SU1363440A1 - Current generator - Google Patents

Current generator Download PDF

Info

Publication number
SU1363440A1
SU1363440A1 SU864103999A SU4103999A SU1363440A1 SU 1363440 A1 SU1363440 A1 SU 1363440A1 SU 864103999 A SU864103999 A SU 864103999A SU 4103999 A SU4103999 A SU 4103999A SU 1363440 A1 SU1363440 A1 SU 1363440A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
current
collector
base
resistor
Prior art date
Application number
SU864103999A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Борис Александрович Гарбуз
Сергей Анатольевич Коновалов
Василий Леонидович Опалев
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1589
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1589 filed Critical Предприятие П/Я А-1589
Priority to SU864103999A priority Critical patent/SU1363440A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1363440A1 publication Critical patent/SU1363440A1/en

Links

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

, Изобретение относитс  к микроэлектронике . Цель изобретени  - стабилизаци  выходного тока в широком диапазоне изменений коэффи1щента усилени  Генератор тока содержитдвух- коллекторньй транзистор 1, транзисторы 2 и 5, токовое зеркало на транзисторах 3 и 4, резисторы 6 и 7 и , диод-8. При задании входного тока транзистор 1 открываетс , через диод 8 протекает незначительный ток и больша  часть эмнттёрного тока транзистора 1 течет из эмиттера транзистора 5. Когда на базе транзистора 5 потенциал понизитс , то транзистор 5 начинает стабилизировать свой эмит- тер ньш ток, а следовательно, застаби- лизируетс  и выходной ток транзистора 1. Если коэффициент передачи токового зеркала равен единице и токи обоих коллекторов транзистора 1 равны между собой, то выходной ток пропорционален коллекторному току транзистора 3, при этом на величину выходного тока не вли ет коэффициент усилени  транзистора 1; который  вл етс  наиболее нестабильным параметром, 1 ил „ i (Л Вход Ife Ife5 life IZ8 )« CO 05 CO 4 4ib Ixf6 t x -Ur,The invention relates to microelectronics. The purpose of the invention is to stabilize the output current in a wide range of changes in the gain factor. The current generator contains a two-collector transistor 1, transistors 2 and 5, a current mirror on transistors 3 and 4, resistors 6 and 7 and diode-8. When the input current is set, transistor 1 opens, a small current flows through diode 8, and most of the input current of transistor 1 flows from the emitter of transistor 5. When the potential decreases at the base of transistor 5, then transistor 5 begins to stabilize its emitter current and, therefore, the output current of transistor 1 is also stabilized. If the current mirror transfer coefficient is equal to one and the currents of both collectors of transistor 1 are equal to each other, then the output current is proportional to the collector current of transistor 3, ohm on the output current does not affect the gain of the transistor 1; which is the most unstable parameter, 1 or „i (L Input Ife Ife5 life IZ8)" CO 05 CO 4 4ib Ixf6 t x -Ur,

Description

зировать свой эмиттерньн ток, а следовательно , эастабилизируетс  и BLF- ходной ток первого транзистора 1. При этом через второй резистор 7 протекает ток 1д (Un-Ug): - э, - f,s5bR, (и,,, -Ug -U,):R, ,to determine its emitter current, and, therefore, the BLF-input current of the first transistor 1 is also stabilized. At the same time, a current 1d (Un-Ug) flows through the second resistor: - е, - f, s5bR, (and ,,, -Ug -U ,): R,,

Так как ток базы п того транзистора 5 значительно меньше I,,; (на вели10Since the base current of the p of the transistor 5 is much less than I ,,; (on 10

чину Ij,5 ; J при считать, что Irank Ij, 5; J when take that i

/П -L/ P -L

1),one),

R7 ТО МОЖНОR7 TO BE POSSIBLE

КЗ KZ

где Iwhere i

KSKS

иand

1136344011363440

Изобретение относитс  к микроэлектронике и предназначено дл  использовани  в логических и интегральных схемах, реализуемых по высоковольтной бипол рной технологии.The invention relates to microelectronics and is intended for use in logic and integrated circuits implemented by high-voltage bipolar technology.

Цель изобретени  - стабилизада  выходного тока в широком диапазоне изменений коэффициента усилени .The purpose of the invention is to stabilize the output current in a wide range of variations in the gain.

На чертеже представлена принци- пиальна  электрическа  схема предлагаемого генератора тока.The drawing shows the basic electrical circuit of the proposed current generator.

Генератор тока содержит первый транзистор 1, выполненный двухколлекторным , с второго по п тый транзисто- 15 передачи токового зеркала на транзис- ры.2-5, первый 6 и второй 7 резисторы торах 3 и 4 равен единице и токи и диод 8.обоих коллекторов первого транзистораThe current generator contains the first transistor 1, made two-collector, from the second to the fifth transistor-15 transmission of the current mirror to the transistor 2-5, the first 6 and second 7 resistors tori 3 and 4 are equal to one, and the current and diode of 8. both collectors first transistor

Генератор тока работает следу1дщим 1 равны между собой, то можно Ig,,I,, (U.,, + Ug -и„): R,, 20 При этом на величину выходного тока не вли ет коэффициент усилени  первого транзистора 1, который  вл етс  наиболее нестабильным параметром вследствие того, что первый транзистор 1  вл етс  высоковольтным латеральным , транзистором р-п-р-типа, коллекторные-токи транзисторов 5 и 3 соответственно,The current generator operates as follows 1 equal to each other, then it is possible Ig ,, I ,, (U. ,, + Ug -and „): R ,, 20 At the same time, the output current is not affected by the gain of the first transistor 1, which is This is the most unstable parameter due to the fact that the first transistor 1 is a high-voltage lateral, pnp-type transistor, the collector-currents of transistors 5 and 3, respectively,

В частном случае если коэффициентIn the particular case if the coefficient

образом.in a way.

При задании входного тока первый транзистор 1 открываетс , на его эмиттере поддерживаетс  потенциалWhen setting the input current, the first transistor 1 opens, its potential is maintained on its emitter

иand

9(9(

и„ and"

- и.В. - в ;- I.V. - at ;

где падение напр жени на базоэмиттерном переходе второготранзистора 2iwhere the voltage drop at the base-emitter junction of the second transistor 2i

и. - падение напр жени на дио- and. - voltage drop across the diode

де &.de &.

ЧГерез диод 8 протекает незначительный токAfter diode 8 a small current flows

2525

готовленным в едином технологическом цикле по высоковольтной бипол рной технологии. Необходимо только, чтобыprepared in a single technological cycle using high-voltage bipolar technology. It is only necessary that

30 выходной управл ющий ток „.. бьи30 output control current

, (I.(I.

вхin

, ),)

не, меньше, чем Термин- VJ-K, , 1мии -К1, и - токи, протекающие соответственно через первьш и второй коллекторы первого транзистора 1 р - минимально допустимый коэффициент усилени  данного транзистора .no less than Term- VJ-K, 1 and-1 K, and - currents flowing respectively through the first and second collectors of the first transistor 1 p - the minimum allowable gain factor of the transistor.

6 652  6,652

Бэг Bag

1|сг 1 | cr

где „, where „,

-К2-K2

-кг -ВХ ; -kg -VH;

ток, лротекаюший через базоэмиттерный переход второго транзистора 2, коллекторньм ток второго транзистора 2 (3j, - коэффициент усилени  второго транзистора 2. Больша  часть эмиттерного тока первого транзистора 1 течет из эмиттера п того транзистора 5,the current flowing through the base-emitter junction of the second transistor 2, the collector current of the second transistor 2 (3j, is the gain of the second transistor 2. Most of the emitter current of the first transistor 1 flows from the emitter of the pth transistor 5,

Выходной ток, протекающий через первый коллектор первого транзистора 1, пропорционален току, протекающему через второй коллектор данного транзистора и. поступающему в четвертый (задакиций) транзистор 4 токового зеркала. Следовательно, через третий транзистор 3 токового зеркала npote-The output current flowing through the first collector of the first transistor 1 is proportional to the current flowing through the second collector of this transistor and. coming in the fourth (zadoskatsy) transistor 4 current mirror. Therefore, through the third transistor 3 current mirror npote-

3535

4040

не, меньше, чем Термин- VJ-K, , 1мии -К1, и - токи, протекающие соответственно через первьш и второй коллекторы первого транзистора 1 р - минимально допустимый коэффициент усилени  данного транзистора .no less than Term- VJ-K, 1 and-1 K, and - currents flowing respectively through the first and second collectors of the first transistor 1 p - the minimum allowable gain factor of the transistor.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Генератор тока, вьшолненный на первом транзисторе, имеющем р-п-р- структуру, база которого  вл етс  входом генератора тока и соединена с коллектором второго транзистора, имеющим р-п-р-структуру, база которого через первьм резистор соединена с коллектором этого транзистора и с положительной шиной, источника пита- gQ ни , при Э.ТОМ коллектор первого тран45The current generator, made on the first transistor having a pp-p-structure, the base of which is the input of the current generator and connected to the collector of the second transistor, having a p-p-p-structure, the base of which through the first resistor is connected to the collector of this transistor and with a positive bus, a power source gQ nor, with E. THOM the collector of the first tran45 кает ток Ikata current I КЗKZ пропорциональный выходному току,proportional to the output current, На базе п того транзистора даетс  потенциал Ugy U - I.On the basis of the first transistor, the potential Ugy U - I is given. Когда на базе п того транзистора 5 потенциал понизитс  до U,, - , п тый транзистор 5 начинает стабштизистора  вл етс  выходом генератора тока, отличаю щийс  тем, что, с целью стабилизации выходного тока в широком диапазоне изменений 5 соз- 55 коэффициента усилени , в него введены токовое зеркало, вьтолненное на третьем и четвертом транзисторах, имеющих п-р-п-структуру, п тый транзистор имеющий п-р-п-структуру, диод и втозировать свой эмиттерньн ток, а следовательно , эастабилизируетс  и BLF- ходной ток первого транзистора 1. При этом через второй резистор 7 протекает ток 1д (Un-Ug): - э, - f,s5bR, (и,,, -Ug -U,):R, ,When at the base of the fifth transistor 5, the potential drops to U ,, -, the fifth transistor 5 starts the stabilizer is an output of a current generator, characterized in that, in order to stabilize the output current in a wide range of changes 5 to 55 it has a current mirror introduced in the third and fourth transistors with a pn-structure, a fifth transistor having a pn-p structure, a diode and its own emitter current, and therefore the BLF current of the first transistor 1. At the same time through resistor 7 flows 1e current (Un-Ug): - e, - f, s5bR, (and ,,, -Ug -U,): R,, Так как ток базы п того транзистора 5 значительно меньше I,,; (на велиSince the base current of the p of the transistor 5 is much less than I ,,; (on led чину Ij,5 ; J при считать, что Irank Ij, 5; J when take that i /П -L/ P -L 1),one), R7 ТО МОЖНОR7 TO BE POSSIBLE КЗ KZ где Iwhere i KSKS иand коллекторные-токи транзисторов 5 и 3 соответственно, collector-currents of transistors 5 and 3, respectively, В частном случае если коэффициентIn the particular case if the coefficient готовленным в едином технологическом цикле по высоковольтной бипол рной технологии. Необходимо только, чтобыprepared in a single technological cycle using high-voltage bipolar technology. It is only necessary that выходной управл ющий ток „.. бьиoutput control current , (I.(I. вхin , ),) не, меньше, чем Термин- VJ-K, , 1мии -К1, и - токи, протекающие соответственно через первьш и второй коллекторы первого транзистора 1 р - минимально допустимый коэффициент усилени  данного транзистора .no less than Term- VJ-K, 1 and-1 K, and - currents flowing respectively through the first and second collectors of the first transistor 1 p - the minimum allowable gain factor of the transistor. Формула изобретени Invention Formula Генератор тока, вьшолненный на первом транзисторе, имеющем р-п-р- структуру, база которого  вл етс  входом генератора тока и соединена с коллектором второго транзистора, имеющим р-п-р-структуру, база которого через первьм резистор соединена с коллектором этого транзистора и с положительной шиной, источника пита- ни , при Э.ТОМ коллектор первого транThe current generator, made on the first transistor having a pp-p-structure, the base of which is the input of the current generator and connected to the collector of the second transistor, having a p-p-p-structure, the base of which through the first resistor is connected to the collector of this transistor and with a positive bus, the power source, with E. THOM the collector of the first trans 313634404313634404 рой резистор, при этом первый тран-питани , эмиттер п того транзистора зистор вьтолне  двухколлекторным,соединен с, эмиттером первого тран- дополнительный коллектор которого зистора и с катодом диода, анод кото- соединен с входом токового зеркапа, рого соединен с базой второго тран- выход которого соединен с базой п то-зистора, а объединенные эмиттеры го транзистора и через второй резис-третьего и четвертого транзисторов тор с коллектором п того транзисторатокового зеркала соединены с общей и с положительной ишной источникашиной.The first resistor, the emitter of the first transistor resistor is two-collector, is connected to the emitter of the first transistor collector of which the resistor and to the cathode of the diode, which is connected to the input of the current mirror, which is connected to the base of the second transistor. the output of which is connected to the base of the p transistor, and the combined emitter of the transistor and, through the second resis of the third and fourth transistors, the torus to the collector of the fifth transistor current mirror are connected to a common and positive source.
SU864103999A 1986-06-02 1986-06-02 Current generator SU1363440A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864103999A SU1363440A1 (en) 1986-06-02 1986-06-02 Current generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864103999A SU1363440A1 (en) 1986-06-02 1986-06-02 Current generator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1363440A1 true SU1363440A1 (en) 1987-12-30

Family

ID=21251440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864103999A SU1363440A1 (en) 1986-06-02 1986-06-02 Current generator

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1363440A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Микросхема КН09 КНЗ, чертеж ЮФ.438,006.33. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6462016A (en) Output buffer circuit
JPS63501914A (en) CMOS-ECL logic level converter with temperature compensation
JPS60501035A (en) Comparator circuit with reduced input bias current
EP0081864A1 (en) Polarity guard circuit
SU1363440A1 (en) Current generator
US4501933A (en) Transistor bridge voltage rectifier circuit
EP0343731A2 (en) Unity-gain current-limiting circuit
SE7902832L (en) SUBSCRIBER CIRCUIT INCLUDING A SYMMETRIC POWER AMPLIFIER FOR SUPPLYING A SUBSCRIBER MANAGEMENT
KR900019256A (en) Bipolar Transistors with Distortion Compensation
SU585489A1 (en) Dc stabilizer
KR100228354B1 (en) Reference voltage generator
JPS5912824Y2 (en) transistor circuit
SU1332291A1 (en) Current source
SU1534442A1 (en) Device for voltage stabilizer
JPH0136291B2 (en)
SU1359902A1 (en) Integrated circuit esl-element
SU1534440A1 (en) Dc stabilizer
PL111625B2 (en) System for generation of tri-stable signals
SU1228260A1 (en) Versions of logic integrated circuit
SU1410006A1 (en) Current source
KR920002976Y1 (en) Current regulator
JPH029729B2 (en)
RU1810974C (en) Push-pull voltage converter
SU1182661A1 (en) Semiconductor switch
SU1201826A1 (en) Stable current source