SU1410098A1 - Device for controlling solid-state storage - Google Patents

Device for controlling solid-state storage Download PDF

Info

Publication number
SU1410098A1
SU1410098A1 SU864074604A SU4074604A SU1410098A1 SU 1410098 A1 SU1410098 A1 SU 1410098A1 SU 864074604 A SU864074604 A SU 864074604A SU 4074604 A SU4074604 A SU 4074604A SU 1410098 A1 SU1410098 A1 SU 1410098A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
group
inputs
address
input
outputs
Prior art date
Application number
SU864074604A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Михаил Алексеевич Гайворонский
Леонид Меерович Кельнер
Николай Яковлевич Смовженко
Александр Алексеевич Юрасов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-3361
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-3361 filed Critical Предприятие П/Я А-3361
Priority to SU864074604A priority Critical patent/SU1410098A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1410098A1 publication Critical patent/SU1410098A1/en

Links

Landscapes

  • Complex Calculations (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к полупроводниковым запоминающим устройствам (ЗУ) и может быть использовано при создании устройств управлени  динамическими ОЗУ. Цель изобретени  - упрощение устройства. Поставленна  цель достигаетс  за счет обеспечени  возможности автоматической подстройки устройства управлени  Ш1 с  чейками на МДП-транзисторах с различными временными соотношени ми между управл ющими сигналами, различным количеством управл ющих входов, различными режимами работы, введением в устройство шифратора 12, блока 13 посто нной пам ти, регистра 14, элемента И 15. Устройство содержит блоки 1 , 2 ввода адреса и данных соответственно , формирователь 3, генераторы 4 и 5, элементы И 6,7, злемен- ты ИЛИ 8,9, счетчик 10 адресов регенерации , триггер 11, шифратор 12, блок 13, регистр 14. 6 ил. (Л GThe invention relates to semiconductor memory devices (RAM) and can be used to create dynamic RAM control devices. The purpose of the invention is to simplify the device. The goal is achieved due to the possibility of automatic adjustment of the control unit Ш1 with cells on MOS transistors with different time ratios between the control signals, different number of control inputs, different operating modes, the introduction of fixed memory into the device 13 , register 14, element And 15. The device contains blocks 1, 2 of the input address and data, respectively, driver 3, generators 4 and 5, elements AND 6.7, elements OR 8.9, counter 10 regeneration addresses , trigger 11, encoder 12, block 13, register 14. 6 Il. (Lg

Description

0000

фие.1FI.1

Изобретение относитс  к полупро- водниковым запоминающим устройствам (ЗУ) и может быть использовано при создании устройств управлени  динамическими ОЗУ.The invention relates to semiconductor memory devices (RAM) and can be used to create dynamic RAM control devices.

Цель изобретени  - упрощение -устройства .The purpose of the invention is to simplify the device.

На фиг. 1 представлена функциональна  схема предлагаемого устрой- CTBaJ на фиг. 2-4 - примеры реализации формировател , счетчика адресовi регенерации и блока ввода адреса соответственно; на фиг. 5 и 6 - карта распределени  пам ти и адресных вхо- дов и выходов блока посто нной пам ти ,FIG. 1 shows a functional diagram of the proposed device CTBaJ in FIG. 2-4 are examples of the implementation of a driver, a regeneration address and an address input block, respectively; in fig. 5 and 6 are a map of the distribution of the memory and address inputs and outputs of the memory block;

Устройство содержит блоки ввода адреса 1 и данных 2, формирователь 3, первую и вторую группы генерато- ров 4 и 5 импульсов, первую и вторую группы элементов И 6 и 7, первый 8 и второй 9 элементы Р1ЛИ, счетчик 10 адресов регенерации, триггер 11, шифратор 12, блок 13 посто нной пам ти (ПЗУ), регистр 14 и элемент И 15.The device contains blocks for the input of address 1 and data 2, the driver 3, the first and second groups of generators 4 and 5 pulses, the first and second groups of elements 6 and 7, the first 8 and second 9 elements P1LI, the counter 10 of the regeneration addresses, the trigger 11 , the encoder 12, the block 13 of the permanent memory (ROM), the register 14 and the element And 15.

Формирователь 3 содержит селектор 16, элементы И 17 - 20 и D-триггеры 21 - 24, при этом входы 25 селектора 16  вл ютс  адресными входами устрой ства, вход 26 - входом разрешени , а входы 27 - информационными входами устройства, выходы 28 D-триггеров 21 подключаютс  к вторым входам элемента ИЛИ 8, выходы 29 D-триггеров 22 - к четвертой группе адресных входов блока 13 или ПЗУ, выходы 30 D-триггеров 23 - к входам установки счетчика 10 адресов регенерации, выходы 31 jD-триггеров 24 к вторым входам эле Центов И 7. Формирователь 3 осуществ п ет начальную установку устройства b зависимости от примен емого типа (полупроводниковой пам ти (ПП).The shaper 3 contains the selector 16, the AND 17-20 elements and the D-flip-flops 21-24, with the inputs 25 of the selector 16 being the address inputs of the device, the input 26 being the enable input, and the inputs 27 being the information inputs of the device, the outputs 28 D- the flip-flops 21 are connected to the second inputs of the element OR 8, the outputs 29 of the D-flip-flops 22 to the fourth group of address inputs of the block 13 or ROM, the outputs 30 of the D-flip-flops 23 to the inputs of the counter 10 for the regeneration addresses, the outputs 31 of the jD-flip-flops 24 to the second the inputs of the Element Cent and 7. The imaging unit 3 carries out the initial installation of the device b for depending on the type used (semiconductor memory (PP).

Счетчик 10 адресов регенерации Кфиг. 3) содержит три двоичных четырехразр дных счетчика 32, элементы И 33 - 36 и элемент ИЛИ 37, вход 38 первого счетчика подключен Ц выходу триггера 11 регенерации, входы 39 счетчика 10 адресов регене- |рации подключены -к выходам 30 форми- )овател  3, выходы 40 подключены к торой группе входов блока 1 ввода адреса.Counter 10 addresses regeneration Kfig. 3) contains three binary four-bit counters 32, elements AND 33-36 and element OR 37, input 38 of the first counter is connected to the output of the regeneration trigger 11, inputs 39 of the counter 10 of the regeneration addresses are connected to the outputs 30 of the form-) actuator 3 , the outputs 40 are connected to the second group of inputs of the address input block 1.

В состав блока 1 ввода адреса {{фиг. 4) вход т мультиплексоры 41, Имеющие организацию 3x1, где к входам 42 подключены входы устройства.The unit 1 input address {{FIG. 4) multiplexers 41 are included, having an organization of 3x1, where the inputs of the device are connected to the inputs 42.

соответствующие младшей подовине адреса , к входам 43 подключены входы устройства, соответствующие старшей половине адреса, к входам 44 подключены выходы 40 счетчика 10 адресов регенерации, вьдходы 45  вл ютс  выходами устройства и подключены к адресным входам ПП. Входы 46 подключены к второй группе выходов регистра 14 и определ ют очередность подключени  младшей половины адреса, старшей половины адреса или адреса регенерации к адресным входам Ш1. corresponding to the lower half of the address, inputs 43 of the device are connected to the inputs corresponding to the upper half of the address, outputs 40 of the regeneration address counter 10 are connected to inputs 44, inputs 45 are the outputs of the device and connected to the address inputs of the control panel. Inputs 46 are connected to the second group of outputs of register 14 and determine the sequence of connecting the lower half of the address, the upper half of the address, or the address of regeneration to the address inputs of G1.

На фиг. 5 представлена карта распределени  пам ти блока 13, в качестве которого можно использовать, например, ПЗУ с организацией 2048х х8 бит. Адресные зоны 47, 48 и 49 содержат информацию, управл ющую Ш1 раз:шчного типа, адресные зоны 50, 51 и 52 - наборы слов, управл ющие режимом записи, адресные зоны 53, 54 и 55 - наборы слов, управл ющие режимом чтени , а адресные зоны 56, 57 и 58 - наборы слов, управл ющие режимом регенерации.FIG. 5 shows the memory allocation map of block 13, for example, a ROM with the organization of 2048 x x8 bits can be used. The address zones 47, 48, and 49 contain information that controls the W1 times: of the type, the address zones 50, 51, and 52 are the word sets that control the write mode, the address zones 53, 54, and 55 are the word sets that control the read mode, and address zones 56, 57, and 58 are word sets that control the regeneration mode.

- На фиг. 6 представлено распределение адресных входов и выходов блока 13. Старшие разр ды 59 адресного слова осуществл ют выбор области управл ющих слов блока 13, предназна- ченных дл  управлени  определенным типом ПП, при этом количество адресных входов 59 определ етс  из формулы- In FIG. 6 shows the distribution of the address inputs and outputs of block 13. The high bits 59 of the address word select the control word area of block 13, intended to control a certain type of AE, the number of address inputs 59 being determined from the formula

L + l.L + l.

где L - количество адресных вхо- ,where L is the number of address inlets,

дов 59;Dov 59;

р - количество типов управл емой ПП.p is the number of types of controllable PP.

Разр ды 60 адресного слова осуществл ют выбор области управл ющих слов ПЗУ 13, соответствующей определенному режиму управлени  ПП - Запись , Чтение, Регенераци , при этом количество адресных входов 60 определ етс  по аналогичной формуле.The address word bits 60 selects the control word area of the ROM 13 corresponding to a certain control mode of the control panel — Write, Read, Regeneration, and the number of address inputs 60 is determined by a similar formula.

Младшие разр ды 61 адресного слова осуществл ют выбор очередного управл ющего слова из блока 13, соответствующего определенному такту выполн емого режима управлени  ПП.The low bits 61 of the address word select the next control word from block 13, corresponding to a certain cycle of the control PP.

Выходы 62 блока 13 подключаютс  к второй группе входов регистра 14, который представл ет собой регистр с параллельным занесением информации по стробу.The outputs 62 of the unit 13 are connected to the second group of inputs of the register 14, which is a register with a parallel entry of information on the gate.

Устройство функционирует следующим образом.The device operates as follows.

Перед началом работы с ПП производитс  настройка устройства управлени  на определенный тип накопител , дл  чего в формирователь 3 по сигналам Запись, поступающим на вход разрешени  в соответствии с поступающими на группу адресных входов адресами , выбирающими группы триггеров 21 - 24, записываетс  через группу информационных входов управл юща  информаци , определ юща  соответственно рабочую частоту ПП, тип ПП, максимальный адрес регенерации и частоту регенерации. Сигнал Разрешение чтени , поступающий на первый вход шифратора 12, выбирает в ПЗУ 13 область пам ти, соответствующую режиму Чтение того типа ПП, который выбран формирователем 3, и с выхода ПЗУ 13 в регистр 14 первое управл ющее слово записываетс  по тактовому сигналу, поступающему на первый вход регистра 14 от элемента ИЛИ 8. Управл ющее слово содержит сигналы управлени  ПП, сигналы управлени  блоком 1 ввода адреса и блоком 2 ввода данных и сигналы управлени  режимом регенерации, причем сигналы управлени  ПП, блоком 1 ввода и блоком 2  вл ютс  одновременно сигналами, поступающими на третьи, четвертые и п тые входы ПЗУBefore you start working with PC, the control device is configured for a specific type of accumulator, for which the shaper 3 by signals Record to the enable input in accordance with the addresses to the group of address inputs that select trigger groups 21-24 are recorded through the group of information inputs The information that determines, respectively, the operating frequency of the AH, the type of AH, the maximum address of the regeneration, and the frequency of the regeneration. The read resolution signal, which arrives at the first input of the encoder 12, selects in the ROM 13 a memory area corresponding to the Read mode of the software type selected by the driver 3, and from the output of the ROM 13 to the register 14, the first control word is written to the clock signal the first input of register 14 from the OR element 8. The control word contains control signals of the control unit, control signals of the address input unit 1 and data input unit 2, and regeneration mode control signals, and the control signals of the control unit, input block 1 and block 2 are TERM signals applied to the third, fourth and fifth inputs of the ROM Tide

13и выбирающие из ПЗУ 13 очередное управл ющее слово, которое записьша- етс  в регистр 14 по следующему тактовому сигналу, поступающему от эле- |мента ИЛИ 8. С п того выхода регистра13 and choosing from the ROM 13 the next control word, which is written into register 14 by the next clock signal received from the element OR 8. From the fifth output of the register

14на второй вход элемента И 15 выдаетс  сигнал, запрещающий прохождение сигнала запроса регенерации с выхода триггера 11. Триггер 11 регенерации устанавливаетс  по первому входу сигналом, проход щим через элементы И 7 и ИЛИ 9 от генератора 5.14, the second input of the element 15 is outputting a signal prohibiting the regeneration request signal from the output of the trigger 11. The regeneration trigger 11 is set on the first input by a signal passing through the elements 7 and OR 9 from the generator 5.

Последнее управл ющее слово режима Чтение разрешает прохождение сигнала Регенераци  с выхода триггера 11 регенерации через элемент И 15 на вход приоритета шифратора 12 в результате чего независимо от управл ющих сигналов Запись или Чтение на первом или втором входах шифратора 12 устройство выдает в ПП управл ющие сигналы, соответствун цие режиму регенерации, так как в ПЗУ 13 выбираетс  область управл ющих словThe last control word of the Read mode allows the Regeneration signal from the output of the regeneration trigger 11 to pass through the AND 15 element to the priority input of the encoder 12; as a result, regardless of the control signals Write or Read on the first or second inputs of the encoder 12, the device issues control signals to the PP, corresponding to the regeneration mode, since in the ROM 13, the control word area is selected

режима регенерации, С выхода триггера 11 на второй вход счетчика 10 поступает сигнал увеличени  адресаregeneration mode, From the output of the trigger 11 to the second input of the counter 10 receives the signal to increase the address

регенерации, на единицу. Адрес регенерации с выходов счетчика 10 поступает на вторую группу входов счетчика 10, который по управл ющим сигналам, поступающим на третью группу входовregeneration, per unit. The regeneration address from the outputs of the counter 10 is fed to the second group of inputs of the counter 10, which, according to the control signals supplied to the third group of inputs

с вторьк выходов регистра 14, передает этот адрес на адресные входы : ПП. Последнее управл ющее слово режима регенерации содержит сигнал сброса триггера 11, поступающий на егоfrom the second outputs of register 14, transmits this address to the address inputs: PP. The last control word of the regeneration mode contains the reset signal of the trigger 11, arriving at its

BTOpo i вход с четвертого выхода регистра 14.BTOpo i input from the fourth output of the register 14.

При обращении к другому типу ПП производитс  настройка устройства путем настройки формировател  3, т.е.When referring to another type of PP, the device is configured by setting the driver 3, i.e.

при этом в группы триггеров 21 - 24 записываетс  управл юща  информаци , определ юща  требуемую рабочую частоту накопител , соответствующую данному типу ПП, требуемый максимальный адрес регенерации и требуемую частоту регенерации.at the same time, control information is written to the trigger groups 21-24, which determines the required operating frequency of the accumulator corresponding to this type of AE, the required maximum regeneration address and the required regeneration frequency.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Устройство управлени  полупроводниковой пам тью, содержащее формирователь , блоки ввода адреса и данных, первую и вторую группы генераторов импульсоэ, первый и второй элементыA semiconductor memory control unit containing a driver, address and data input blocks, first and second groups of pulse generators, first and second elements ИЛИ, первую и вторую группу элементов И, счетчик адресов регенерации, триггер, причем группа адресных, входов формировател  объединена с первой группой адресных входов блока .OR, the first and the second group of elements are AND, the regeneration address counter, the trigger, the group of address, the driver inputs are combined with the first group of address inputs of the block. ввода адреса и  вл етс  группой адресных входов устройства, группа информационных входов формировател , соответственно объединенных с первой группой информационных входов блока вводаinput address and is a group of address inputs of the device, a group of information inputs of the driver, respectively, combined with the first group of information inputs of the input block данных,  вл етс  группой информацион- |ных входов устройства, вход разрешени  формировател   вл етс  входом разрешени  записи устройства, пер-- ва  группа выходов формировател  соединена соответственно с первыми входами Элементов И первой группы, вторые входы которых соединены с срот- ветствующими выходами первой группы генераторов импульсов, а выходы соединены с входами первого элемента 1ШИ, втора  группа адресных входов блока ввода адреса соединена с выходами счетчика адресов регенерации, вход установки которого соединен с первымdata, is a group of information inputs of the device, the enable input of the imager is the input of the resolution of the recording device, the first group of outputs of the imager is connected respectively to the first inputs of the Elements AND of the first group, the second inputs of which are connected to the corresponding outputs of the first group pulse generators, and the outputs are connected to the inputs of the first element 1ShI, the second group of address inputs of the address input block is connected to the outputs of the regeneration address counter, the installation input of which is connected to the first |выходом формировател , а счетный вход - с выходом триггера, вход установки ко- iTcporo соединен с выходом второго эле- |мента ИЛИ, входы которого соединены с выходами второй группы элементов И, первые входы которых соединены с выходами второй группы генераторов импульсов , а вторые входы - соответственно| output of the imaging device, and the counting input - with the trigger output; the input of the ko-iTcporo installation is connected to the output of the second element OR, whose inputs are connected to the outputs of the second group of elements AND, the first inputs of which are connected to the outputs of the second group of pulse generators, and the second inputs - respectively с второй группой выходов форМИрОВате- JQwith the second group of exits formirovat-jq л , группы выходов блоков ввода адреса и данных  вл ютс  соответственно группами адресных и информационных выходов устройства, отличающеес  тем, что, с целью упроще- . ки  устройства, в него введены шифратор , блок посто нной пам ти, регистр и элемент И, первый вход которого соединен с выходом триггера, а второй вход - с первым выходом регистра, 2Q второй выход которого соединен с входом сброса триггера, перва  группа выходов - соответственно с второй группой информационных входов блокаThe output groups of the address and data input blocks are respectively the address and information output device groups of the device, characterized in that, for the purpose of simplification. device, an encoder, a block of permanent memory, a register and an element, whose first input is connected to the trigger output, and the second input to the first register output, 2Q second output of which is connected to the trigger reset input, are entered. respectively with the second group of informational inputs of the block .ввода данных и первой группой адресных входов блока посто нной- пам ти, втора  группа выходов - с третьей группой адресных входов блока ввода адреса и второй группой адресных входов блока посто нной пам ти, треть  группа выходов соединена с третьей группой адресньпс входов блока посто нной пам ти и  вл етс  группой выходов устройства, тактовый вход соединен с выходом первого элемента ИЛИ, а информационные входы - с соответствующими выходами блока посто нной пам ти , четверта  группа адресных входов которого соединена с выходами шифратора, треть  группа выходов формировател  соединена с четвертой группой адресных входов блока посто нной пам ти, первый и второй входы которого соединены соответственно с входом разрешени  устройства и выходом элемента И, а третий вход  вл етс  входом приоритета устройства.Data entry and the first group of address inputs of the fixed memory unit, the second group of outputs - with the third group of address inputs of the address input block and the second group of address inputs of the permanent memory unit, the third group of outputs is connected to the third group of addressable inputs of the block constant memory is a group of device outputs, a clock input is connected to the output of the first OR element, and information inputs are with the corresponding outputs of a fixed memory block, the fourth group of address inputs of which is connected to the outputs of the bus Rathore, a third group connected to the output of the fourth group of address input unit permanent memory, first and second inputs connected respectively to the input and output device resolution element and a third input is an input device priority. JSlJsl фие2fie2 JJ Ъ9 IB9 i 00 3737 5five фиг.FIG. cpu.6cpu.6
SU864074604A 1986-04-22 1986-04-22 Device for controlling solid-state storage SU1410098A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864074604A SU1410098A1 (en) 1986-04-22 1986-04-22 Device for controlling solid-state storage

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864074604A SU1410098A1 (en) 1986-04-22 1986-04-22 Device for controlling solid-state storage

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1410098A1 true SU1410098A1 (en) 1988-07-15

Family

ID=21240352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864074604A SU1410098A1 (en) 1986-04-22 1986-04-22 Device for controlling solid-state storage

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1410098A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Старое Ф.Г., Крайзмер Л.П. Полупроводниковые ЗУ, Л.: Энерги , 1973, с. 64-76. Авторское свидетельство СССР 746515, кл. G 06 F 9/00, 1980, *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5737637A (en) System for control of data I/O transfer based on cycle count in a semiconductor memory device
US4644502A (en) Semiconductor memory device typically used as a video ram
US5617363A (en) Dynamic random access memory having sense amplifier control circuit supplied with external sense amplifier activating signal
US4958346A (en) Memory testing device
US4564926A (en) Information memory device with address multiplexing
US5367495A (en) Random access memory having control circuit for maintaining activation of sense amplifier even after non-selection of word line
EP0237030A2 (en) Semiconductor memory having high-speed serial access scheme
JP3778579B2 (en) Semiconductor memory device
KR930020459A (en) Semiconductor memory device and operation method that can flexibly output necessary data under simplified control
EP0239916B1 (en) Semiconductor memory device having a test mode and a standard mode of operation
US6373785B2 (en) Semiconductor memory device
JPH0642313B2 (en) Semiconductor memory
EP0259862A1 (en) Semiconductor memory with improved write function
SU1410098A1 (en) Device for controlling solid-state storage
JPS61194910A (en) Digital signal delay circuit apparatus
KR100200767B1 (en) Column address buffer control circuit
SU576588A1 (en) Magnetic digital recording apparatus
SU1016834A1 (en) Memory device
SU1273929A1 (en) Device for controlling subroutine call
US5542063A (en) Digital data processing system with facility for changing individual bits
SU1215134A1 (en) Device for initial setting of dynamic storage
RU1771533C (en) Device for digital recording and playback of speech
SU1757085A1 (en) Multichannel programmed generator of pulses
SU1578706A1 (en) Device for information input from analog devices
SU1672529A1 (en) Device to dynamic memory with free areas