торы с контактными штырьками 10.
При сборке модул  контактные штырьки 7 и 8 проход т через отверсти  в шинах 3 и 4 и диэлектрических пластинах 6 таким образом, что сво- бодные концы выводов 5 транзисторов
2и штырьков 7-10 располагаютс  на одном уровне над плоскостью теплоотвода 1, Указанное обсто тельство поз вол ет автоматизировать монтаж моду- л .
Радиоэлементы 11-13 монтируютс  на штырьках 8-10 пакета шин 3 и 4 и штырьках, запрессованных в теплоотвод 1.
Выводы 5 транзисторов 2 соедин ютс  со штьфьками 10 отрезками проволоки 14 одинаковой длины дл  всех одноименных выводов транзисторов модул 
Дл  повьш1ени  общей надежности работы модул  в режимах перегрузок возможно применение дл  этих соединений 14 калиброванной легкоплавкой проволоки , действующей как гшавкие предохранители .
Дп  подключени  в аппаратуру модуль снабжен стандартным многоштьфь- ковым разъемом, контакты которого соединены с шинами 3 и 4 и теплоот- водом короткими проводниками.
В специальных случа х, например, если модуль входит в состав широкополосного усилител  мощности, на выходном трансформаторе с объемным витком шинной конструкции с целью уменьшени  потерь дл  подключени  модул  в схему усилител  шины пакета 3 и 4 продлеваютс  за габариты теплоотвода и соедин ютс  с шинами усилител  непосредственно без разъема.
Располагать шины следует в такой последовательности, чтобы нейтрализовать нежелательные емкостные обратные св зи. Например, при работе модул  на бипол рных транзисторах в усилителе по схеме с общим эмиттером шину 3 Эмиттер следует, разместить между теплоотводом 1 и шиной 4 База. При этом за счет экранирую- щего действи  шины Эмиттер устран етс  вли ние обратной св зи типа коллектор - база.
Преимущества предлагаемой конструкции подтверждены экспериментально Дополнительна  неравномерность электрических режимов транзисторов из-за вли ни  паразитныгс параметров пакета шин не превьш1ает 27, при временах переключени  100 НС,
Снижена трудоемкость изготовлени  соединений деталей модул , уменьшены количество и длина тонких проволочных соединений, а также рассто ние между транзисторами и радиоэлементами , радиоэлементы располагаютс  не в нескольких плоскост х, а все в одной плоскости.
Вместо уголковых и штырьковых кон тактов различной конструкции дл  установки радиоэлементов используютс  однотипные штырьки.

Claims (1)

  1. В результате расположени  радиоэлементов в одной плоскости получена возможность автоматизации монтажа. . Формула изобретени 
    Транзисторный модуль j содержащий п транзисторов, установленных н°а об31443056
    щем теплоотводе, и m радиоэлементов,транзисторов и перекрьгоающего по раз- электрически соединенных с транзисто-мерам всю область теплоотвода, зан - рами и между собой, отличаю-тую транзисторами, причем кажда  ши- щ и и с   тем, что, с целью умень- gна пакета снабжена металлическими шени  вли ни  паразитных электричес-штырьками дл  вьтолнени  соединений,. ких параметров соединений между тран-расположенными со стороны, противо- зистор ми и радиоэлементами, эти сое-положной теплоотводу, и соосными с динени  вьтолнены в виде пакетаними и с выводами транзисторов от- сплошных плоских шин, установленно- юверсти ми. го на теплоотводе со стороны выводов
SU874237777A 1987-04-29 1987-04-29 Транзисторный модуль SU1443056A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874237777A SU1443056A1 (ru) 1987-04-29 1987-04-29 Транзисторный модуль

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874237777A SU1443056A1 (ru) 1987-04-29 1987-04-29 Транзисторный модуль

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1443056A1 true SU1443056A1 (ru) 1988-12-07

Family

ID=21301411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874237777A SU1443056A1 (ru) 1987-04-29 1987-04-29 Транзисторный модуль

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1443056A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6793502B2 (en) Press (non-soldered) contacts for high current electrical connections in power modules
US20070165376A1 (en) Three phase inverter power stage and assembly
EP3723109A1 (en) Dc link capacitor cooling system
CN107851637B (zh) 功率半导体模块
US4167031A (en) Heat dissipating assembly for semiconductor devices
US6611066B2 (en) Power distributor for vehicle
CN106953504B (zh) 电子的线路单元
US6278199B1 (en) Electronic single switch module
US6984887B2 (en) Heatsink arrangement for semiconductor device
GB1271576A (en) Improvements in and relating to semiconductor devices
US4538169A (en) Integrated alternator bridge heat sink
JP2000091498A (ja) 半導体モジュール電極構造
CN101218724A (zh) 高电流电子开关及方法
US10602614B2 (en) Power supply module and power supply device
US11081431B2 (en) Circuit device
US10700043B1 (en) Solid state power switch with optimized heat sink configuration
JPH0397257A (ja) 大電力半導体装置
SU1443056A1 (ru) Транзисторный модуль
US4933804A (en) Interference suppression for semi-conducting switching devices
US10356926B1 (en) Electronic assembly with enhanced high power density
US20230378025A1 (en) Power conversion device
CN219106130U (zh) 一种可控硅模块与电子设备
US20240088110A1 (en) Power converter with at least two power semiconductor modules
CN219106156U (zh) 半导体集成模块及电力电子设备
CN210325791U (zh) 一种便于散热的功率mos模块结构