SU1425820A1 - Формирователь импульсов напр жени на емкостной нагрузке - Google Patents

Формирователь импульсов напр жени на емкостной нагрузке Download PDF

Info

Publication number
SU1425820A1
SU1425820A1 SU864104522A SU4104522A SU1425820A1 SU 1425820 A1 SU1425820 A1 SU 1425820A1 SU 864104522 A SU864104522 A SU 864104522A SU 4104522 A SU4104522 A SU 4104522A SU 1425820 A1 SU1425820 A1 SU 1425820A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
transistor
base
emitter
resistor
Prior art date
Application number
SU864104522A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Евгеньевич Волков
Борис Владимирович Гусев
Виталий Александрович Матвиенко
Борис Николаевич Плотников
Original Assignee
Уральский политехнический институт им.С.М.Кирова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Уральский политехнический институт им.С.М.Кирова filed Critical Уральский политехнический институт им.С.М.Кирова
Priority to SU864104522A priority Critical patent/SU1425820A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1425820A1 publication Critical patent/SU1425820A1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение может быть использовано , например, дп  управлени  электрооптическими световыми затворами и дискретными рефлекторами. Цель изобретени  - уменьшение мощности потребл емой от схемы управлени , достигаетс  за счет введени  резистора 7, который включен между коллекторами транзисторов 2 и 5, и двух транзисторов 3 и 4, переходы база-эмиттер которых зашунтированы резисторами 9 и 10. Базы транзисторов 2 и 5  вл ютс  входами формировател . Положительный импульс, поданный на базу транзистора 5, от - крывает его. В разр дном ключе развиваетс  регенеративный процесс, в результате которого емкостна  нагрузка 11 разр жаетс . При этом напр жение с перехода база-эмиттер транзистора 3 и напр жение с резистора 7 подаютс  на переход база-эмиттер транзистора 4 и надежно закрьшают его, что предотвращает включение зар дного клю-g ча Длительность управл ющего импульсу в данном устройстве определ етс  только моментом возникновени  регенеративного процесса, т.е. значительно короче, чем в прототипе, 2 ил. (Л

Description

to ел
00
ю
у.
Изобретение относитс  к импульсной технике, в частности к формированию импульсов напр жени  на емкостной нагрузке , и может быть использовано,на йример дл  управлени  электрооптическими световыми затворами и дискретными дифлекторами.
i Цель изобретени  - уменьшение мощ Иости, потребл емой от схемы управле Йи .
I На фиг. 1 представлена принципи- |апьна  электрическа  схема устройст- ра; на фиг. 2 - временные диаграммы jero работы.
i Формирователь импульсов напр же- ни  на емкостной нагрузке (фиг. 1) содержим источник 1 питани , р-п-р- транзисторы 2 и 3, п-р-п-транзисто- ры 4 и 5, резисторы 6-10. Коллектор транзистора 2 соединен с базой тран :зистора 3 и с резистором 7, второй  ывод которого соединен с коллектором транзистора 5 и базой транзистора 4. Коллектор транзистора 3 соединен с азой транзистора 5 и резистором 8, второй вывод которого соединен с миттером транзистора 5, отрицатель- |дым электродом источника 1 питани  нагрузкой. Коллектор транзистора 4 Ьоединен с базой транзистора 2 и резистором 6, второй вьгоод которого соединен с эмиттером транзистора 2 и положительным электродом источника питани . Эмиттеры транзисторов 3 и 4 соединены с резисторами 9 и 10 и с нагрузкой 11, резисторы 9 и 10 соединены с базами транзисторов 3 и 4. Базы транзисторов 2 и 5  вл ютс  входами формировател .
Формирователь работает следующим образом.
Пусть в исходном состо нии все транзисторы закрыты, -а емкость нагрузки 11 разр жена. В момент времени t на базу транзистора подаетс  отрицательный запускающий импульс. Тран зистор 2 приоткрываетс , его коллекторный ток, проход  через резистор 7 и переход база-змиттер транзистора 4, приоткрывает его, Коллекторньй же ток Транзистора 4  вл етс  базовым током транзистора 2. В зар дном ключе развиваетс  регенеративной процесс, в результате чего напр жение на емко- сти нагрузки по окончании процесса зар да становитс  равным напр жение
источника I питани . Во врем  зар да емкости нагрузки напр жение с резистора 7 и перехода база-эмиттер транзистора 4 приложено к переходу база-эмиттер транзистора 3 и  вл етс  дл  него запирающим, что предотвращает включение разр дного ключа за счет протекани  емкостных токов.
Аналогичные процессы протекают при работе разр дного ключа. Положительный импульс, поданный на базу транзистора 5 в момент времени t, приоткрывает его,и в разр дном ключе развиваетс  регенеративный процесс, в результате которого емкостна  нагрузка 11 разр жаетс . Причем напр жение с перехода база-эмиттер транзистора 3 и напр жение с резистора 7 подаютс  на переход база-эмиттер транзистора 4 и надежно закрывают его, что предотвращает включение зар дного ключа. Длительность управл ющего импульса в предлагаемом устройстве определ етс  только моментом возникновени  регенеративного процесса, т.е. значительно короче, чем в известной схеме.
Фор м у ла изобретени 
Формирователь импульсов напр жени  на емкостной нагрузке, содержащий первые р-п-р- и п-р-п-транз исто- ры, переходы база-эмиттер которых зашунтированы резисторами, причем эмиттер р-п-р-транзистора подключен к положительному полюсу, а эмиттер п-р-п-транзистора - к отрицательному полюсу источника питани , отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  мощности, потребл емой от схемы управлени , введены резистор , подключенный между коллекторами указанных транзис горов и вторые р-п-р и п-р-п-транзисторы, переходь база-эмиттер которых также зашунтированы резисторами, эмиттеры вторых р-п-р- и п-р-п-транзисторов объединены и подключены к выходной клемме формировател , базы подключены соответственно к коллекторам первых транзисторов одноименного типа проводимости , а коллекторы - к базам первых транзисторов противоположного типа проводимости, которые  вл ютс  входами формировател .
Фиб.2

Claims (1)

  1. Фор му ла изобретения
    Формирователь импульсов напряжения на емкостной нагрузке, содержащий первые р-п-р- и п-р-п-транз'исторы, переходы база-эмиттер которых зашунтированы резисторами, причем эмиттер р-п-р-транзистора подключен к положительному полюсу, а эмиттер п-р-п-транзистора - к отрицательному полюсу источника питания, отличающийся тем, что, с целью уменьшения мощности, потребляемой от схемы управления, введены резистор, подключенный между коллекторами указанных транзисторов и вторые р-п-р и п-р-п-транзисторы, перехода.! база-эмиттер которых также зашунтированы резисторами, эмиттеры вторых р-п-р- и п-р-п-транзисторов объединены и подключены к выходной клемме формирователя, базы подключены соответственно к коллекторам первых транзисторов одноименного типа проводимости, а коллекторы - к базам первых транзисторов противоположного типа проводимости, которые являются входами формирователя.
SU864104522A 1986-05-30 1986-05-30 Формирователь импульсов напр жени на емкостной нагрузке SU1425820A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864104522A SU1425820A1 (ru) 1986-05-30 1986-05-30 Формирователь импульсов напр жени на емкостной нагрузке

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864104522A SU1425820A1 (ru) 1986-05-30 1986-05-30 Формирователь импульсов напр жени на емкостной нагрузке

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1425820A1 true SU1425820A1 (ru) 1988-09-23

Family

ID=21251641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864104522A SU1425820A1 (ru) 1986-05-30 1986-05-30 Формирователь импульсов напр жени на емкостной нагрузке

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1425820A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент CU1A № 3649851, кл. Н 03 К 3/26, 1972. Патент US № 3751682, кл. Н 03 К 17/00, 1973. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4885486A (en) Darlington amplifier with high speed turnoff
US4954917A (en) Power transistor drive circuit with improved short circuit protection
US4246501A (en) Gated back-clamped transistor switching circuit
GB1599263A (en) Circuit for single-line control gto controlled rectifier conduction
SU1425820A1 (ru) Формирователь импульсов напр жени на емкостной нагрузке
US4794274A (en) Circuit arrangement for removing carriers in a transistor
US4891532A (en) Darlington connected switch having base drive with active turn-off
US3735196A (en) Flasher circuit with outage indication
SU1208604A2 (ru) Кольцевой счетчик
US3684896A (en) Flasher circuit with short protection
US5030862A (en) Turn-off circuit for gate turn off SCR
US4827156A (en) Non-overlapping switch drive in push-pull transistor circuit
SU1188864A1 (ru) Генератор импульсов
SU1599984A1 (ru) ТТЛШ-вентиль
SU1244776A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
KR910005695Y1 (ko) 바테리 충방전 단속회로
SU1667238A2 (ru) Коммутатор
SU1343515A1 (ru) Устройство дл управлени мощным высоковольтным транзисторным ключом
SU1552357A1 (ru) Ждущий мультивибратор
SU1541766A1 (ru) Устройство дл управлени составным ключом
SU945967A1 (ru) Ячейка временной задержки импульсов
JPS61120521A (ja) トランジスタ駆動回路
GB2148622A (en) Electronic control circuit
SU1081778A1 (ru) Многофазный мультивибратор
SU1034153A1 (ru) Мультивибратор