SU1432609A1 - Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства - Google Patents

Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства Download PDF

Info

Publication number
SU1432609A1
SU1432609A1 SU853884877A SU3884877A SU1432609A1 SU 1432609 A1 SU1432609 A1 SU 1432609A1 SU 853884877 A SU853884877 A SU 853884877A SU 3884877 A SU3884877 A SU 3884877A SU 1432609 A1 SU1432609 A1 SU 1432609A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
collector
trigger
output
bus
Prior art date
Application number
SU853884877A
Other languages
English (en)
Inventor
Вадим Иванович Вешняков
Олег Григорьевич Мороз-Подворчан
Иван Семенович Гавриленко
Александр Александрович Сергеев
Original Assignee
Институт кибернетики им.В.М.Глушкова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт кибернетики им.В.М.Глушкова filed Critical Институт кибернетики им.В.М.Глушкова
Priority to SU853884877A priority Critical patent/SU1432609A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1432609A1 publication Critical patent/SU1432609A1/ru

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Description

ней с вторым коллектором первого п-р-п-транзистора первого разр да, базой трехколлекторного транзистора второго ключевого элемента и выходом первого согласующего элемента, первый и второй коллекторы второго п-р- п-транзистора триггера последнего разр да подключены соответственно к выходу и входу третьего и четвертого согласующих элементов.
1
Изобретение откоситс  к вычисли - тельной технике, в частности к запоминающим устройствам (3y)j и может быть составной частью БИС буферного .ЗУ регистрового типа на совмещенных П р-п-р-транзисторных структурах (на инжекционных схемах).
Цель изобретени  - упрощение регистра сдвига.
На фиг, 1 приведена электрическа  схема регистра; на фиг. 2 - электрическа  схема усилительного элемента; на фиг. 3 - временные диагоаммъь
В ка адом i-м разр де регистра (фиг.1) первый 1 и второй 2 двухкол- лекторные п-р-п-тракзисторы охваченные перекрестной св зью по первым коллекторам, и нагрузочный двухкол- лекторный р-п-р-транзистор 3 составл ют i-й триггер,
База второго ключевого трехкол лакторного п-р-п-транзистора 4 данного разр да соединена с коллектором первого одноколлекторного транзистора 5 -и с вторьп и коллекторами транзистора 1 данного разр да и транзистора 2 предьщущего разр да. Эмиттеры транзисторов и 4 и баз транзисторов 3 и 5 соединены с шиной 6 нулевого потенциала.
Коллекторы трехколлекторного транзистора 4 в каждом i-M разр де соединены с первым коллектором транзистора 1 триггера i-ro разр да, входом i-ro усилительного элемента 7 и первым коллектором транзистора 2 триггера (i-l)-ro разр да.
Эмиттеры транзисторов 3 подключены к шине 8 посто нного питани . Эмитеры транзисторов 5 в нечетных разр  дах регистра соединены с первой шино 9 импульсного питани  Ф, а в четных разр дах - с второй  мной 10 импульс jHoro питани  Ф,,
На левом конце регистра имеетс  вход 11 Запись, подключенный через первый согласую1ций элемент 12 (бу- . фер) к базе транзистора 4, и выход 13 (дл  наращивани  емкости буферного ЗУ), подключенный через второй согласующий элемент 14 к коллектору- транзистора 4. На правом конце ре0 гистра имеетс  вход 15 Считьшание, подключенный чераз третий согласуюг щий элемент 16 к первому коллектору транзистора 2 1-го разр да и выход 17 Готовность,, подключенный через
f} четвертый согласующий элемент 18 к второму коллектору транзистора 2.
Усилительный элемент 7 (фуг.2) состоит из п-р-п-транзистора 19 и нагрузочного р-п-р-транзистора 20,
0 эмиттер которого -подключен к шлне 8 посто нного инжекционного питани . База п-р-п-транзистора 19  вл етс  входом усилительного элемента, а его коллектор соединен с базой п-р-п5 транзистора 21 к резистором 22, подключенным к шине 23 питающего напр жени . Между базой и эмиттером транзистора 21 включен диод 24. Коллектор транзистора 21 подключен к шине
0 23, а его эмиттер  вл етс  соответствующим выходом регистра.
На диаграммах обозначены импульсы напр жени  а,Ь - фаз Ф и Ф, соот- , ветственно; с базы транзистора 4
разр да; d - базы транзистора 1 (i-1)-ro разр да и совпадающего с ним по форме (дл  рассматриваемого режима работы) напр жени  базы транзистора 2 1-го разр да; е - базы транзистора 2 (i-l)-ro разр да и аналогично базы транзистора 1 i-ro разр да; f - базы транзистора 4 (i-1)- го разр да; g.h - соответственно на i-M и (i+1)-M выходах регистра.
Регистр работает следующим образом .
По пгане 8 через нагрузочные транзисторы 3 осуществл етс  инжекционно питание посто нным током транзисторов 1 и 2, а по шинам 9 и 10 регистр посто нно возбуждаетс  двухфазными неперекрывающимис  импульсами (.или фазами) Ф, , Ф (фиг.2), диаграммы а, Ь). В каждом i-м разр де значени  посто нного 1„ и импульсного 1„ питающих инжекционных токов св заны соотношением
К , IH 6 -- -I-,.
где К - коэффициент передачи тока по второму коллектору транзистора 1 (или 2). Приведенное соотношение означает, что инжектируемый зар д отводитс  из базы транзистора 4 на шину нулевого потенциала через транзистор 2 (i-1)-ro или транзистор 1 i-ro разр да , если один из них открыт. В состо нии 1 триггер находитс , когда транзистор 1 в нем открыт, а транзистор 2 закрыт.
Регистр функционирует по следующему принципу: если при записи (считывании ) по импульсу Ф| (1-1)-й триггер переключилс  в 1 (О), а i-й (1-1)-й установлен в О (1) то по следующему импульсу Ф. на i-м выходе регистра формируетс  импульс, переключа  в 1 i-й триггер и в О (i-1)-й.
В режиме хранени  при частично заполненном буферном ЗУ соответствующие разр ды в правой части регистра установлены в 1, а разр ды левой его части в О. Все транзисторы 4 регистра закрыты, поскольку инжектируемый в их базы по импульсам Ф, и
Ф зар д не накапливаетс , а отводит с  через один из двух (который открыт ) п-р-п-транзистор. Из базы транзистора 4 1-го разр да инжектируемый зар д отводитс  через элемент 12.
При записи нового слова в буферное ЗУ инжектируемый по импульсу Ф, зар д базы транзистора 4 1-го разр да не отводитс , а накапливаетс  в нем, вследствие чего транзистор открываетс , 1-й триггер переключаетс  в 1 ,
.
на 1-м выходе регистра действует импульс, по которому входное слово записываетс  в первую числовую линейку
с 10 15
20
30
35
40
45
50
(ЧЛ) накопител  буферного ЗУ. Затем по импульсу Ф инжектируемый зар д накапливаетс  в базе транзистора 4 2-го разр да, транзистор открываетс , переключа  в 1 2-й триггер и возвраща  в О 1-й, импульс действует на 2-м выходе регистра и т.д. Таким
н 1
кообразом при записи с левого конца регистра заноситс  маркерна  тора  сдвигаетс  по регистру, и, соответственно , по его выходам пробегает слева направо импульс, продвигающий занесенное слово по ЧЛ накопител .
Рассмотрим динамику формировани  импульсов. Предположим, что маркерна  1, сдвига сь по регистру, занеслась в (i-1)-й триггер, а i-й триггер
О. После этого по имустановлен в а
пульсу Ф„ база транзистора 4 в i-м
разр де зар жаетс  (фиг.2, диаграмма с), и при достижении порога (примерно 0,7В) транзистор открываетс 
25 и отводит зар д базы транзистора 1 (i-l)-ro триггера и транзистора 2 i-ro триггера (фиг.2, диаграмма d), вследствие чего они закрываютс . Разр д баз этих транзисторов харак- геризуетс  посто нной времени € Ге с g, где с с- емкость базы, а Гг- - распределенное сопротивление базы транзистора 1 (или 2). Затем начинаетс  более медленное наложение зар да в базах транзистора 2(i-1)ro и транзистора 1 i-ro триггеров, характеризуемое , посто нной времени (rg- + r)«Cj, где г - сйпротивле- ние нагрузочного транзистора 3, по величине соизмеримое с rg-.
Когда потенциал баз транзистора 2 (i-1)-ro и транзистора 1 i-ro триггеров достигает порогового значени  (фиг.2, диаграмма е), транзисторы открываютс , через вторые коллекторы отвод т зар д базы транзистора 4 i-ro разр да и он закрываетс . Усилительный элемент отрабатывает импульс на третьем коллекторе транзистора 4 (который подобен импульсу на диаграмме d) и формирует положительный импульс на i-M выходе регистра (фиг.2, диаграмма g). Учитыва , чтосГ ь ср, а также то, что порог срабатывани  расположен ближе к верхнему пределу рабо чих напр жений (верхний уровень 0,7- 0,8В, нижний О,1-0,2В) в базах п-р-п- трандисторов, можно заключить, что длительность формируемого импульса
определ етс  суммарным временем зар  да без транзистора 1 (или 2) и транзистора 19 в усилительном элементе. Дальнейшее продвижение маркерной М происходит, если (1+1)й триггер в О. По Ф, происходит зар д базы транзистора 4 (if1)-го разр да (фкг,25 диаграмма f),, и аналогичньск образом формируетс  импул..с на (i-i-1
выходе регистра (.фиг „2, диаграмма h) 5 ()й триггер переключаетс  в 1 % i-й возврашаетс  s C V
На временной диаграмме показана работа регистра при двух запис х под-.| ij р д, поэтому по очередному ммп-ульеу Ф, скова происходит заркд базы трак-, эистора 4 i-ro разр да (ф г,2,, диаг--- рамма с)5 открытие его и разр д без транзистора 1 ()--ro и траизисторз. 0 2. i-ro триггеров (фнг,2;, диаграмма d)J а затем зар д без транзистора 2 ()-го и 1 ранзистора i-ro триггеров (фиг.25 диаграмма вследст- зие чего последние открываютс  на 75 i-M выходе формируетс  импульс (фкг„25 диаграмма g),
Предположим что до этого граничным был (з.- -1)-й триггеру ко ког да i-й триггер ггереключ5-шс  в 1, то -.п ужа он становитс  граничным, т.е., на- чикз  с неге J все послед тоище триггеры установлены в ;, к позтол-гу по очередному иьгаульсу Ф,, ва (iv1)M импульс не фop шpyйтc  (фпг 25 диагра№4а Ь) ,
Таким образом при записи маркерна  I продвигаетс  по регистру до .тех пор, ГЕОка не. достигнет граничного (разр да, а. длительность формируемого импульса определ етс  внутренниг-ш врем зада ощ,нми цеп ми в осковном - суг марнмм временем накоплени  зар да в базах п р-п-транзистора 1 (или 2) и транзистора 19 уси.пительного зле- , мента. В инжекционных системах это врем  можно регулировать Б широких пределах, измен   уровень тока инжек- ции, и можно подобрать такую частоту фазовык импульсов,, чтобы инпупъсы на вь ходах регистра были во времени узь отнекы, т„е. чтобы окончание пульса ка выходе совпадало с началом импульса на ()-м, Длительности -ш1гшьсов Ф( и Ф,,не  вл ютс  крктичньвШ} они могут быть укорочен- 55 ными (например 5 как покд.зано пункти™ ром на диаграмГ ах ajb) Минимальна  длительность иг-шульса фазы определ етс  временем зар да базы транзистора 4, а затем разр да через его коллекторы баз транзисторов I и 2. после этого ток инжекции по данной фазе может быть прекращен, поскольку в ненагруженном тра нзисторе зар д в базе. пекоторое врем  сохран етс 
С - -изтывание произзод.ктсн по импуль- )М о с у Ф 3 а н е с е ни г м ма р к е р к о го О з i-й разр д регистра По следующему
40
импульсу Ф формирует с  импульс на J.-M его вьлходе, в О парекпючаатс  (1- |) й триггер,; в Г БОЗЕратцаетс  1--й„ и форкационкое слово из (1-1 )й ЗД занос тс  в , Затем по импульсу Ф( аналогичным rjOpasoM форг-дарует- с  импульс на (1-1)- м выходе и т.д. Маркерна  О продвигаетс  по регистру до тех nopj пока не достигнет г раничгюго разр да. Если гргк - чны м бьш i-й разр д у то он переключаетс  в О 5, после чего граничным с гановит- с  уже (1-|-1)-й За та.;сок цикл массив хранимых в ЗУ даккы,;-: сдвигаетс  на одну ЧЛ R выходу Фор№фование имггуль С-ОБ внутрекни и врем зздаювщми деп - г-5к происходит так r-ice,; как н при запи
с
3 структуре регистра заложено на ,цежное вре меккоб: разделение зкутрек-. лих сигналов,; кг удай триггер переключаетс  в О и Г по разным фазам И1.шульсь: на двух соседних выходах регистра так же фор шру;отс  по разным фазам и не перекрываютс ; вследствие этого не вознир;ает сквозных переносов и конфликтньк ситуаций при одновременном считывании к записи -  а.пнсь и считывание возможны по каждо- угу импульсу Ф, ,
Б регистре кет необходимости иметь устаковочн по цепь типа Начальный сброс, поскольку под действием фаз в правой части регистра всегда накапливаютс  1, аз левс1Й части О „ Чтобы подготовить регистр к г аботе необходимо после включени  питани  по,дать серии импульсов Считывание ,и тем самым очистить регистр.
Дд7  нараЕЩвгни  емкости буферного ЗУ вход 15 и выход 17 предыдзлдего регистра соедин готс  соответственно с выходом i 3 и входом 11 последующего
Предлагаегсый регистр упрощен,, поскольку в ка;1сдом разр де содерйшт, усилителханого элемента, всего
ij 0 5
п
5
0
импульсу Ф формирует с  импульс на J.-M его вьлходе, в О парекпючаатс  (1- |) й триггер,; в Г БОЗЕратцаетс  1--й„ и форкационкое слово из (1-1 )й ЗД занос тс  в , Затем по импульсу Ф( аналогичным rjOpasoM форг-дарует- с  импульс на (1-1)- м выходе и т.д. Маркерна  О продвигаетс  по регистру до тех nopj пока не достигнет г раничгюго разр да. Если гргк - чны м бьш i-й разр д у то он переключаетс  в О 5, после чего граничным с гановит- с  уже (1-|-1)-й За та.;сок цикл массив хранимых в ЗУ даккы,;-: сдвигаетс  на одну ЧЛ R выходу Фор№фование имггуль С-ОБ внутрекни и врем зздаювщми деп - г-5к происходит так r-ice,; как н при запи
с
3 структуре регистра заложено на ,цежное вре меккоб: разделение зкутрек-. лих сигналов,; кг удай триггер переключаетс  в О и Г по разным фазам И1.шульсь: на двух соседних выходах регистра так же фор шру;отс  по разным фазам и не перекрываютс ; вследствие этого не вознир;ает сквозных переносов и конфликтньк ситуаций при одновременном считывании к записи -  а.пнсь и считывание возможны по каждо- угу импульсу Ф, ,
Б регистре кет необходимости иметь устаковочн по цепь типа Начальный сброс, поскольку под действием фаз в правой части регистра всегда накапливаютс  1, аз левс1Й части О „ Чтобы подготовить регистр к г аботе необходимо после включени  питани  по,дать серии импульсов Считывание ,и тем самым очистить регистр.
Дд7  нараЕЩвгни  емкости буферного ЗУ вход 15 и выход 17 предыдзлдего регистра соедин готс  соответственно с выходом i 3 и входом 11 последующего
Предлагаегсый регистр упрощен,, поскольку в ка;1сдом разр де содерйшт, усилителханого элемента, всего
три п-р-п-траьзистора и совмещенные с ними нагрузочные р-п-р-транзисторы. Упрощение, достигнутое за счет совмещени  функциональных узлов регистра , обеспечиваетс  благодар  использованию особых свойств инжекционных п-р-п-р-транзисторных структур; возможности регулировани  в широких пределах задержки срабатывани  п-р-п- транзисторов (и,в частности, триггер- ных структур, не наруша  при этом их устойчивости) и удобства составлени  ло1 ического элемента простым
объединением двух выходов на один вход - базу п-р-п-транзистора.
Упрощение регистра позвол ет значительно увеличить емкость буферного ЗУ. Расчетный вариант буферного ЗУ (по стандартной технологии Изо- планар с 4-мкм-транзисторами), содержащего предлагаемый регистр и регистровый накопитель: емкость 4 кбит (организаци  512 х 8 разр дов), максимальна  частота фаз (записи- с читывани ) 8 МГц, длительность импульсов Ф , Ф. 50-60 НС.
W
f/T
иг.1
Фиг. 2
IB
Г0,
rO-JTl
Редактор В.Петраш
Составитель Л.Амусьева
Техред Л.Сердюкова Корректор В.Романенко
Заказ 5450/46
Тираж 590
ВПИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытии 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5
Подписное

Claims (1)

  1. РЕГИСТР СДВИГА ДЛЯ БУФЕРНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА,содержащий в каждом разряде триггер, выполненный на первом и втором двухколлекторных п-р-п-транзисторах с перекрестными связями по первым коллекторам, нагрузочный двухколлекторный р-п-р-транзистор,база которого соединен с эмиттерами п—р-п-транзисторов триггера и шиной нулевого потенциала, первый и второй коллекторы нагрузочного двухколлекторного транзистора соединены соответственно с базой первого и второго п-р-п-транзисторов триггера, усилительный элемент, выход которого является выходом соответствующего разряда, эмиттер нагрузочного -двухколлекторного транзистора подключен к шине постоянного питания, первый и второй согласующие элементы, вход одного из которых подключен к шине Запись, а выход другого является первым выходом регистра, третий и четвертый согласующие элементы, вход одного из которых подключен к шине Считывание, а выход другого является вторым выходом регистра, шины постоянного импульсного питания, отличающййся тем, что, с целью упрощения регистра сдвига, каждый разряд его содержит первый ключевой элемент на р-п-ртранзисторе и второй ключевой элемент на трехколлекторном п-р-п-транзисторе, причем в каждом разряде кроме первого, база трехколлекторного п-р-птранзистора второго ключевого элемен та соединена с вторым коллектором первого п-р-п-транзистора триггера, коллектором р-п-р-транзистора первого ключевого элемента и вторым коллектором второго п-р-п-транзистора триггера предыдущего разряда, база р—1-р-транзистора первого ключевого элемента соединена с шиной нулевого потенциала, а эмиттер р-п-р-транзистора первого ключевого элемента в каждом нечетном разряде подключен к первой шине импульсного питания, а в каждом четном разряде подключен к второй шине импульсного питания, 'S
    1432609 А1 эмиттер трехколлекторного п-р-п-тран зистора второго ключевого элемента в каждом разряде подключен к шине нулевого потенциала, первый его коллектор подключен к первому коллектору первого п-р-п-транзистора триггера данного разряда, второй коллектор соеди нен с входом усилительного элемента, а третий его коллектор, кроме первого, соединен с первым коллектором второго п-р-п-транзистора триггера предыдущего разряда, третий· коллектор трехколлекторного п-р-п-транзистора в первом разряде подключен к входу второго согласующего элемента, а коллектор первого р-п-р-транзистора первого ключевого элемента соеди1432609 нен с вторым коллектором первого п-р-п-транзистора первого разряда, базой трехколлекторного транзистора второго ключевого элемента и выходом первого согласующего элемента, пер вый и второй коллекторы второго п-рп-транзистора триггера последнего разряда подключены соответственно к выходу и входу третьего и четвертого согласующих элементов.
SU853884877A 1985-04-15 1985-04-15 Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства SU1432609A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853884877A SU1432609A1 (ru) 1985-04-15 1985-04-15 Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853884877A SU1432609A1 (ru) 1985-04-15 1985-04-15 Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1432609A1 true SU1432609A1 (ru) 1988-10-23

Family

ID=21173370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853884877A SU1432609A1 (ru) 1985-04-15 1985-04-15 Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1432609A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 974411, кл. G 11 С 19/00, 1980. Микроэлектроника, 1982, т.11, вып.5, с.434, рис.3. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4603403A (en) Data output circuit for dynamic memory device
KR100277136B1 (ko) 드레인 파워서플라이
US3440444A (en) Driver-sense circuit arrangement
EP0030813B1 (en) Boosting circuits
US4720815A (en) Semiconductor memory device in form of shift register with two-phase clock signal supply
US4039861A (en) Cross-coupled charge transfer sense amplifier circuits
US6486719B2 (en) Flip-flop circuits having digital-to-time conversion latches therein
EP0053428B1 (en) A memory device including a sense amplifier
KR100745849B1 (ko) 집적 회로, 감지 증폭기 회로 및 전압 스윙 제한 방법
KR950001430B1 (ko) 전류 감지 증폭 회로
GB1567508A (en) Memory array
SE422853B (sv) Metod for les- och/eller skivaccess till minnen och krets for genomforande av metoden
EP0408032A2 (en) Data output control circuit for semiconductor storage device
EP0030130B1 (en) An oscillator and an eprom including such an oscillator
US4000429A (en) Semiconductor circuit device
US7872514B2 (en) Latch circuit and clock signal dividing circuit
EP0470394B1 (en) Semiconductor memory device with current to voltage conversion amplifier
US4431927A (en) MOS Capacitive bootstrapping trigger circuit for a clock generator
EP0015554A1 (en) Comparator circuit
US4982117A (en) Address transition detector circuit
US4570083A (en) Digital circuit
US4447893A (en) Semiconductor read only memory device
EP0016821B1 (en) Data storage system for storing multilevel signals
SU1432609A1 (ru) Регистр сдвига дл буферного запоминающего устройства
EP0241637B1 (en) Sense circuit for multilevel storage system