SU132613A1 - Apparatus for accelerated melt crystal growth - Google Patents

Apparatus for accelerated melt crystal growth

Info

Publication number
SU132613A1
SU132613A1 SU645071A SU645071A SU132613A1 SU 132613 A1 SU132613 A1 SU 132613A1 SU 645071 A SU645071 A SU 645071A SU 645071 A SU645071 A SU 645071A SU 132613 A1 SU132613 A1 SU 132613A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
crystal growth
melt
crucible
melt crystal
vessel
Prior art date
Application number
SU645071A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
М.А. Васильева
И.В. Степанов
В.Я. Хаимов-Мальков
Н.Н. Шефталь
Original Assignee
М.А. Васильева
И.В. Степанов
В.Я. Хаимов-Мальков
Н.Н. Шефталь
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by М.А. Васильева, И.В. Степанов, В.Я. Хаимов-Мальков, Н.Н. Шефталь filed Critical М.А. Васильева
Priority to SU645071A priority Critical patent/SU132613A1/en
Priority to SU645071K priority patent/SU132614A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU132613A1 publication Critical patent/SU132613A1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Известны разнообразные конструкции кристаллизационных зстановок дл  скоростного выращивани  монокристаллов из расплава методом опускани  тигл . Например, описана трубчата  вертикальна  печь с узким металлическим кольцом-диафрагдмой, расположенным в нижней части печи и нагреваемым до высокой температуры.Various designs of crystallization plants are known for the rapid growth of single crystals from the melt by crucible lowering. For example, a tubular vertical furnace with a narrow metal diaphragm ring located at the bottom of the furnace and heated to a high temperature is described.

Предлагаемое устройство позвол ет производить сильное локальное охлаждение расплава, что улучшает и ускор ет процесс выращивани  кристаллов. Это достигаетс  наличием в нижней части трубчатой вертикальной печи охлаждаемого сосуда с легкоплавким металлом, в который погружаетс  тигель с кристаллизуемым веществом.The proposed device allows a strong local cooling of the melt, which improves and accelerates the process of growing crystals. This is achieved by the presence in the lower part of the tubular vertical furnace of a cooled vessel with a low-melting metal in which the crucible with the substance being crystallized is immersed.

На чертеже представлено устройство в разрезе.The drawing shows the device in section.

Тигель 1 с расплавом на креплении, устроенном сверху, перемещаетс  из обогреваемой верхней части трубчатой вертикальной печм в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав Розе или Вуда).The crucible 1 with the melt on the mount, arranged on top, moves from the heated upper part of the tubular vertical furnace to the unheated lower part, where a vessel 2 is placed coaxially with the crucible and filled with a low-melting metal or alloy (tin, Rose or Wood alloy).

Стенки сосуда охлаждаютс  током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа. Сосуд и.меет широкий слив 3, расположенный немного ниже его верхнего кра , и приемник 4 дл  вытекающего из слива металла.The walls of the vessel are cooled by flowing a flowing fluid (water, antifreeze) or a cooled gas. The vessel also has a wide discharge 3, located slightly below its upper edge, and a receiver 4 for the metal flowing out of the discharge.

Дл  успешного действи  устройства расплав перегреваетс  значительно выше температуры плавлени , примерно на 200° и более. Гор чий тигель с расплавом опзскаетс  в охлаждаемый сосуд с легкоплавким -металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растущего кристалла при одновременном перегреве расплава. Вытекающий из слива металл собираетс  в приемник.For successful operation of the device, the melt overheats significantly higher than the melting temperature, about 200 ° or more. The hot crucible with the melt is melted into a cooled vessel with a low-melting metal and melts the latter, which results in an intense heat exchange to abruptly cool the growing crystal while overheating the melt. The effluent metal is collected in the receiver.

Устройство значительно повышает чистоту (однородность) и скорость выращивани  монокристаллов.The device significantly increases the purity (uniformity) and the rate of single crystal growth.

Очистка кристалла от нерастворимых частиц коллоидных размеров и молекул рных примесей с применением охладител  намйого выше, чем без него..Purification of the crystal from insoluble particles of colloidal size and molecular impurities using a cooler higher than without it.

Предмет изобретени Subject invention

Устройство дл  выращивани  кристаллов из расплава методом опускани  тигл , нагреваемого в трубчатой вертикальной печи с обогреваемой верхней частью и не нагреваемой нижней частью, отличающеес  тем, что в нижней не нагреваемой части печи помещен охлаждаемый сосуд с легкоплавким металлом, снабженный сливо л и приемником дл  метала, вытекающего из сосуда при погружении в него тигл  с кристаллизуемым веществом.A device for growing crystals from a melt by lowering a crucible heated in a tubular vertical furnace with a heated upper part and an unheated lower part, characterized in that in the lower non-heated part of the furnace there is a cooled vessel with a low-melting metal, equipped with a drain and a receiver for metal, flowing out of the vessel when the crucible with the substance being crystallized is immersed in it.

SU645071A 1959-11-25 1959-11-25 Apparatus for accelerated melt crystal growth SU132613A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU645071A SU132613A1 (en) 1959-11-25 1959-11-25 Apparatus for accelerated melt crystal growth
SU645071K SU132614A1 (en) 1959-11-25 1959-11-25 Apparatus for accelerated melt crystal growth

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU645071A SU132613A1 (en) 1959-11-25 1959-11-25 Apparatus for accelerated melt crystal growth

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU132613A1 true SU132613A1 (en) 1959-11-30

Family

ID=48403641

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU645071A SU132613A1 (en) 1959-11-25 1959-11-25 Apparatus for accelerated melt crystal growth
SU645071K SU132614A1 (en) 1959-11-25 1959-11-25 Apparatus for accelerated melt crystal growth

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU645071K SU132614A1 (en) 1959-11-25 1959-11-25 Apparatus for accelerated melt crystal growth

Country Status (1)

Country Link
SU (2) SU132613A1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
SU132614A1 (en) 1959-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2471899A (en) Method of separating constituents of alloys by fractional crystallization
GB1463180A (en) Crystal growth
KR100825997B1 (en) Method and Apparatus for Growing Single Crystal
GB774270A (en) Method of producing bodies of metals or matalloids
US3353914A (en) Method of seed-pulling beta silicon carbide crystals from a melt containing silver and the product thereof
US2890139A (en) Semi-conductive material purification method and apparatus
SU132613A1 (en) Apparatus for accelerated melt crystal growth
US5458669A (en) Process for purification of gallium material
US3156533A (en) Crystal growth apparatus
GB1417440A (en) Purification of selenium and selenium alloys by precipitation from a melt
US2984626A (en) Production of metal halide ingots
Patterson Controlled atmosphere kyropoulos growth of alkali halide single crystals
US3046100A (en) Zone melting of semiconductive material
SU116935A1 (en) Method of growing crystals from the melt
US2780539A (en) Process of smelting germanium
US3157537A (en) Critical cooling in crucible free drawing process to produce low melting materials of highest purity
SU526443A1 (en) The method of processing the crystallizing metal
SU116849A1 (en) The method of obtaining pure silicon and device for its implementation
RU2034079C1 (en) Method for production of high-purity metallic scandium
RU2068462C1 (en) Apparatus for growing crystals from melt
JPS545877A (en) Crystal growing device
RU2026149C1 (en) Method of producing castings with ordered structure
RU1649852C (en) Process of synthesis and building up germaniumeulinite charge and device for practising synthesis
JPH02172885A (en) Production of silicon single crystal
RU2560402C1 (en) Method for monocrystal growing from molten metal