SU1336196A1 - Power amplifier - Google Patents

Power amplifier Download PDF

Info

Publication number
SU1336196A1
SU1336196A1 SU864017403A SU4017403A SU1336196A1 SU 1336196 A1 SU1336196 A1 SU 1336196A1 SU 864017403 A SU864017403 A SU 864017403A SU 4017403 A SU4017403 A SU 4017403A SU 1336196 A1 SU1336196 A1 SU 1336196A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
power supply
transistors
bus
power
Prior art date
Application number
SU864017403A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Василий Николаевич Ногин
Николай Борисович Догадин
Original Assignee
В.Н.Ногин и Н.Б.Догадин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В.Н.Ногин и Н.Б.Догадин filed Critical В.Н.Ногин и Н.Б.Догадин
Priority to SU864017403A priority Critical patent/SU1336196A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1336196A1 publication Critical patent/SU1336196A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к усилительной технике. Цель изобретени  - уменьшение нелинейных искажений и увеличение коэффициента усилени  по мощности при больших сигналах. Усилитель мощности содержит транзисторы 1-4 и 12, шины 5, 7, 9 и 11 источника питани , диод 6 и цепи 8 и 10 смещени . Использование транзистора 12 позвол ет обеспечить посто нство входного сопротивлени  усилител  мощности как при малых, так и при больших мгновенных значени х входного сигнала, что способствует повышению линейности схемы, а также увеличению ее коэффициента усилени  по мощности при больших сигналах. 1 ил. (Л СО СО 35 О5The invention relates to amplifier technology. The purpose of the invention is to reduce nonlinear distortion and increase the gain in power for large signals. The power amplifier contains transistors 1-4 and 12, power supply buses 5, 7, 9, and 11, a diode 6, and a bias circuit 8 and 10. The use of transistor 12 ensures that the input impedance of the power amplifier is constant for both small and large instantaneous values of the input signal, which contributes to an increase in the linearity of the circuit, as well as to an increase in its power gain factor for large signals. 1 il. (L WITH WITH 35 O5

Description

Изобретение относитс  к усилительной технике и может быть использовано в экономичных усилител х мощности низкой частоты.This invention relates to an amplifier technique and can be used in an economical low frequency power amplifier.

Цель изобретени  - уменьшение нелинейных искажений и увеличение коэффициента усилени  ло мощности при больших сигналах.The purpose of the invention is to reduce nonlinear distortion and increase the power gain with large signals.

На чертеже представлена .принципиальна  электрическа  схема усилител  мощности.The drawing shows a basic electrical power amplifier circuit.

Усилитель мощности содержит первый 1, второй 2, третий 3 и четвертыйThe power amplifier contains the first 1, second 2, third 3 and fourth

4 транзисторы, первую шину 5 источни- ig сигнала, что способствует повышению4 transistors, the first bus 5 signal source, which helps to increase

линейной схемы, а также увеличению ее коэффициента усилени  по мощности при больших сигналах.linear circuit, as well as an increase in its power gain for large signals.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula ка питани , диод 6, вторую шину 7 источника питани , первую цепь 8 смещени , третью шину 9 источника питани , вторую цепь 10 смещени , четвертую шину 11 источника питани  и п тьй транзистор 12.a power supply, a diode 6, a second power supply bus 7, a first bias circuit 8, a third power supply bus 9, a second bias circuit 10, a fourth power supply bus 11, and a five transistor 12. Усилитель мощности работает следующим образом. . The power amplifier works as follows. . В исходном состо нии, при нулевом входном сигнале, п тый транзистор 12 насыщен, первый 1 и третий 3 транзисторы заперты, а второй и четвертый транзисторы либо заперты (режим В), либо работают с некоторыми токами поко  (режим АВ).In the initial state, with zero input signal, the fifth transistor 12 is saturated, the first 1 and third 3 transistors are locked, and the second and fourth transistors are either locked (mode B) or operate with some quiescent currents (mode AB). При малых мгновенных значени х входного сигнала токи второго 2 и четвертого 4 транзисторов .возрастают. Ток в нагрузку протекает от второй шины 7 источника питани  через диод 6 и четвертый транзистор 4.At small instantaneous values of the input signal, the currents of the second 2 and fourth 4 transistors increase. The current in the load flows from the second bus 7 of the power source through the diode 6 and the fourth transistor 4. При увеличении входного сигнала выше напр жени  на третьей шине 9 источника питани  начинает отпиратьс  эмиттерньй переход первого транзистора 1 . В результате отпираетс  третий транзистор 3, и ток нагрузки складываетс  из эмиттерного тока третьего транзистор а 3, протекающего от первой шины 5 источника питани , и из эмиттерного тока четвертого транзистора 4. Дальнейший рост входного и выходного сигналов приводит к постепенному уменьшению тока, протекающего от четвертой шины 11 источника питани  через вторую цепь 10 смеще- ; ни , и в конечном счете - к полному запиранию п того транзистора 12. При этом четвертый транзистор 4 также запираетс , и его коллектор отключаетс  от второй шины 7 из-за запира30As the input signal rises above the voltage on the third power supply bus 9, the emitter junction of the first transistor 1 begins to open. As a result, the third transistor 3 is opened, and the load current is added from the emitter current of the third transistor a 3 flowing from the first bus 5 of the power supply and from the emitter current of the fourth transistor 4. A further increase in the input and output signals leads to a gradual decrease in the current flowing from the fourth power supply busbars 11 through second bias circuit 10; neither, and ultimately, to the complete locking of p of the transistor 12. In this case, the fourth transistor 4 is also locked, and its collector is disconnected from the second bus 7 due to the locking 30 3535 2020 Усилитель мощности, содержащий первый и второй транзисторы одной структуры, трутий и четвертый тран- 25 зисторы противоположной структуры, причем эмиттеры первого, второго и третьего, четвертого транзисторов соединены попарно и  вл ютс  соответственно входом и выходом усилител  мощности, коллекторы первого и второго транзисторов подключены соответственно к базам третьего и четвертого транзисторов, коллектор третьего транзистора подключен к первой шине источника питани , коллектор четвертого транзистора, через диод включенный в пр мом направлений, соединен с второй шиной источника питани , база первого транзистора через первую цепь смещени  соединена с третьей шиной источника питани , а также вторую цепь смещени , первьй вывод которой соединен с четвертой шиной источника питани , отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  нелинейных искажений и увеличени  коэффициента усилени  по мощности при больших сигналах, введен п тьй транзистор, структура которого совпадает со структурой третьего транзистора , при этом эмиттер и коллектор п того транзистора подключены соответственно к эмитеру третьего и к базе второго транзисторов, а база п того транзистора соединена с вторым выводом второй цепи смещени .The power amplifier containing the first and second transistors of one structure, the trunks and the fourth transistors of the opposite structure, the emitters of the first, second and third, fourth transistors are connected in pairs and are respectively the input and output of the power amplifier, the collectors of the first and second transistors are connected to the bases of the third and fourth transistors, the collector of the third transistor is connected to the first power supply bus, the collector of the fourth transistor, through a diode connected to the The direction of the first transistor is connected to the third power supply bus and the second bias circuit, the first output of which is connected to the fourth power supply bus, characterized in that, in order to reduce non-linear distortions and an increase in the power gain at large signals, a five transistor is introduced, whose structure coincides with that of the third transistor, while the emitter and collector of the fifth transistor are connected respectively, to the third emitter and the second transistor base, and the base of the fifth transistor is connected to the second output of the second bias circuit. 4040 4545 5050 5555 внкигмvnkigm Заказ 4054/54 Тираж 901Order 4054/54 Edition 901 Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4Random polygons pr-tie, Uzhgorod, st. Project, 4 ни  диода 6. Отпирание третьего транзистора 3 и запирание четвертого транзистора 4 происход т при напр жении на нагрузке, близком к напр жению на второй шине 7 источника питани , после чего выходной ток усилител  мощности определ етс  только током третьего транзистора 3.Neither diode 6. The unlocking of the third transistor 3 and the locking of the fourth transistor 4 takes place at a voltage across the load close to the voltage on the second bus 7 of the power supply, after which the output current of the power amplifier is determined only by the current of the third transistor 3. Использование п того транзистора 12 позвол ет обеспечить посто нство входного сопротивлени  усилител  мощности как при малых, так и при больших мгновенных значени х входногоThe use of the fifth transistor 12 makes it possible to ensure the constancy of the input impedance of the power amplifier both at small and high instantaneous values of the input 00 5five Усилитель мощности, содержащий первый и второй транзисторы одной структуры, трутий и четвертый тран- 5 зисторы противоположной структуры, причем эмиттеры первого, второго и третьего, четвертого транзисторов соединены попарно и  вл ютс  соответственно входом и выходом усилител  мощности, коллекторы первого и второго транзисторов подключены соответственно к базам третьего и четвертого транзисторов, коллектор третьего транзистора подключен к первой шине источника питани , коллектор четвертого транзистора, через диод включенный в пр мом направлений, соединен с второй шиной источника питани , база первого транзистора через первую цепь смещени  соединена с третьей шиной источника питани , а также вторую цепь смещени , первьй вывод которой соединен с четвертой шиной источника питани , отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  нелинейных искажений и увеличени  коэффициента усилени  по мощности при больших сигналах, введен п тьй транзистор, структура которого совпадает со структурой третьего транзистора , при этом эмиттер и коллектор п того транзистора подключены соответственно к эмитеру третьего и к базе второго транзисторов, а база п того транзистора соединена с вторым выводом второй цепи смещени .The power amplifier containing the first and second transistors of one structure, the trunks and the fourth transistors of the opposite structure, the emitters of the first, second and third, fourth transistors are connected in pairs and are respectively the input and output of the power amplifier, the collectors of the first and second transistors are connected to the bases of the third and fourth transistors, the collector of the third transistor is connected to the first power supply bus, the collector of the fourth transistor, through a diode connected to the The direction of the first transistor is connected to the third power supply bus and the second bias circuit, the first output of which is connected to the fourth power supply bus, characterized in that, in order to reduce non-linear distortions and an increase in the power gain at large signals, a five transistor is introduced, whose structure coincides with that of the third transistor, while the emitter and collector of the fifth transistor are connected respectively to the emitters of the third and to the base of the second transistor and the base of the fifth transistor connected to the second terminal of the second bias circuit. 00 5five 00 5five ПодписноеSubscription
SU864017403A 1986-01-31 1986-01-31 Power amplifier SU1336196A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864017403A SU1336196A1 (en) 1986-01-31 1986-01-31 Power amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864017403A SU1336196A1 (en) 1986-01-31 1986-01-31 Power amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1336196A1 true SU1336196A1 (en) 1987-09-07

Family

ID=21219858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864017403A SU1336196A1 (en) 1986-01-31 1986-01-31 Power amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1336196A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка DE № 2304162, кл, Н 03 F 3/20, опублик. 24.04.75, Патент US № 4117418, кл, 330-296, опублик, 26,09.78. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930015349A (en) Log conversion circuit
FI60329B (en) AOTERKOPPLAD FOERSTAERKARE
JPS6472605A (en) Feedback amplifier
SU1336196A1 (en) Power amplifier
JPS6136408B2 (en)
US4366445A (en) Floating NPN current mirror
KR910008936A (en) Frequency conversion circuit
SU1283945A1 (en) Two-step amplifier
SU1626327A1 (en) Differential amplifier
SU1092700A1 (en) Power amplifier
SU1550597A1 (en) High frequency generator
SU1529401A1 (en) Device for multiplying analo signals
SU1166271A1 (en) Differential amplifier
EP0181752A3 (en) Extended range amplifier circuit
SU1571748A1 (en) Differential amplifier
SU788342A1 (en) Push-pull power amplifier
SU1385256A1 (en) Differential amplifier
JPS5728407A (en) Amplifying circuit
RU1838876C (en) Differential current amplifier
SU1193770A1 (en) Power amplifier
SU1497713A1 (en) Push-pull power amplifier
SU1635249A1 (en) Push-pull differential amplifier
SU1185569A1 (en) Two-step power amplifier
SU1483601A1 (en) Differential amplifying stage
SU1584076A1 (en) Voltage repeater