SU1423378A1 - Устройство дл разламывани полупроводниковых пластин на кристаллы - Google Patents

Description

фие.1

Изобретение относитс  к обработке материалов давлением и может быть |использовано в приборостроении при производстве интегральных схем. i Цель изобретений - повышение эффициента использовани  материала путем обеспечени  качества разделени .

На фиг.1 изображено устройство дл разламывани  на кристаллы полупроводниковых пластин; на фиг.2 - зона излома пластины.

Устройство дл  разламывани  пластины состоит из станины IP на которо 7становлен эластичный ролик 2, вра- цающийс  на оси 3, и стола 4, расположенного консольно с возможностью 1сачени  на оси 5 относительно станины 1 и поджатого к эластичному роли- icy 2 острой кромкой свободного конца основани , причем остра  кромка расположена под роликом 2 по линии, про 5:од 1дей через центр эластичного роли ta 2 перпендикул рно плоскости осно- нани . Основание стола 4 поджато к :1ластичному ролику 2 при помощи пру- и|мны 6, регулируемой винтом 7, На с;толе 4 установлена проскрайбирован- полупроводникова  пластина 8, за ключенна  в вакуумный пакет 9 из эластичного материала.

Устройство работает следующим образом .

Полупроводникова  пластина 8, за- 1 люченна  в вакуумный пакет 9 из ластичного материала, устанавливает ija столе 4, качающемс  на оси 3, ориентируетс  в нужном направле- и подводитс  под эластичный ро- л(ик 2, установленный на станине 1 и вращающийс  на оси 3. Винтом 7 соз- аетс  необходимое дл  разламьгаани  Усилие пружины 6. Затем пластина прокатываетс  между эластичным роликом 2 и столом 4, За счет эластичности эластичного ролика 2 создаетс  перепад высот И, в проскрайбированной полупроводниковой пластине 8 создаетс  напр жение сдвига вдоль скрайбер- ной линии и проскрайбированна  полупроводникова  пластина 8 раскалываетс  на кристаллы. Так как на проскрай- бированную полупроводниковую пластину 8 после выхода из зоны разламывани  не действует снизу сила давлени  стола 4, то кристаллы полу 4:аютс  более качественными, не трутс  друг о друга и на них не образуютс  сколы, трещины и не выкрашиваетс  материал . Кроме того, в результате того , что концентраци  давлени  на проскрайбированную полупроводниковую 8 пластину происходит вдоль линии касани  эластичным роликом 2 острой кромки стола 4, исключаетс  образование двойников и тройников кристаллов , что исключает дополнительную ломку, т.е. повЪпиаетс  выход годных кристаллов.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Устройство дл  разламывани  полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащее станину, на которой установлен с возможностью вращени  ролик, и стол дл  укладки пластин, отличающеес  тем, что, с целью повышени  коэффициента использовани  материала путем обеспечени  качества разделени , стрл одним концом шарнир- но закреплен на станине и подпружинен относительно нее, а другой конец стола имеет острую кромку, параллельную оси ролика и расположенную под ним в плоскости, проход щей через ось ролика перпендикул рно плоскости стола, а ролик выполнен из эластичного материала .

   cpus.2