SU1390583A2 - Устройство дл регистрации магнитных полей рассе ни - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к дефек- тометрии и может быть использовано дл  регистрации магнитных полей рассе ни . Изобретение позвол ет повысить информативность неразрушающего контрол  изделий при измерении геометрических параметров дефектов. Это достигаетс  путем сканировани  поверхности контролируемого объекта магниточувствительным элементом. Устройство дл  регистрации магнитных полей рассе ни  содержит магниточув- ствительный элемент 1, закрепленный в корпусе 2. В нижней части корпуса закреплена пластина 3 из магнитом г- кого материала. Верхн   часть пластины находитс  в поле действи  соленоида 4. Устройство размещают на поверхности контролируемого объекта 5 с дефектом 6, обусловливаюпшм возникновение магнитных полей рассе ни . Дл  повышени  чувствительности в устройство дополнительно введены параллельно соединенные соленоиды. Магни- точувствительный элемент 1 и соленоиды 4 соединены с электронными блока-ми питани  7, измерени  8 и блоком сравнени  - пам ти 9. 2 ил. (Л

Description

со

со о ел

оо

ОО

N)

Изобретение относитс  к дефекто- метрии и может быть использовано дл регистрации магнитных полей рассе н

Цель изобретени  - повышение чувствительности .

На фиг. 1 представлено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг.2 кривые зависимостей сигнала от тока подмагничивани .

Устройство (фиг.1) содержит магн точувствительный элемент (МЧЭ) 1, закрепленный в корпусе 2, в нижней части которого с помощью микровинто креп тс  пластины 3 из магнитом г- кого материала. Верхн   часть пластин 3 находитс  в поле действи  солноида А. Устройство располагают на поверхности конт юлируемого объекта

5 с дефектами 6, обуславливающими на личие магнитных полей рассе ни . МЧЭ 1 и соленоид 4 соединены с электронными блоками питани  7, измерени  8 и сравнени  - пам ти 9.

Устройство работает следующим образом.

После нахождени  участка поверхности контролируемого объекта 5, соответствующего максимальному сигналу МЧ.Э 1 (в магнитном поле рассе ни  дефекта 6), помещают верхнюю часть пластин 3 в магнитное поле соленоида 4,в котором измен ют ток подмагничивани  с прмощью блока 7 питани  и фиксируют с помощью блока 8 измерени кривую зависимость сигнала МЧЭ 1 от тока подмагничивани  соленоида 4 (фиг,2). Поскольку магнитна  проницаемость ju пластины 3 из магнито

м гкого материала очень сильно и в широких пределах зависит от пол  под

ным полем рассе ни  дефектов, так и магнитным полем соленоида 4, то и ход кривой зависимости сигнала МЧЭ 1 от тока подмагничивани  соленоида 4 будет дл  дефекта 6 с различной геометрией различным. Причем начальное положение кривой по оси ординат (фиг. 2) в основном определ етс  шириной дефекта (экспериментальные исследовани  показали сильную зависимость сигнала МЧЭ 1 от ширины b модельного дефекта.(пр моугольного паза ) и слабую зависимость от глубины h - особенно, когда отношение глуби-

ны к ширине больше 5. При дополнительном подмагничивании верхней части пластины 3 с помощью магнитного пол  соленоида 4 магнитна  проницаемость пластины ( |u) возрастает, в результате чего возрастает плотность магнитных зар дов на боковой поверхности пластины 3 .& , что в опреде Q

5

2о ности/и -Н рк М

5

0

5

0

ленном диапазоне (до максимума ) повышает усиление магнитного пол  рассе ни  дефекта 6. Кроме того, при незначительном общем поле подмагничивани  соленоида имеет место (оп ть из-за резкого роста рц) значительное возрастание нормальной (по отношению к поверхности контролируемого объекта 5) составл ющей магнитного пол  в объекте 5 (из услови  непрерыв- HHO . где Н п нормальна  составл юща  пол  концентратора , обусловленна  в целом магнитным полем соленоида; - нитна  проницаемость объекта - величина мала  по сравнению с ц ; Н J, р - нормальна  к поверхности контролируемого объекта 5 составл юща  магнитного пол ). Значительное возрастание Н „, пр1гаодит к тому, что имеет место увеличение плотности магнитного зар да (определ емой нормальной к боковой поверхности дефекта 6 составл ющей магнитного пол ) у дна дефекта (замыкание силовых линий происходит в основном у дна дефекта), что приводит к увеличению вклада этого участка дефекта 6 в общий сигнал МЧЭ 1 и приводит к,дифференциации дефектов 6 по глубине, т.е. к увеличению разности сигнала МЧЭ 1 от дефектов различной глубины, тем самым по- вьш1аетс  чувствительность устройства по определению глубины дефекта.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Устройство дл  регистрации магнитных полей рассе ни  по авт.св. № 920590, отличающеес  тем, что, с целью повьш1ени  чувствительности, в него введены параллельно соединенные соленоиды, охватывающие верхнюю часть пластин-концентраторов, подключенные через .блок питани  к блоку измерени .

   юо

   /530 S 60

   повм. иА Фи&.2