SU1432609A1 - Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства - Google Patents
Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства Download PDFInfo
- Publication number
- SU1432609A1 SU1432609A1 SU853884877A SU3884877A SU1432609A1 SU 1432609 A1 SU1432609 A1 SU 1432609A1 SU 853884877 A SU853884877 A SU 853884877A SU 3884877 A SU3884877 A SU 3884877A SU 1432609 A1 SU1432609 A1 SU 1432609A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- trigger
- output
- bus
- Prior art date
Links
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Description
ней с вторым коллектором первого п-р-п-транзистора первого разр да, базой трехколлекторного транзистора второго ключевого элемента и выходом первого согласующего элемента, первый и второй коллекторы второго п-р- п-транзистора триггера последнего разр да подключены соответственно к выходу и входу третьего и четвертого согласующих элементов.
1
Изобретение откоситс к вычисли - тельной технике, в частности к запоминающим устройствам (3y)j и может быть составной частью БИС буферного .ЗУ регистрового типа на совмещенных П р-п-р-транзисторных структурах (на инжекционных схемах).
Цель изобретени - упрощение регистра сдвига.
На фиг, 1 приведена электрическа схема регистра; на фиг. 2 - электрическа схема усилительного элемента; на фиг. 3 - временные диагоаммъь
В ка адом i-м разр де регистра (фиг.1) первый 1 и второй 2 двухкол- лекторные п-р-п-тракзисторы охваченные перекрестной св зью по первым коллекторам, и нагрузочный двухкол- лекторный р-п-р-транзистор 3 составл ют i-й триггер,
База второго ключевого трехкол лакторного п-р-п-транзистора 4 данного разр да соединена с коллектором первого одноколлекторного транзистора 5 -и с вторьп и коллекторами транзистора 1 данного разр да и транзистора 2 предьщущего разр да. Эмиттеры транзисторов и 4 и баз транзисторов 3 и 5 соединены с шиной 6 нулевого потенциала.
Коллекторы трехколлекторного транзистора 4 в каждом i-M разр де соединены с первым коллектором транзистора 1 триггера i-ro разр да, входом i-ro усилительного элемента 7 и первым коллектором транзистора 2 триггера (i-l)-ro разр да.
Эмиттеры транзисторов 3 подключены к шине 8 посто нного питани . Эмитеры транзисторов 5 в нечетных разр дах регистра соединены с первой шино 9 импульсного питани Ф, а в четных разр дах - с второй мной 10 импульс jHoro питани Ф,,
На левом конце регистра имеетс вход 11 Запись, подключенный через первый согласую1ций элемент 12 (бу- . фер) к базе транзистора 4, и выход 13 (дл наращивани емкости буферного ЗУ), подключенный через второй согласующий элемент 14 к коллектору- транзистора 4. На правом конце ре0 гистра имеетс вход 15 Считьшание, подключенный чераз третий согласуюг щий элемент 16 к первому коллектору транзистора 2 1-го разр да и выход 17 Готовность,, подключенный через
f} четвертый согласующий элемент 18 к второму коллектору транзистора 2.
Усилительный элемент 7 (фуг.2) состоит из п-р-п-транзистора 19 и нагрузочного р-п-р-транзистора 20,
0 эмиттер которого -подключен к шлне 8 посто нного инжекционного питани . База п-р-п-транзистора 19 вл етс входом усилительного элемента, а его коллектор соединен с базой п-р-п5 транзистора 21 к резистором 22, подключенным к шине 23 питающего напр жени . Между базой и эмиттером транзистора 21 включен диод 24. Коллектор транзистора 21 подключен к шине
0 23, а его эмиттер вл етс соответствующим выходом регистра.
На диаграммах обозначены импульсы напр жени а,Ь - фаз Ф и Ф, соот- , ветственно; с базы транзистора 4
разр да; d - базы транзистора 1 (i-1)-ro разр да и совпадающего с ним по форме (дл рассматриваемого режима работы) напр жени базы транзистора 2 1-го разр да; е - базы транзистора 2 (i-l)-ro разр да и аналогично базы транзистора 1 i-ro разр да; f - базы транзистора 4 (i-1)- го разр да; g.h - соответственно на i-M и (i+1)-M выходах регистра.
Регистр работает следующим образом .
По пгане 8 через нагрузочные транзисторы 3 осуществл етс инжекционно питание посто нным током транзисторов 1 и 2, а по шинам 9 и 10 регистр посто нно возбуждаетс двухфазными неперекрывающимис импульсами (.или фазами) Ф, , Ф (фиг.2), диаграммы а, Ь). В каждом i-м разр де значени посто нного 1„ и импульсного 1„ питающих инжекционных токов св заны соотношением
К , IH 6 -- -I-,.
где К - коэффициент передачи тока по второму коллектору транзистора 1 (или 2). Приведенное соотношение означает, что инжектируемый зар д отводитс из базы транзистора 4 на шину нулевого потенциала через транзистор 2 (i-1)-ro или транзистор 1 i-ro разр да , если один из них открыт. В состо нии 1 триггер находитс , когда транзистор 1 в нем открыт, а транзистор 2 закрыт.
Регистр функционирует по следующему принципу: если при записи (считывании ) по импульсу Ф| (1-1)-й триггер переключилс в 1 (О), а i-й (1-1)-й установлен в О (1) то по следующему импульсу Ф. на i-м выходе регистра формируетс импульс, переключа в 1 i-й триггер и в О (i-1)-й.
В режиме хранени при частично заполненном буферном ЗУ соответствующие разр ды в правой части регистра установлены в 1, а разр ды левой его части в О. Все транзисторы 4 регистра закрыты, поскольку инжектируемый в их базы по импульсам Ф, и
Ф зар д не накапливаетс , а отводит с через один из двух (который открыт ) п-р-п-транзистор. Из базы транзистора 4 1-го разр да инжектируемый зар д отводитс через элемент 12.
При записи нового слова в буферное ЗУ инжектируемый по импульсу Ф, зар д базы транзистора 4 1-го разр да не отводитс , а накапливаетс в нем, вследствие чего транзистор открываетс , 1-й триггер переключаетс в 1 ,
.
на 1-м выходе регистра действует импульс, по которому входное слово записываетс в первую числовую линейку
с 10 15
20
30
35
40
45
50
(ЧЛ) накопител буферного ЗУ. Затем по импульсу Ф инжектируемый зар д накапливаетс в базе транзистора 4 2-го разр да, транзистор открываетс , переключа в 1 2-й триггер и возвраща в О 1-й, импульс действует на 2-м выходе регистра и т.д. Таким
н 1
кообразом при записи с левого конца регистра заноситс маркерна тора сдвигаетс по регистру, и, соответственно , по его выходам пробегает слева направо импульс, продвигающий занесенное слово по ЧЛ накопител .
Рассмотрим динамику формировани импульсов. Предположим, что маркерна 1, сдвига сь по регистру, занеслась в (i-1)-й триггер, а i-й триггер
О. После этого по имустановлен в а
пульсу Ф„ база транзистора 4 в i-м
разр де зар жаетс (фиг.2, диаграмма с), и при достижении порога (примерно 0,7В) транзистор открываетс
25 и отводит зар д базы транзистора 1 (i-l)-ro триггера и транзистора 2 i-ro триггера (фиг.2, диаграмма d), вследствие чего они закрываютс . Разр д баз этих транзисторов харак- геризуетс посто нной времени € Ге с g, где с с- емкость базы, а Гг- - распределенное сопротивление базы транзистора 1 (или 2). Затем начинаетс более медленное наложение зар да в базах транзистора 2(i-1)ro и транзистора 1 i-ro триггеров, характеризуемое , посто нной времени (rg- + r)«Cj, где г - сйпротивле- ние нагрузочного транзистора 3, по величине соизмеримое с rg-.
Когда потенциал баз транзистора 2 (i-1)-ro и транзистора 1 i-ro триггеров достигает порогового значени (фиг.2, диаграмма е), транзисторы открываютс , через вторые коллекторы отвод т зар д базы транзистора 4 i-ro разр да и он закрываетс . Усилительный элемент отрабатывает импульс на третьем коллекторе транзистора 4 (который подобен импульсу на диаграмме d) и формирует положительный импульс на i-M выходе регистра (фиг.2, диаграмма g). Учитыва , чтосГ ь ср, а также то, что порог срабатывани расположен ближе к верхнему пределу рабо чих напр жений (верхний уровень 0,7- 0,8В, нижний О,1-0,2В) в базах п-р-п- трандисторов, можно заключить, что длительность формируемого импульса
определ етс суммарным временем зар да без транзистора 1 (или 2) и транзистора 19 в усилительном элементе. Дальнейшее продвижение маркерной М происходит, если (1+1)й триггер в О. По Ф, происходит зар д базы транзистора 4 (if1)-го разр да (фкг,25 диаграмма f),, и аналогичньск образом формируетс импул..с на (i-i-1
выходе регистра (.фиг „2, диаграмма h) 5 ()й триггер переключаетс в 1 % i-й возврашаетс s C V
На временной диаграмме показана работа регистра при двух запис х под-.| ij р д, поэтому по очередному ммп-ульеу Ф, скова происходит заркд базы трак-, эистора 4 i-ro разр да (ф г,2,, диаг--- рамма с)5 открытие его и разр д без транзистора 1 ()--ro и траизисторз. 0 2. i-ro триггеров (фнг,2;, диаграмма d)J а затем зар д без транзистора 2 ()-го и 1 ранзистора i-ro триггеров (фиг.25 диаграмма вследст- зие чего последние открываютс на 75 i-M выходе формируетс импульс (фкг„25 диаграмма g),
Предположим что до этого граничным был (з.- -1)-й триггеру ко ког да i-й триггер ггереключ5-шс в 1, то -.п ужа он становитс граничным, т.е., на- чикз с неге J все послед тоище триггеры установлены в ;, к позтол-гу по очередному иьгаульсу Ф,, ва (iv1)M импульс не фop шpyйтc (фпг 25 диагра№4а Ь) ,
Таким образом при записи маркерна I продвигаетс по регистру до .тех пор, ГЕОка не. достигнет граничного (разр да, а. длительность формируемого импульса определ етс внутренниг-ш врем зада ощ,нми цеп ми в осковном - суг марнмм временем накоплени зар да в базах п р-п-транзистора 1 (или 2) и транзистора 19 уси.пительного зле- , мента. В инжекционных системах это врем можно регулировать Б широких пределах, измен уровень тока инжек- ции, и можно подобрать такую частоту фазовык импульсов,, чтобы инпупъсы на вь ходах регистра были во времени узь отнекы, т„е. чтобы окончание пульса ка выходе совпадало с началом импульса на ()-м, Длительности -ш1гшьсов Ф( и Ф,,не вл ютс крктичньвШ} они могут быть укорочен- 55 ными (например 5 как покд.зано пункти™ ром на диаграмГ ах ajb) Минимальна длительность иг-шульса фазы определ етс временем зар да базы транзистора 4, а затем разр да через его коллекторы баз транзисторов I и 2. после этого ток инжекции по данной фазе может быть прекращен, поскольку в ненагруженном тра нзисторе зар д в базе. пекоторое врем сохран етс
С - -изтывание произзод.ктсн по импуль- )М о с у Ф 3 а н е с е ни г м ма р к е р к о го О з i-й разр д регистра По следующему
40
импульсу Ф формирует с импульс на J.-M его вьлходе, в О парекпючаатс (1- |) й триггер,; в Г БОЗЕратцаетс 1--й„ и форкационкое слово из (1-1 )й ЗД занос тс в , Затем по импульсу Ф( аналогичным rjOpasoM форг-дарует- с импульс на (1-1)- м выходе и т.д. Маркерна О продвигаетс по регистру до тех nopj пока не достигнет г раничгюго разр да. Если гргк - чны м бьш i-й разр д у то он переключаетс в О 5, после чего граничным с гановит- с уже (1-|-1)-й За та.;сок цикл массив хранимых в ЗУ даккы,;-: сдвигаетс на одну ЧЛ R выходу Фор№фование имггуль С-ОБ внутрекни и врем зздаювщми деп - г-5к происходит так r-ice,; как н при запи
с
3 структуре регистра заложено на ,цежное вре меккоб: разделение зкутрек-. лих сигналов,; кг удай триггер переключаетс в О и Г по разным фазам И1.шульсь: на двух соседних выходах регистра так же фор шру;отс по разным фазам и не перекрываютс ; вследствие этого не вознир;ает сквозных переносов и конфликтньк ситуаций при одновременном считывании к записи - а.пнсь и считывание возможны по каждо- угу импульсу Ф, ,
Б регистре кет необходимости иметь устаковочн по цепь типа Начальный сброс, поскольку под действием фаз в правой части регистра всегда накапливаютс 1, аз левс1Й части О „ Чтобы подготовить регистр к г аботе необходимо после включени питани по,дать серии импульсов Считывание ,и тем самым очистить регистр.
Дд7 нараЕЩвгни емкости буферного ЗУ вход 15 и выход 17 предыдзлдего регистра соедин готс соответственно с выходом i 3 и входом 11 последующего
Предлагаегсый регистр упрощен,, поскольку в ка;1сдом разр де содерйшт, усилителханого элемента, всего
ij 0 5
п
5
0
импульсу Ф формирует с импульс на J.-M его вьлходе, в О парекпючаатс (1- |) й триггер,; в Г БОЗЕратцаетс 1--й„ и форкационкое слово из (1-1 )й ЗД занос тс в , Затем по импульсу Ф( аналогичным rjOpasoM форг-дарует- с импульс на (1-1)- м выходе и т.д. Маркерна О продвигаетс по регистру до тех nopj пока не достигнет г раничгюго разр да. Если гргк - чны м бьш i-й разр д у то он переключаетс в О 5, после чего граничным с гановит- с уже (1-|-1)-й За та.;сок цикл массив хранимых в ЗУ даккы,;-: сдвигаетс на одну ЧЛ R выходу Фор№фование имггуль С-ОБ внутрекни и врем зздаювщми деп - г-5к происходит так r-ice,; как н при запи
с
3 структуре регистра заложено на ,цежное вре меккоб: разделение зкутрек-. лих сигналов,; кг удай триггер переключаетс в О и Г по разным фазам И1.шульсь: на двух соседних выходах регистра так же фор шру;отс по разным фазам и не перекрываютс ; вследствие этого не вознир;ает сквозных переносов и конфликтньк ситуаций при одновременном считывании к записи - а.пнсь и считывание возможны по каждо- угу импульсу Ф, ,
Б регистре кет необходимости иметь устаковочн по цепь типа Начальный сброс, поскольку под действием фаз в правой части регистра всегда накапливаютс 1, аз левс1Й части О „ Чтобы подготовить регистр к г аботе необходимо после включени питани по,дать серии импульсов Считывание ,и тем самым очистить регистр.
Дд7 нараЕЩвгни емкости буферного ЗУ вход 15 и выход 17 предыдзлдего регистра соедин готс соответственно с выходом i 3 и входом 11 последующего
Предлагаегсый регистр упрощен,, поскольку в ка;1сдом разр де содерйшт, усилителханого элемента, всего
три п-р-п-траьзистора и совмещенные с ними нагрузочные р-п-р-транзисторы. Упрощение, достигнутое за счет совмещени функциональных узлов регистра , обеспечиваетс благодар использованию особых свойств инжекционных п-р-п-р-транзисторных структур; возможности регулировани в широких пределах задержки срабатывани п-р-п- транзисторов (и,в частности, триггер- ных структур, не наруша при этом их устойчивости) и удобства составлени ло1 ического элемента простым
объединением двух выходов на один вход - базу п-р-п-транзистора.
Упрощение регистра позвол ет значительно увеличить емкость буферного ЗУ. Расчетный вариант буферного ЗУ (по стандартной технологии Изо- планар с 4-мкм-транзисторами), содержащего предлагаемый регистр и регистровый накопитель: емкость 4 кбит (организаци 512 х 8 разр дов), максимальна частота фаз (записи- с читывани ) 8 МГц, длительность импульсов Ф , Ф. 50-60 НС.
W
f/T
иг.1
Фиг. 2
IB
Г0,
rO-JTl
Редактор В.Петраш
Составитель Л.Амусьева
Техред Л.Сердюкова Корректор В.Романенко
Заказ 5450/46
Тираж 590
ВПИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытии 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5
Подписное
Claims (1)
- РЕГИСТР СДВИГА ДЛЯ БУФЕРНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА,содержащий в каждом разряде триггер, выполненный на первом и втором двухколлекторных п-р-п-транзисторах с перекрестными связями по первым коллекторам, нагрузочный двухколлекторный р-п-р-транзистор,база которого соединен с эмиттерами п—р-п-транзисторов триггера и шиной нулевого потенциала, первый и второй коллекторы нагрузочного двухколлекторного транзистора соединены соответственно с базой первого и второго п-р-п-транзисторов триггера, усилительный элемент, выход которого является выходом соответствующего разряда, эмиттер нагрузочного -двухколлекторного транзистора подключен к шине постоянного питания, первый и второй согласующие элементы, вход одного из которых подключен к шине Запись, а выход другого является первым выходом регистра, третий и четвертый согласующие элементы, вход одного из которых подключен к шине Считывание, а выход другого является вторым выходом регистра, шины постоянного импульсного питания, отличающййся тем, что, с целью упрощения регистра сдвига, каждый разряд его содержит первый ключевой элемент на р-п-ртранзисторе и второй ключевой элемент на трехколлекторном п-р-п-транзисторе, причем в каждом разряде кроме первого, база трехколлекторного п-р-птранзистора второго ключевого элемен та соединена с вторым коллектором первого п-р-п-транзистора триггера, коллектором р-п-р-транзистора первого ключевого элемента и вторым коллектором второго п-р-п-транзистора триггера предыдущего разряда, база р—1-р-транзистора первого ключевого элемента соединена с шиной нулевого потенциала, а эмиттер р-п-р-транзистора первого ключевого элемента в каждом нечетном разряде подключен к первой шине импульсного питания, а в каждом четном разряде подключен к второй шине импульсного питания, 'S1432609 А1 эмиттер трехколлекторного п-р-п-тран зистора второго ключевого элемента в каждом разряде подключен к шине нулевого потенциала, первый его коллектор подключен к первому коллектору первого п-р-п-транзистора триггера данного разряда, второй коллектор соеди нен с входом усилительного элемента, а третий его коллектор, кроме первого, соединен с первым коллектором второго п-р-п-транзистора триггера предыдущего разряда, третий· коллектор трехколлекторного п-р-п-транзистора в первом разряде подключен к входу второго согласующего элемента, а коллектор первого р-п-р-транзистора первого ключевого элемента соеди1432609 нен с вторым коллектором первого п-р-п-транзистора первого разряда, базой трехколлекторного транзистора второго ключевого элемента и выходом первого согласующего элемента, пер вый и второй коллекторы второго п-рп-транзистора триггера последнего разряда подключены соответственно к выходу и входу третьего и четвертого согласующих элементов.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853884877A SU1432609A1 (ru) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853884877A SU1432609A1 (ru) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1432609A1 true SU1432609A1 (ru) | 1988-10-23 |
Family
ID=21173370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853884877A SU1432609A1 (ru) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1432609A1 (ru) |
-
1985
- 1985-04-15 SU SU853884877A patent/SU1432609A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 974411, кл. G 11 С 19/00, 1980. Микроэлектроника, 1982, т.11, вып.5, с.434, рис.3. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4603403A (en) | Data output circuit for dynamic memory device | |
KR100277136B1 (ko) | 드레인 파워서플라이 | |
US3440444A (en) | Driver-sense circuit arrangement | |
EP0030813B1 (en) | Boosting circuits | |
US4720815A (en) | Semiconductor memory device in form of shift register with two-phase clock signal supply | |
US4039861A (en) | Cross-coupled charge transfer sense amplifier circuits | |
US6486719B2 (en) | Flip-flop circuits having digital-to-time conversion latches therein | |
EP0053428B1 (en) | A memory device including a sense amplifier | |
KR100745849B1 (ko) | 집적 회로, 감지 증폭기 회로 및 전압 스윙 제한 방법 | |
KR950001430B1 (ko) | 전류 감지 증폭 회로 | |
GB1567508A (en) | Memory array | |
SE422853B (sv) | Metod for les- och/eller skivaccess till minnen och krets for genomforande av metoden | |
EP0408032A2 (en) | Data output control circuit for semiconductor storage device | |
EP0030130B1 (en) | An oscillator and an eprom including such an oscillator | |
US4000429A (en) | Semiconductor circuit device | |
US7872514B2 (en) | Latch circuit and clock signal dividing circuit | |
EP0470394B1 (en) | Semiconductor memory device with current to voltage conversion amplifier | |
US4431927A (en) | MOS Capacitive bootstrapping trigger circuit for a clock generator | |
EP0015554A1 (en) | Comparator circuit | |
US4982117A (en) | Address transition detector circuit | |
US4570083A (en) | Digital circuit | |
US4447893A (en) | Semiconductor read only memory device | |
EP0016821B1 (en) | Data storage system for storing multilevel signals | |
SU1432609A1 (ru) | Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства | |
EP0241637B1 (en) | Sense circuit for multilevel storage system |