Известен способ изготовлени сварных контактов между выводным проводником и поверхностью полупроводникового прибора, основанный на пропускании импульса тока через переходный контакт между полупроводником и прижатым к нему острием проволочного вывода. Недостаток этого способа заключаетс в том, что дл получени определенных свойств контакта необходимо проволоку легировать соответствующей примесью или наносить ее на поверхность привариваемой проволоки , что сложно и плохо зоспроизводнмо. Кроме того, в момент сварки возможно испарение нанесенной примеси, что приводит к изменению свойств контакта, а легированна проволока, как правило, обладает худшими механическими свойствами.A known method of making welded contacts between a lead conductor and the surface of a semiconductor device is based on passing a current pulse through a transition contact between the semiconductor and the tip of the wire lead pressed to it. The disadvantage of this method is that in order to obtain certain contact properties, it is necessary to wire the appropriate impurity or apply it to the surface of the wire to be welded, which is difficult and poorly reproducible. In addition, at the time of welding, evaporation of the deposited impurity is possible, which leads to a change in the properties of the contact, and the alloyed wire, as a rule, has worse mechanical properties.
Предлагаемый способ позвол ет упростить технологию получени сварного контакта требуемого типа. Это достигаетс тем, что легированию подвергаетс не вывод, а материал полупроводника, а импульс тока пропускают от полупроводника к выводу дл получени омического контакта, и в обратном направлении - дл получени выпр мл ющего контакта.The proposed method makes it possible to simplify the technology for obtaining the required type of welded contact. This is achieved by doping the semiconductor material rather than the output, and passing a current pulse from the semiconductor to the output to obtain an ohmic contact, and in the opposite direction to obtain a rectifying contact.
Сущность способа заключаетс в следующем.The essence of the method is as follows.
Полупроводниковый материал легируетс определенной примесью, затем импульсом тока производитс приварка проволоки, причем в зависимости от свойств примеси и от направлени тока сварки происходи г образование или выпр мл ющего, или омического контакта. Например, если кремний легировать галлием и производить сварку золотой про волоки таким образом, чтобы минус подключалс к проволоке, то вместе сварки образуетс омический контакт. Если же пол рность изменить , то в месте сварки образуетс выпр мл ющий контакт.The semiconductor material is doped with a certain impurity, then a current pulse is used to weld the wire, and depending on the properties of the impurity and on the direction of the welding current, the formation or rectifying or ohmic contact takes place. For example, if silicon is doped with gallium and the gold wire is welded in such a way that the minus is connected to the wire, then ohmic contact forms together with the welding. If the polarity is changed, a rectifying contact is formed at the welding site.
№ 133530- 2 Предмет изобретени Способ изготовлени сварных контактов между выводным проводником н поверхностью полупроводникового прибора, основанный на пропускании импульса тока через переходный контакт между полупроводником и прижатым к нему острием проволочного вывода, отличающийс тем, что, с целью упрощени технологии получени сварного контакта требуемого типа, легируют полупроводник, например кремний, галлием и пропускают импульс тока от полупроводника к выводу, нааример изготовленному из золота, дл получени омического контакта, и в обратном направлении - дл получени выпр мл ющего контакта.No. 133530- 2 Subject of the Invention A method of making welded contacts between a lead conductor and a surface of a semiconductor device, based on passing a current pulse through a transitional contact between a semiconductor and a wire terminal pin pressed to it, characterized in that, in order to simplify the technology for obtaining a desired contact type , alloy the semiconductor, such as silicon, with gallium, and pass a current pulse from the semiconductor to a gold-made terminal, to obtain an ohmic cone tact, and in the opposite direction, to obtain a rectifying contact.