SU132613A1 - Apparatus for accelerated melt crystal growth - Google Patents
Apparatus for accelerated melt crystal growthInfo
- Publication number
- SU132613A1 SU132613A1 SU645071A SU645071A SU132613A1 SU 132613 A1 SU132613 A1 SU 132613A1 SU 645071 A SU645071 A SU 645071A SU 645071 A SU645071 A SU 645071A SU 132613 A1 SU132613 A1 SU 132613A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal growth
- melt
- crucible
- melt crystal
- vessel
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Известны разнообразные конструкции кристаллизационных зстановок дл скоростного выращивани монокристаллов из расплава методом опускани тигл . Например, описана трубчата вертикальна печь с узким металлическим кольцом-диафрагдмой, расположенным в нижней части печи и нагреваемым до высокой температуры.Various designs of crystallization plants are known for the rapid growth of single crystals from the melt by crucible lowering. For example, a tubular vertical furnace with a narrow metal diaphragm ring located at the bottom of the furnace and heated to a high temperature is described.
Предлагаемое устройство позвол ет производить сильное локальное охлаждение расплава, что улучшает и ускор ет процесс выращивани кристаллов. Это достигаетс наличием в нижней части трубчатой вертикальной печи охлаждаемого сосуда с легкоплавким металлом, в который погружаетс тигель с кристаллизуемым веществом.The proposed device allows a strong local cooling of the melt, which improves and accelerates the process of growing crystals. This is achieved by the presence in the lower part of the tubular vertical furnace of a cooled vessel with a low-melting metal in which the crucible with the substance being crystallized is immersed.
На чертеже представлено устройство в разрезе.The drawing shows the device in section.
Тигель 1 с расплавом на креплении, устроенном сверху, перемещаетс из обогреваемой верхней части трубчатой вертикальной печм в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав Розе или Вуда).The crucible 1 with the melt on the mount, arranged on top, moves from the heated upper part of the tubular vertical furnace to the unheated lower part, where a vessel 2 is placed coaxially with the crucible and filled with a low-melting metal or alloy (tin, Rose or Wood alloy).
Стенки сосуда охлаждаютс током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа. Сосуд и.меет широкий слив 3, расположенный немного ниже его верхнего кра , и приемник 4 дл вытекающего из слива металла.The walls of the vessel are cooled by flowing a flowing fluid (water, antifreeze) or a cooled gas. The vessel also has a wide discharge 3, located slightly below its upper edge, and a receiver 4 for the metal flowing out of the discharge.
Дл успешного действи устройства расплав перегреваетс значительно выше температуры плавлени , примерно на 200° и более. Гор чий тигель с расплавом опзскаетс в охлаждаемый сосуд с легкоплавким -металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растущего кристалла при одновременном перегреве расплава. Вытекающий из слива металл собираетс в приемник.For successful operation of the device, the melt overheats significantly higher than the melting temperature, about 200 ° or more. The hot crucible with the melt is melted into a cooled vessel with a low-melting metal and melts the latter, which results in an intense heat exchange to abruptly cool the growing crystal while overheating the melt. The effluent metal is collected in the receiver.
Устройство значительно повышает чистоту (однородность) и скорость выращивани монокристаллов.The device significantly increases the purity (uniformity) and the rate of single crystal growth.
Очистка кристалла от нерастворимых частиц коллоидных размеров и молекул рных примесей с применением охладител намйого выше, чем без него..Purification of the crystal from insoluble particles of colloidal size and molecular impurities using a cooler higher than without it.
Предмет изобретени Subject invention
Устройство дл выращивани кристаллов из расплава методом опускани тигл , нагреваемого в трубчатой вертикальной печи с обогреваемой верхней частью и не нагреваемой нижней частью, отличающеес тем, что в нижней не нагреваемой части печи помещен охлаждаемый сосуд с легкоплавким металлом, снабженный сливо л и приемником дл метала, вытекающего из сосуда при погружении в него тигл с кристаллизуемым веществом.A device for growing crystals from a melt by lowering a crucible heated in a tubular vertical furnace with a heated upper part and an unheated lower part, characterized in that in the lower non-heated part of the furnace there is a cooled vessel with a low-melting metal, equipped with a drain and a receiver for metal, flowing out of the vessel when the crucible with the substance being crystallized is immersed in it.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU645071A SU132613A1 (en) | 1959-11-25 | 1959-11-25 | Apparatus for accelerated melt crystal growth |
SU645071K SU132614A1 (en) | 1959-11-25 | 1959-11-25 | Apparatus for accelerated melt crystal growth |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU645071A SU132613A1 (en) | 1959-11-25 | 1959-11-25 | Apparatus for accelerated melt crystal growth |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU132613A1 true SU132613A1 (en) | 1959-11-30 |
Family
ID=48403641
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU645071A SU132613A1 (en) | 1959-11-25 | 1959-11-25 | Apparatus for accelerated melt crystal growth |
SU645071K SU132614A1 (en) | 1959-11-25 | 1959-11-25 | Apparatus for accelerated melt crystal growth |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU645071K SU132614A1 (en) | 1959-11-25 | 1959-11-25 | Apparatus for accelerated melt crystal growth |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (2) | SU132613A1 (en) |
-
1959
- 1959-11-25 SU SU645071A patent/SU132613A1/en active
- 1959-11-25 SU SU645071K patent/SU132614A1/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SU132614A1 (en) | 1959-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2471899A (en) | Method of separating constituents of alloys by fractional crystallization | |
GB1463180A (en) | Crystal growth | |
KR100825997B1 (en) | Method and Apparatus for Growing Single Crystal | |
GB774270A (en) | Method of producing bodies of metals or matalloids | |
US3353914A (en) | Method of seed-pulling beta silicon carbide crystals from a melt containing silver and the product thereof | |
US2890139A (en) | Semi-conductive material purification method and apparatus | |
SU132613A1 (en) | Apparatus for accelerated melt crystal growth | |
US5458669A (en) | Process for purification of gallium material | |
US3156533A (en) | Crystal growth apparatus | |
GB1417440A (en) | Purification of selenium and selenium alloys by precipitation from a melt | |
US2984626A (en) | Production of metal halide ingots | |
Patterson | Controlled atmosphere kyropoulos growth of alkali halide single crystals | |
US3046100A (en) | Zone melting of semiconductive material | |
SU116935A1 (en) | Method of growing crystals from the melt | |
US2780539A (en) | Process of smelting germanium | |
US3157537A (en) | Critical cooling in crucible free drawing process to produce low melting materials of highest purity | |
SU526443A1 (en) | The method of processing the crystallizing metal | |
SU116849A1 (en) | The method of obtaining pure silicon and device for its implementation | |
RU2034079C1 (en) | Method for production of high-purity metallic scandium | |
RU2068462C1 (en) | Apparatus for growing crystals from melt | |
JPS545877A (en) | Crystal growing device | |
RU2026149C1 (en) | Method of producing castings with ordered structure | |
RU1649852C (en) | Process of synthesis and building up germaniumeulinite charge and device for practising synthesis | |
JPH02172885A (en) | Production of silicon single crystal | |
RU2560402C1 (en) | Method for monocrystal growing from molten metal |