SU1415476A1 - Контактирующее устройство дл контрол кристаллов СВЧ монолитных интегральных схем - Google Patents
Контактирующее устройство дл контрол кристаллов СВЧ монолитных интегральных схем Download PDFInfo
- Publication number
- SU1415476A1 SU1415476A1 SU864165812A SU4165812A SU1415476A1 SU 1415476 A1 SU1415476 A1 SU 1415476A1 SU 864165812 A SU864165812 A SU 864165812A SU 4165812 A SU4165812 A SU 4165812A SU 1415476 A1 SU1415476 A1 SU 1415476A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- integrated circuits
- hole
- crystals
- metal base
- dielectric substrate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области электроники. Контактирующее устройство дл контрол сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем содержит металлическое основание 1 с выступом 2, размеп;енным в отверстии диэлектрической подложки 4, на которой закреплены проводники и микрополоско- вые линии. В выступе 2 по форме контролируемого кристалла 14 имеетс гнездо 8 с пазами 9 и отверстием 10 в дне, к которому можно подсоединить вакуумный насос. В качестве эластичного держател контактов использована оптически прозрачна диэлектрическа пленка 12. Контактирующее устройство данной конструкции снижает погрешности измерени контролируемых параметров и расшир ет номенклатуру контролируемых изделий. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. i (Л сд 4аь О
Description
Изобретение относитс к радиоизмерительной и электронной технике и предназначено дл измерени СВЧ -монолитных интегральных схем СМИС),ос- новной особенностью СВЧ МИС вл етс наличие распределенных пассивных элементов на лицевой поверхности и экрана на нижней поверхности кристалла .
Цель изобретени - снижение погрешности измерени контролируемых параметров и расширение номенклатуры контролируемых изделий.
На фиг.1 представлено контактиру- ющее устройство, поперечное сечение; на фиг.2 - то же, вид сверху без эла томерного разъема и кристалла МИС.
Контактирующее устройство состоит из металлического основани 1 с выступом 2, вставленным заподлицо в отверстие 3 диэлектрической подложки 4, на которой закреплен экран 5, проводники 6 и микрополосковые линии 7. В пьедестале по форме контролируе мого кристалла выполнено гнездо 8 с пазами 9 и отверстием 10 в дне, которые расположены с возможностью соединени с вакуумным насосом (не показан ) .
Диэлектрическа рамка эластомер- ного разъема 11 изготавливаетс из пластмассы с малыми диэлектрической проницаемостью и диэлектрическими потер ми. В качестве оптически прозрачной диэлектрической пленки 12 желательно использовать полиимидную пленку толщиной, например, 35 мкм. Контакты 13 вьшолн ютс По тонкопле- ночной технологии с последующим гальваническим наращиванием золота 2 - 6 мкм. Пленку 12 закрепл ют на рамке например, с помощью приклеивани . В гнезде 8 показан контролируемьй крис талл 14.
Устройство работает следующим образом .
С помощью вакуумного пинцета кристалл 14 МИС экраном вниз устанавли- ваетс в гнездо 8, образованное пр моугольным отверстием 3 и плоскостью пьедестала. Кристалл накрываетс эла . томерным разъемом 11 (фиг.1). При визуальном каб.пюдении с помощью микро- скопа золотые контакты 13 совмещают с контактными площадками на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4,
и подаетс разр жение (форвакуум). Это обеспечивает надежный электрический контакт экрана кристалла 14 с металлическим основанием 1, а также замыкание с помощью контактов 13 на пленке 12 соответствующих контактных площадок на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4, или выступом 2 на металлическом основании 1 (корпуса). После этого включаютс питающие напр жени , подаютс измерительные сигналы и производ тс измерени соответствующих электрических параметров.
При этом в пьедестале объединены функции корпусной детали, вакуумного уплотнени , контакты к обратной стороне кристалла, вакуумного зажима кристалла и базовой плоскости, предупреждающей разрыв пленочного эластичного держател контактов.
По завершении измерений сигнал и питающие напр жени выключают, далее выключают форвакуум, эластомерный разъем убирают в сторону, а измеренный кристалл - в кассету годных или бракованных изделий.
Claims (2)
1.Контактирующее устройство дл контрол кристаллов СВЧ монолитных интегральных схем, состо щее из металлического основани , диэлектрической подложки с проводниками и микрополосковыми лини ми и эласто- мерного разъема, содержащего диэлектрическую рамку, эластомерный держатель контактов и контакты, отличающеес тем, что, с целью снижени погрешности измерени контролируемых параметров и расширени номенклатуры контролируемых изделий , металлическое основание выполнено с выступом, вставленным в отверстие диэлектрической подложки заподлицо с ее плоскостью, в выступе по форме контролируемого кристалла вьшолнено гнездо с пазами и отверстием в дне, вьшолненными с возможностью соединени с вакуумным насосом .
2.Устройство по п.1, О т л и ч а ю щ е е с тем, что в качестве эластичного держател контактов использована оптически прозрачна диэлектрическа пленка.
/
w
fas. 2
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU864165812A SU1415476A1 (ru) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | Контактирующее устройство дл контрол кристаллов СВЧ монолитных интегральных схем |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU864165812A SU1415476A1 (ru) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | Контактирующее устройство дл контрол кристаллов СВЧ монолитных интегральных схем |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1415476A1 true SU1415476A1 (ru) | 1988-08-07 |
Family
ID=21274584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU864165812A SU1415476A1 (ru) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | Контактирующее устройство дл контрол кристаллов СВЧ монолитных интегральных схем |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1415476A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU175327U1 (ru) * | 2017-06-05 | 2017-11-30 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Устройство для зондового контроля высоковольтных кристаллов на пластине |
-
1986
- 1986-12-23 SU SU864165812A patent/SU1415476A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Авторское свидетельство СССР № 1143261, кл. Н 01 L 21/66, 1982. Электроника. - М.: Мир, 1979, № 13, с.56. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU175327U1 (ru) * | 2017-06-05 | 2017-11-30 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Устройство для зондового контроля высоковольтных кристаллов на пластине |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5541525A (en) | Carrier for testing an unpackaged semiconductor die | |
| US4998062A (en) | Probe device having micro-strip line structure | |
| US6091251A (en) | Discrete die burn-in for nonpackaged die | |
| US5440240A (en) | Z-axis interconnect for discrete die burn-in for nonpackaged die | |
| US5973928A (en) | Multi-layer ceramic substrate decoupling | |
| US5571027A (en) | Non-destructive interconnect system for semiconductor devices | |
| US5878485A (en) | Method for fabricating a carrier for testing unpackaged semiconductor dice | |
| US5844418A (en) | Carrier having interchangeable substrate used for testing of semiconductor dies | |
| US5629837A (en) | Button contact for surface mounting an IC device to a circuit board | |
| US6204678B1 (en) | Direct connect interconnect for testing semiconductor dice and wafers | |
| US5041782A (en) | Microstrip probe | |
| US6255833B1 (en) | Method for testing semiconductor dice and chip scale packages | |
| EP0304868A2 (en) | Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form | |
| US7859277B2 (en) | Apparatus, systems and methods for processing signals between a tester and a plurality of devices under test at high temperatures and with single touchdown of a probe array | |
| US5741141A (en) | Non-destructive interconnect system for semiconductor devices and a carrier assembly for use therewith | |
| KR20010062722A (ko) | 베어 ｉｃ 칩 시험용 시스템 및 이러한 칩을 위한 소켓 | |
| CA2358405A1 (en) | Text probe interface assembly and manufacture method | |
| EP0226995A2 (en) | Multiple lead probe for integrated circuits | |
| US5061894A (en) | Probe device | |
| EP0298219A2 (en) | Method and apparatus for testing unpackaged integrated circuits in a hybrid circuit environment | |
| SU1415476A1 (ru) | Контактирующее устройство дл контрол кристаллов СВЧ монолитных интегральных схем | |
| KR19980086450A (ko) | 다이를 검사하기 위한 방법 및 장치 | |
| US6639416B1 (en) | Method and apparatus for testing semiconductor dice | |
| US5175496A (en) | Dual contact beam assembly for an IC test fixture | |
| JP2681850B2 (ja) | プローブボード |