SU1365630A1 - Способ изготовлени элементов интегральной оптики - Google Patents

Способ изготовлени элементов интегральной оптики Download PDF

Info

Publication number
SU1365630A1
SU1365630A1 SU853998214A SU3998214A SU1365630A1 SU 1365630 A1 SU1365630 A1 SU 1365630A1 SU 853998214 A SU853998214 A SU 853998214A SU 3998214 A SU3998214 A SU 3998214A SU 1365630 A1 SU1365630 A1 SU 1365630A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
substrate
lens
electric field
refractive index
integrated optics
Prior art date
Application number
SU853998214A
Other languages
English (en)
Inventor
А.И. Войтенков
В.П. Редько
Original Assignee
Могилевское отделение Института физики АН БССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Могилевское отделение Института физики АН БССР filed Critical Могилевское отделение Института физики АН БССР
Priority to SU853998214A priority Critical patent/SU1365630A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1365630A1 publication Critical patent/SU1365630A1/ru

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относитсн к области интегральной оптики и может найти применение йри создании устройств св зи и оптической обработки инфор- мации. Целью изобретени   вл етс  получение планарной волноводной гра диентной линзы. Диэлектрическую подложку , предназначенную дл  изготовлени  линзы, нагревают до по влений , 1 и .проводимости Ю З... 10 Ом см привод т в контакт с веществом (металлической пленкой или солевым расплавом ), содержащим ионы, способные диффундировать в подложку и повышать ее показатель преломлени . Диффузию провод т в неоднородном электрическом поле с максимальной напр женностью 50...500 В/см до образовани  волноводного сло  с измен ющейс  по плоскости подложки величиной показател  преломлени , закон изменени  которого задаетс  конфигурацией электрического пол . 3 ил. (Л с 3. .

Description

оэ о сд
Од
&9
Изобретение относитс  к интеграл иой оптике, в частности к технологии изготовлени  основньр элементов интегрально-оптических устройств в волноводном исполнении.
Целью изобретени   вл етс  получение пленарной волноводной гради- . ентной линзы,
ДиэлектЕ ическую подложку, предназначенную дл  изтото влени  линзы, одНой нэ сторон привод т в контакт с веществом, содержащим ионы металлов, способные диффундировать в эту подложку, и нагревают fSf) температуры, при которой ее проводимость достигает величины 10. 10 Затем между противоположными поверхност ми подложки создают посто нное неоднородное электрическое поле оп еделеннрй конфигурации с максимальной напр женностью от 5 до 50 В/мм, причем в качестве анода используют поверхность, контактирующую с диффузантом. Длительность операции выбирают достаточной дл  Образовани  градиентного волноводного сло , поддерживающего заданное число мод. ,По ее завершении подложку охлаждают, а остатки диффузанта и электроды удал ют .
Механизм образовани  волноводной градиентной линзы состоит в следующем .
При нагревании диэлектрическа  подложка становитс  электропровод щей , Нбсител ми зар да в ней обычно  вл ютс  ионы щелочных металлов. Под действием приложенного извне электрического пол  они смещаютс  из прианодной поверхности подложки в направлении к катоду. Образовавшиес  вакансии эквивалентно замещаютс  ионами диффузанта, содержащимис  в веществе анода. Чем больше напр женность приложенного пол  в произвольно выбранной точке, тем на большую глубину при прочих равных услови х проникают диффундирующие иьны и тем больше показатель преломлени  легированного сло .
Заданного распределени  волноводного показател  преломпени  в поперечном сечении линзы достигают путем подбора определенной конфигурации электродов. Установлено, что распределение Составл ющей пол , перпендикул рной поверхности подложки, под действием которой происходит внедрение диффузанта, в первом приближен НИИ должно повтор ть заданную форму профил  гюказател  преломлени  лин- зы. Более точно требуема  конфигураци  полг подбираетс  экспериментально в соответствии с режимами ее изготовлени  . Предлагаемый способ позвол ет получить любое, в .том числе обеспечивающее идеальную фокусировку распределение показател  преломлени  в линзе.
Профиль показател  преломлени  линзы регулируетс  здесь самой физико-химической природой процесса электродиффузии. Это позвол ет получать линзы с воспроизводимыми параметрами и контролировать их непосредственно в процессе изготовлени  путем измерени  величины зар да, пропущенного между электродами. В предлагаемом способе вс  операци  по изготовлению линзы проводитс  в один этап с минимальными затратами
времени и материалов. Способ легко поддаётс  автоматизации. Таким обраг зом, его отличительными чертами  вл ютс  простота реализации и высока  воспроизводимость результатов,
Простейшим примером конфигурации пол , обеспечивающей решение поставленной задачи, Служит распределение . пол  между плоской покрытой диффузантом поверхностью подложки (анодом)
и расположенным на противоположной ей поверхности катодом, представл ющим собой узкую провод щую полосу шириной много меньше толщины подложки . Составл юща  пол , перпендикул рна  поверхности подложки, измен етс  по следующему закону:
Е(х)
2V d
, X
.ch
(1 +
.Хч1
cbj)
а
где V - напр жение, приложенное к электродам; d - толщина подложки. Функци  близка к функции гиперболического секанса, обеспечивающей, как известно, идеальные фокусирующие свойства линзы.
55
Другим возможным методом создани  неоднородного пол  может служить профилирование катодной поверт ности подложки, например вышлифовывание на ней цилиндрической канавки.
В качестве материала подложки предпочтительно использовать стекла, содержащие в своем составе окислы щелочных металлов, или кристаллы с преимущественно ионным типом св зи, например LiNbOj, LiTaOj. Носител ми зар дов в них, как и в стекле, служат ионы щелочных металлов. В качестве диффузантов могут быть использованы любые металлы, способные без окрашивани  повышать показатель преломлени  подложек. Но так как ответственными за проводимость подложки  вл ютс  одновалентные ионы, то и в качестве диффузантов следует ис- . пользовать ионы К Cs, Си, Ар , Т1. Предпочтительными  вл ютс  соединени  двух последних элементов, обеспечивающие наибольшее приращение показа тей  преломлени  . Это МО-: жег быть металл, его окисел, легко-г плавка  соль или смесь солей.
Предлагаемый способ пойсн етс  чертежами, где на фиг. 1 изображена подложка 1 с нанесенными на нее катодом 2 и анодом 3, а также указана прин та  система координат; на фиг. 2 приведено измеренное распределение волноводного показател  преломлени  (номер кривой соответствует номеру моды) по плоскости линзы, изготовленной в услови х примера 1; на фиг. 3 приведены рассчитанные траектории лучей в этой линзе.
Пример. 1. На одну из сторон подложки из оптического стекла К8 рамером 1,9 мм термическим испарением в вакууме нанос т планку серебра толщиной около 0,3 мкм. По цент рУ противоположной стороны подложки, как показано на фиг. 2, через щелевую маску нанос т полосу алюмини  шириной 200 мкм. Затем подложку нагревают в открытой терморегулируемой печи до температуры 673 К (проводимость ) . После установлени  заданной температуры на электроды подают посто нное напр жение величиной 24,5 В. За врем  эксперимента t 37 мин между электро- дами в расчете на 1 см длины катода пропускают зар д величиной Q «0,1 Кп/см. После этрго подложку охлаждают , а электроды поочередно стравливают в азотной кислоте и щелочи .
Измерение распределени  волноводного показател  преломлени  в направ
лении, перпендикул рном от линии, осуществл ют призменным методом на гониометре 15 путем сканировани 
узкого сдетоврго пучка (; 0,633 мкм) по плоскости конта1 та подложки с призмой. Результат измерени  дл  каждой из мод, поддерживаемых вол- новодной линзой, представлен на
фиг. 2, Из фиг.2 видно, что профиль показател  преломлени   вл етс  параболическим на у 1астке, составл ю-- щем 80-90% ширины линзы. Широкий параллельный пучок света, вводимый в .
торец линзы или с помощью призмы в зоне, расположенной под расширенным участком катода 2 на фиг.1, фокусировалс  на оси линзы. На фиг.З приведены траектории лучей в этой .
линзе, рассчитанные по известн1Л4 формулам..
Режимы изготовлени  линзы, приве денные в этом примере,  вл ютс  близкими к оптимальным. Изменением
длительности процесса можно управл ть ее толщиной и величиной 4N и, следовательно, числом поддерживаемых ей мод и фокусным рассто нием . .
Пример 2. Линзу изготавливают при тех же режимах, что в примере 1, но при толщине подложки 0,5 мм. Ее профиль показател  преломлени  также параболический, фокусное рассто ние равно 3,3 WM.
Пример 3. При Т 590 К ( -10 OM-VM- ); B/MMS Q - - 0,1 Кл/см; d 1,9 мм получена двухмодова  волноводна  линза с /N, 35 -10 и фокусными рассто ни ми дл  параксиальных лучей 9,2 мм н 7,8 Мм дл  нулевой и первой мод соответственно . Профиль показател  преломлени  нулевой моды параболический только на центральном yiaCTKe линзы, занимающем 60% ее ширины. Пример 4. При Т 758 К
И м е (i 1 -10 OM-CM )J Ее 5 В/мм;
Q 0,05 Кл/CMf d 1,9 мм получена одномодова  линза с JN,90-10 H F 21 мм. Профиль параболический на 40% ее ширины.Пример 5. В подложке толщиной 2,1 мм вышлифовывают ципиндри- ческую канавку диаметром 4 мм на глубину 1,85 мм и на ее поверхность нанос т пленку алюмини , служащую катодом . При Т 615 к; Е
50 В/мм
за врем  t-30 мин получают трехмодоАМ (х)-10
К,НИ
и, 2
y.ww
f.5
HH
Фи%.3

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    10 Способ изготовления элементов интегральной оптики путем нанесения на противоположные поверхности диэлектрической подложки электродов из диффундирующего вещества и по15 следующей обработки при нагреве в постоянном электрическом поле, о тл ичающийся .тем, что, с цельюполучения планарной волндводной градиентной лрнзы, обработку осу20 ществляют при температуре, соответствующей проводимости подложки 10 10'’ Ом’см**, в неоднородном электрическом поле напряженностью 5-50 В/мй»
    Фиг. 2
    -+
    Фиъ,3
SU853998214A 1985-12-17 1985-12-17 Способ изготовлени элементов интегральной оптики SU1365630A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853998214A SU1365630A1 (ru) 1985-12-17 1985-12-17 Способ изготовлени элементов интегральной оптики

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853998214A SU1365630A1 (ru) 1985-12-17 1985-12-17 Способ изготовлени элементов интегральной оптики

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1365630A1 true SU1365630A1 (ru) 1988-09-07

Family

ID=21212986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853998214A SU1365630A1 (ru) 1985-12-17 1985-12-17 Способ изготовлени элементов интегральной оптики

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1365630A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1824794A2 (en) * 2004-11-17 2007-08-29 Color Chip (Israel) Ltd. Methods and process of tapering waveguides and of forming optimized waveguide structures

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Nishizawa S., ptsuka А; Focu- sing diffused waveguides. - Opto- Electronics, 1973, v. 5, К 4, p. 309321.. . Viljanen S, Leppihalme M. Fabrication of optical strip wavequides with nearly circular cross section by silver ion migration technique. - S. Appl. Phys 1980, 51, N 7, 3563- 3565. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1824794A2 (en) * 2004-11-17 2007-08-29 Color Chip (Israel) Ltd. Methods and process of tapering waveguides and of forming optimized waveguide structures
EP1824794A4 (en) * 2004-11-17 2009-11-11 Color Chip Israel Ltd METHODS AND PROCESSES FOR REDUCING WAVEGUIDES AND FOR FORMING OPTIMIZED WAVEGUIDE STRUCTURES

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4494715B2 (ja) 延伸されたマイクロチャンネルアレイ装置とそれを使用する分析方法
US20210063786A1 (en) Optical device, microlens array, and method of fabricating optical device
KR100319871B1 (ko) 액정배향제어막및그제조방법,이를제조하기위한제조장치및제조장치에이용되는마스크의제조방법
EP0017296A2 (de) Verfahren zur Herstellung von Mikrolinsen und Kopplungselement mit einer nach diesem Verfahren hergestellten Mikrolinse
US3879110A (en) Small fly{3 s eye lens array
US4740988A (en) Laser device having mirror heating
EP1159589B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum messen der temperatur von substraten
SU1365630A1 (ru) Способ изготовлени элементов интегральной оптики
JP4644844B2 (ja) 光学素子の製造方法
US6224830B1 (en) Absorbance cell for microfluid devices
AU658032B2 (en) Method for burying waveguide paths
JP2720950B2 (ja) テーパ状導波管の製造方法
US20100163715A1 (en) Light Focusing in Linear Channel Arrays
DE4218721C2 (de) Kapillarelektrophorese-Gerät
JPS60256101A (ja) ガラス部材への光学素子形成方法
JPH0210784B2 (ru)
JPS58106503A (ja) 屈折率分布型レンズ体及びその製造方法
Asam Advances in microchannel plate technology and applications
EP0548388B1 (en) Method and apparatus for burying waveguide paths
JPS6223126A (ja) ド−ズ量測定方法
JPH0210783B2 (ru)
RU2073659C1 (ru) Способ изготовления интегральных микролинз
Ewald et al. High Pressure Optical Absorption Cell for Reactive Liquids
KR100484429B1 (ko) 진공 증착 장비 내부에 장착되는 4개의 소스보트 어레이
JPS60229342A (ja) 貫通孔を有するn形シリコンウエハ及びその製造方法