SU1403941A1 - Method of producing tray of laser radiation converter - Google Patents
Method of producing tray of laser radiation converter Download PDFInfo
- Publication number
- SU1403941A1 SU1403941A1 SU854050459A SU4050459A SU1403941A1 SU 1403941 A1 SU1403941 A1 SU 1403941A1 SU 854050459 A SU854050459 A SU 854050459A SU 4050459 A SU4050459 A SU 4050459A SU 1403941 A1 SU1403941 A1 SU 1403941A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- channel
- laser radiation
- cuvette
- cell
- shell
- Prior art date
Links
Landscapes
- Optical Measuring Cells (AREA)
Description
CD 4;CD 4;
Изобретение относитс к области квантовой электроники и может быть использовано при изготовлении кювет дл преобразователей лазерного излу- чени на эффекте вынужденного злект ройного комбинационного рассе ни .The invention relates to the field of quantum electronics and can be used in the manufacture of a cuvette for laser radiation transducers on the effect of stimulated electrical Raman scattering.
Цель изобретени - упрощение изготовлени и увеличение срока службы - достигаетс за счет изготовле- ш оболочки кюветы из монокристалла корунда при одновременном формировании канала переизлучени и дополнительного канала, которьй соедин ют с откачным штенгелем.The purpose of the invention is to simplify the fabrication and increase the service life - it is achieved by fabricating the shell of a corundum single crystal while simultaneously forming a reradiation channel and an additional channel, which is connected to the evacuating rod.
На фиг,I показана оболочка кювет 3 процессе изготовлени ; на фиг.2 - отверсти , соедин ющие канал пере- излучени с допо 1ительным каналом, выполн ющим Р.ОЛЬ балластной полости, в процессе изготовлени ; на фиг.З -. кювета з сборе.Fig. I shows the shell of the cuvette 3 during the manufacturing process; Fig. 2 shows the openings connecting the re-radiation channel with the additional channel which performs the R. OLE of the ballast cavity during the manufacturing process; on fig.Z -. cuvette assembly.
Оболочка изготавливаетс из профилированного монокристаллического корунда, выращенного в виде моноблока 1, имеющего канал 2 переизлучени и дополнительный канал 3. Моноблок пол5гчаетс непосредственной кристаллизацией из расплава 4 со скоростью 1,О мм/мин после прохождени формообразовател 5. После окончани выращивани моноблока он охлаждаетс , проводитс его отжиг и обрезка по тооцам до необходимого размера. После этого на внутреннюю поверх- , ность перемычки моноблока I в канале 2 переизлучени нанос т графитсзую метку 6. В дополнительный канал 3 вставл ют металлическую пластину 7.The shell is made of profiled monocrystalline corundum grown as monoblock 1, having re-emission channel 2 and additional channel 3. The monoblock is filled by direct crystallization from the melt 4 at a speed of 1 mm / min after passing through the shaper 5. After the monoblock is grown, it cools, it is annealed and trimmed to tootsi to the required size. After that, a graphite mark 6 is applied to the inner surface of the monoblock jumper I in channel 2 of reradiation. A metal plate 7 is inserted into the additional channel 3.
5five
0 0
0 5 0 5
5five
луча. После окончани прошивки сквозного отверсти пластину 7 вынимают . Таким же способом делают второе oTBei cTHe в перемычке. Кювета / промьшаетс от остатков испарившегос при прошивке отверсти материала, высушиваетс и с помощью стеклоцемен: та IО производ т пайку в среде аргона с давлением 1,2 атм п-ри 1380 С оптически прозрачных полированных окон П из лейкосапфира. Одновремен- но можно производить пайку тем же цементом откачного штенгел I2 из сплава ниоби . После этого через штейгель 12 производ т откач|су канала 2 переизлучени и дополнительно-то канала 3, заполн ют кювету щелочным металлом, производ т герметизацию штенгел 12. Дальше с помощью стекла С-67 производ т пайку при 1000°С стакана 13 из корунда в атмосфере аргона с давлением 1,2 атм. При изготовлении кюветы необходимо следить, чтобы все соедин емые монокристаллические части (оболочка кюветы , окна и стакан ) имели одну и ту же кристаллическую ориентацию, так как у корунда коэффициент линейного термического расширени в направлени х поперек и вдоль основной оси сильно различаетс . Чтобы предотвратить треск монокристаллических деталей при пайке, необходимо соблюдать услови , когда отклонени в ориентации кристаллографических осей всех элементов не превышают 20. Способ несложен дл промышленного освоени . С помощью описанного способа можray. After the completion of the piercing of the through-hole, the plate 7 is removed. In the same way make the second oTBei cTHe in the jumper. The cuvette / is removed from the remnants of the material evaporating during the piercing, is dried and with the help of glass cements: this IO is soldered in argon with a pressure of 1.2 atm and 1380C optically transparent polished windows P from leucosapphire. At the same time, it is possible to solder the same cement using the niobium alloy I2 pingerel. After this, the re-radiation of channel 2 of channel 2 and additionally channel 3 is pumped out through the shtegel 12, the cell is filled with alkaline metal, the rod 12 is sealed. Then, using C-67 glass, the cup 13 is made from corundum in argon atmosphere with a pressure of 1.2 atm. In the manufacture of the cell, it is necessary to ensure that all the single-crystal parts to be joined (the cell shell, the window and the glass) have the same crystal orientation, since for corundum the coefficient of linear thermal expansion in the directions across and along the main axis is very different. In order to prevent the crackling of single-crystal parts during soldering, it is necessary to observe the conditions when deviations in the orientation of the crystallographic axes of all elements do not exceed 20. The method is simple for industrial development. Using the described method we can
Графитова Метка необходима дл того, 40 но получать отпа нные кюветы с различ- чтобы нагреть место прошивки отверс- ными металлами (К, Cs и др.), кото- ти до высокой температуры, так как в холодном состо нии корунд пропуска- ет излучение лазера, а в нагретом доA graphite mark is necessary for 40 but to receive otfannye cuvette with different - to heat the place of the firmware with hole metals (K, Cs, etc.), which to a high temperature, since corundum passes radiation in a cold state laser and in the heated up
4545
расплава состо нии орошо поглощает лучи лазера с Д 1,06. Металлическа пластина 7 необходима дл того, чтобы не повредить стенки моноблока напротив отверсти . Далее фокусируют на метку 6 лазерное излучение 8 с Л 1,06 и производ т лазерную обработку - прошивку отверсти 9 в оболочке (моноблоке) 1 импульсами с частотой 0,5-1 Гц, длительностью . Оу5-0,7 мс, энергией 0,5-8 Дж. Метка и корунд пол меткой разогреваютс и испар ютс . По мере углублени отверсти необходимо перемещать вглубь, перемычки и фокус лазерногоthe melt state orosho absorbs laser beams from D 1.06. The metal plate 7 is necessary in order not to damage the walls of the monoblock opposite the opening. Next, laser radiation 8 with L 1.06 is focused on the mark 6 and laser processing is performed - the hole 9 is pierced in the shell (monoblock) with 1 pulses with a frequency of 0.5-1 Hz and a duration. Ou5-0.7 ms, energy 0.5-8 J. The tag and corundum are tagged and warmed and evaporated. As the aperture deepens, it is necessary to move the depth, jumpers and focus of the laser
5050
5555
рые при помещении их в печь создают необходимое давление паров внутри кюветы и, пропуска лазерное излучение через оптически прозрачное окно, преобразовывают коротковолновое излучение в длинноволновое.When placed in a furnace, they create the necessary vapor pressure inside the cuvette and, passing laser radiation through an optically transparent window, convert the short-wave radiation to long-wave radiation.
Кювета может сочетатьс с любым лазером, транспортабельна, готова к работе после нагрева до заданной температуры. Кроме того, кювета, полученна по предлагаемому способу, не нуждаетс в буферном газе дл защиты окон - это увеличивает КПД кюветы, так как ее активна зона становитс длиннее.The cuvette can be combined with any laser, transportable, ready to work after heating to a predetermined temperature. In addition, the cuvette obtained by the proposed method does not need a buffer gas to protect the windows - this increases the efficiency of the cuvette, since its active zone becomes longer.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU854050459A SU1403941A1 (en) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | Method of producing tray of laser radiation converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU854050459A SU1403941A1 (en) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | Method of producing tray of laser radiation converter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1403941A1 true SU1403941A1 (en) | 1990-12-15 |
Family
ID=21231385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU854050459A SU1403941A1 (en) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | Method of producing tray of laser radiation converter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1403941A1 (en) |
-
1985
- 1985-12-27 SU SU854050459A patent/SU1403941A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Дэюмондзи М., Коба си 1.., Инаба X. Нелинейные резонансные.эф-- факты в атомных газах, Квантова . электроника, т.З, 4, 1976, с.79СЬ797. -; - V - -; D.Catter, D.C.Hanni Stimulated electronic Raman Scattering fn Cs , Vapour: о - simple tunable laser s I stem for the 2,7-3,5 jumreglon. Optical and Quantum Electronics, fr 9,.1977, p.p 509-518 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102946048B (en) | Raman laser based on crystalline in fresnoite structure | |
CN100407469C (en) | Piezoelectric device and its cap sealing method cap sealing appts. portable telephone set utilizing piezoelectric device and electronic device utilizing piezoelectric device | |
Golubović et al. | The growth of Nd: YAG single crystals | |
US7540917B2 (en) | Hydrothermal growth of rhombohedral potassium fluoroberyllium borate crystals for use in laser and non-linear optical applications and devices | |
US11932965B2 (en) | Nonlinear optical crystal, method for preparing the same and application thereof | |
SU1403941A1 (en) | Method of producing tray of laser radiation converter | |
EP0092405B1 (en) | Method for producing crystals | |
EP0535738B1 (en) | Method of manufacturing potassium-lithium-niobate crystals | |
JPS61266394A (en) | Method of heightening fluorescence degree of ti:al203 tunable laser crystal by annealing | |
US4614428A (en) | High-temperature, high-pressure optical cell | |
USRE31057E (en) | Chromium-doped beryllium aluminate lasers | |
CN109763169B (en) | Potassium lutetium borate nonlinear optical crystal and its preparation method and use | |
JP2000211999A (en) | Production of fluoride | |
JPH01249698A (en) | Production of nonlinear optical single crystal of beta-babzo4 | |
US5416789A (en) | Neodymium-doped gehlenite crystal and laser using said crystal | |
CN115467024B (en) | Potassium barium calcium boron oxyfluoride compound, potassium barium calcium boron oxyfluoride nonlinear optical crystal, preparation method and application | |
JPS60176006A (en) | Joining method of optical fibers | |
Asatsuma et al. | Er3+-doped silicon prepared by laser doping | |
JPH0135798B2 (en) | ||
SU1647045A1 (en) | Process for growing cs iodide crystals | |
JP3317338B2 (en) | Wavelength conversion crystal, method of manufacturing the same, and laser device using the same | |
US3639776A (en) | Lithium niobate harmonic generator and method | |
JP3649283B2 (en) | Manufacturing method of optical material for ultraviolet laser beam | |
Shimamura et al. | Growth of new fluoride single crystals for the superior UV and IR lasers | |
Schaffers et al. | High-Quality, 4× 6 cm2, Yb: S-FAP [Yb3+: Sr5 (PO4) 3F] Crystal Slabs for the Mercury Laser |