SU1320888A1 - Transistor switch - Google Patents

Transistor switch Download PDF

Info

Publication number
SU1320888A1
SU1320888A1 SU864006095A SU4006095A SU1320888A1 SU 1320888 A1 SU1320888 A1 SU 1320888A1 SU 864006095 A SU864006095 A SU 864006095A SU 4006095 A SU4006095 A SU 4006095A SU 1320888 A1 SU1320888 A1 SU 1320888A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
transistors
emitter
collector
bus
Prior art date
Application number
SU864006095A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Игоревич Мошкунов
Владимир Алексеевич Шутов
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2431
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2431 filed Critical Предприятие П/Я В-2431
Priority to SU864006095A priority Critical patent/SU1320888A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1320888A1 publication Critical patent/SU1320888A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано при построении наносекундных генераторов импульсов. Устройство содержит транзисторы 1.1-1.N с резистора- ми 2.1-2.N в цеп х коллекторов и 3.1- 3.N в цеп х эмиттеров, конденсаторы 4.1-4.N, диоды 5.1-5.N, выходную шину 6, входную шину 7, общую шину 8, генератор 9 управл ющих импульсов, внутреннее сопротивление 10 генератора 9, источник 11 питани  и нагрузку 12. Изобретение обеспечивает повышение быстродействи  транзисторного ключа, выполненного по предложенной схеме путем уменьшени  времени переключени  транзисторов. 2 ил. (Л г J-/ 1-1 V J-AT -о Фи9. 1The invention relates to a pulse technique and can be used in the construction of nanosecond pulse generators. The device contains transistors 1.1-1.N with resistors 2.1-2.N in collector circuits and 3.1-3.N in emitter circuits, capacitors 4.1-4.N, diodes 5.1-5.N, output bus 6, input bus 7, common bus 8, control pulse generator 9, internal resistance 10 of generator 9, power supply 11 and load 12. The invention improves the speed of a transistor switch made according to the proposed scheme by reducing the switching time of transistors. 2 Il. (Lg j- / 1-1 v j-at -o fi9. 1

Description

11eleven

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано при построении наносекундных гене раторов импульсов.The invention relates to a pulse technique and can be used in the construction of nanosecond pulse generators.

Цель изобретени  - повьниенне быстродействи  за счет уменьшени  времени переключени  транзисторов.The purpose of the invention is to increase the speed by reducing the switching time of the transistors.

На фиг. I представлена схема тран зисторного ключа; на фиг. 2 - дна-. v граммы токов, протекающих через один из транзисторов транзисторного ключаFIG. I shows the transistor switch circuit; in fig. 2 - bottom-. v grams of currents flowing through one of the transistors of the transistor switch

Транзисторный ключ содержит N транзисторов 1-1...1-N, N коллекторных резисторов 2rl...2-N, N эмиттер- ных резисторов 3-1...3-N, К конденса торов 4-1...4-N и N диодов 5-1...5-N причем коллектор каждого транзистора 1-1...1-N через соответствующий коллекторный резистор 2-1...2-N подклю чен к выходной шине 6, а эмиттер каждого транзистора 1-1...1-N соединен с первым вьшодом соответствующего эмиттерного резистора 3-1...3-й, каждый конденсатор 4-1...4-N включен параллельно- соответствующему эгдаттер ному резистору 3-1...3-N второй вывод первого эмиттерного резистора 3- 1 соединен с входной шиной 7 и через первый диод 5-1 с общей виной 8, котора  подключена к базе последнего 1-N, база каждого предьщущего транзистора 1-1 ...1-(N-1) соединена с вторым вьшодом соответствующего эмиттерного резистора 3-2...3-й и через соответствующий диод 5-2...5-N подключена к общей шине 8.The transistor switch contains N transistors 1-1 ... 1-N, N collector resistors 2rl ... 2-N, N emitter resistors 3-1 ... 3-N, K capacitors 4-1 ... 4-N and N diodes 5-1 ... 5-N and the collector of each transistor 1-1 ... 1-N through the corresponding collector resistor 2-1 ... 2-N is connected to the output bus 6, and the emitter each transistor 1-1 ... 1-N is connected to the first output of the corresponding emitter resistor 3-1 ... 3rd, each capacitor 4-1 ... 4-N is connected in parallel to the corresponding output resistor 3-1. ..3-N The second terminal of the first emitter resistor 3-1 is connected to the input bus 7 and through the first diode 5-1 with common fault 8, which is connected to the base of the last 1-N, the base of each previous transistor 1-1 ... 1- (N-1) is connected to the second end of the corresponding emitter resistor 3-2 ... 3rd and through the corresponding diode 5-2 ... 5-N is connected to the common bus 8.

На фиг. 1 также изображены генератор 9 управл ющих импульсов, внутреннее сопротивление 10 генератора 9 управл ющих импульсов, источник 11 питани  и .нагрузка 12. FIG. Figure 1 also shows the control pulse generator 9, the internal resistance 10 of the control pulse generator 9, the power supply 11 and the load 12.

Транзисторный ключ работает следующим образом.Transistor key works as follows.

В момент времени tj, (фиг. 2) импульс генератора 9, имеющий отпираю- дую пол рность, вызьгоает в течение времени t (фиг. 2) протекание уп- равл нмцего тока между управл ющей шиной 7 и общей пиной 8 по цепи последовательно соединенных конденсаторов 4-1...4-К и база-эмиттерных переходов транзисторов 1-1...1-N. При этом диоды 5-1...5-N закрыты, ток в к оллекторах транзисторов 1-1... ,..1-N отсутствует,, а конденсаторы зар жаютс  до напр жени  U . Максимальна  длительность tr (фиг. 2) импульса 1г генератора 9 ограничи3208882At time tj, (Fig. 2), a pulse of generator 9, having an unlocking polarity, during the time t (Fig. 2), the flow of the control of the nmz current between the control bus 7 and the common pin 8 along the series connected capacitors 4-1 ... 4-K and base-emitter transitions of transistors 1-1 ... 1-N. In this case, the diodes 5-1 ... 5-N are closed, the current in the collectors of the transistors 1-1 ..., .. 1-N is absent, and the capacitors are charged before the voltage U. The maximum duration tr (fig. 2) of the pulse 1g of the generator 9 is limited to 3208882

ваетс  временем диффузии Т™ неосновных носителей к коллекторному переходу транзисторов 1-1...1-N. В базах транзисторов 1-1...1-N к моменту 5 времени t, накапливаетс  зар д неосновных носителей Q „ - t,It is the diffusion time T of minority carriers to the collector junction of transistors 1-1 ... 1-N. In the bases of the transistors 1-1 ... 1-N, by the time 5 t, the charge of minority carriers Qn - t accumulates,

ВAT

момент t, начинает протекать ток через коллекторные переходы транзисторов 1-1...1-N, а в нагрузке 12 мируетс  выходной импульс. При этом коллекторные токи транзисторов 1-1...1-N замыкаютс  на общую щину 8 через базовые вьтоды и соответствующие открытые диоды 5-2...5-N. I- Эмиттерные переходь транзисторовtime t, a current begins to flow through the collector junctions of transistors 1-1 ... 1-N, and an output pulse is measured in load 12. In this case, the collector currents of the transistors 1-1 ... 1-N are closed on a common bus 8 through the base terminals and the corresponding open diodes 5-2 ... 5-N. I- emitter junction transistors

1-1...1-N заперты напр жением зар женных конденсаторов 4-1...4-N U,ап В период времени от t, (фиг. 2) коллекторные переходы транзисторов1-1 ... 1-N are locked by the voltage of charged capacitors 4-1 ... 4-N U, an In the time period from t, (Fig. 2) collector transitions of transistors

20 1-1...1-N открыты. По мере рассасывани  избыточного зар да неосновных носителей коллекторные переходы в момент времени 13 смещаютс  в обратном направлении и к моменту t, тран- - зисторы 1-1...1-N запираютс . Конденсаторы 4-1...4-N разр жаютс  через резисторы 3-1...3-N, и транзисторный ключ возвращаетс  в исходное состо ние.20 1-1 ... 1-N are open. As the excess charge of minority carriers is absorbed, the collector transitions at time 13 are shifted in the opposite direction and by the time t, transistors 1-1 ... 1-N are locked. Capacitors 4-1 ... 4-N are discharged through resistors 3-1 ... 3-N, and the transistor switch returns to its original state.

30 Быстродействие данного транзисторного ключа выше, чем у известных транзисторных ключей, за счет уменьшени  переключени  транзисторов.30 The speed of this transistor switch is higher than that of the known transistor switches, due to the reduction of the switching transistors.

3535

Claims (1)

Формула изобретениInvention Formula Транзисторный ключ, содержащий N транзисторов, N коллекторных рези - сторов, И эмиттерных резисторов, входную и общую шины, коллектор дого транзистора через соответствующий коллекторный резистор подключен к выходной шине, а эмиттер каждого транзистора соединен с первым вьшодом соответствующего эмиттерного ре4 зистора, отличающийс  тем, что, с целью повьшгени  быстродействи , введены N конденсаторов и и диодов,, причем каждый конденсатор включен параллельно соответствующемуA transistor switch containing N transistors, N collector resistors, And emitter resistors, an input and a common bus, a collector of each transistor is connected to an output bus through the corresponding collector resistor, and the emitter of each transistor is connected to the first end of the corresponding emitter resistor, that, in order to improve the speed, N capacitors and and diodes are introduced, each capacitor being connected in parallel to the corresponding СП эмиттерному резистору, второй вьшод первого эмиттерного резистора соединен с входной шиной и через первый диод с общей шиной, котора  подключена к базе последнего транзистора, ба за каждого предьщущего транзистора соединена с вторым вьшодом соответствующего эмиттерного резистора и через соответствующий диод подключена к общей шине.SP emitter resistor, the second output of the first emitter resistor is connected to the input bus and through the first diode with a common bus that is connected to the base of the last transistor, the ba for each previous transistor is connected to the second end of the corresponding emitter resistor and through the corresponding diode connected to a common bus. 32088823208882 ваетс  временем диффузии Т™ неосновных носителей к коллекторному переходу транзисторов 1-1...1-N. В базах транзисторов 1-1...1-N к моменту 5 времени t, накапливаетс  зар д неосновных носителей Q „ - t,It is the diffusion time T of minority carriers to the collector junction of transistors 1-1 ... 1-N. In the bases of the transistors 1-1 ... 1-N, by the time 5 t, the charge of minority carriers Qn - t accumulates, ВAT Формула изобретениInvention Formula Транзисторный ключ, содержащий N транзисторов, N коллекторных рези - сторов, И эмиттерных резисторов, входную и общую шины, коллектор каждого транзистора через соответствующий коллекторный резистор подключен к выходной шине, а эмиттер каждого транзистора соединен с первым вьшодом соответствующего эмиттерного резистора , отличающийс  тем, что, с целью повьшгени  быстродействи , введены N конденсаторов и и диодов,, причем каждый конденсатор включен параллельно соответствующемуA transistor switch containing N transistors, N collector resistors, And emitter resistors, an input and a common bus, the collector of each transistor is connected to the output bus through the corresponding collector resistor, and the emitter of each transistor is connected to the first end of the corresponding emitter resistor, characterized in that , in order to improve the speed, N capacitors and and diodes are introduced, each capacitor connected in parallel with the corresponding эмиттерному резистору, второй вьшод первого эмиттерного резистора соединен с входной шиной и через первый диод с общей шиной, котора  подключена к базе последнего транзистора, база каждого предьщущего транзистора соединена с вторым вьшодом соответствующего эмиттерного резистора и через соответствующий диод подключена к общей шине.emitter resistor, the second output of the first emitter resistor is connected to the input bus and through the first diode with a common bus that is connected to the base of the last transistor, the base of each previous transistor is connected to the second output of the corresponding emitter resistor and through the corresponding diode connected to a common bus. t, tt, t фиг, Zfig Z ty t4ty t4
SU864006095A 1986-01-06 1986-01-06 Transistor switch SU1320888A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864006095A SU1320888A1 (en) 1986-01-06 1986-01-06 Transistor switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864006095A SU1320888A1 (en) 1986-01-06 1986-01-06 Transistor switch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1320888A1 true SU1320888A1 (en) 1987-06-30

Family

ID=21215839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864006095A SU1320888A1 (en) 1986-01-06 1986-01-06 Transistor switch

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1320888A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Глазенко Т. А. Импульсные полупроводниковые усилители в электроприводах. - М.-Л.,: Энерги , 1965, с. 34, рис. 20. Коссов 0. А. Усилители мощности на транзисторах в режиме переключений. - М.-Л.: Энерги , 1964, с. 98, рис. 4-2. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1320888A1 (en) Transistor switch
SU1614104A1 (en) Pulse shaper
RU1809511C (en) Phase shifter
SU1368976A2 (en) Matching device
SU1347168A1 (en) Time interval-to-volatge converter
SU1084933A1 (en) Two-step transistor inverter
SU1252797A1 (en) Integrator of pulsed voltage
SU411591A1 (en)
SU1661989A1 (en) Thyristor key
SU1488945A1 (en) Voltage converter
SU1451816A1 (en) Device for controlling transistor switching element
SU1753557A1 (en) Controlled ac/ac voltage converter
SU1626372A1 (en) Electronic switch
SU1023634A1 (en) T flip-flop
SU1372561A1 (en) Transistorized converter
RU1810974C (en) Push-pull voltage converter
SU1322425A1 (en) Bridge multivibrator
SU1162034A1 (en) Logical level converter
SU1081778A1 (en) Polyphase multivibrator
SU1515299A1 (en) Device for controlling three-phase thyristor voltage inverter
SU1541766A1 (en) Device for control with composite key
SU1660134A1 (en) Multiphase multivibrator
SU1277382A1 (en) Transistor-transistor logic element
SU1385212A1 (en) Half-bridge d.c.voltage converter
SU1465991A2 (en) High-voltage switch