SU1252797A1 - Integrator of pulsed voltage - Google Patents
Integrator of pulsed voltage Download PDFInfo
- Publication number
- SU1252797A1 SU1252797A1 SU853840821A SU3840821A SU1252797A1 SU 1252797 A1 SU1252797 A1 SU 1252797A1 SU 853840821 A SU853840821 A SU 853840821A SU 3840821 A SU3840821 A SU 3840821A SU 1252797 A1 SU1252797 A1 SU 1252797A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- integrator
- base
- transistors
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к контрольно-измерительной технике, в частности, к области аналогового преобразовани временных параметров одиночных или периодических импульсов напр жени , а также может быть использовано в качестве врем задайщего элемента, имеющего большую посто ннук) вpe(eнп. Целью изобретег и пл етсл попышеиие точности интегрировани . Интегратор содержит составной эш1ттериы 1 повторитель на двух транзисторах 1, 2, основной и дополнительный интегрируюп;ие конденсаторы 3 и А, один из которьк The invention relates to instrumentation engineering, in particular, to the field of analog conversion of the temporal parameters of single or periodic voltage pulses, and can also be used as a time setting element having a large constant) in (EP. Purpose of the invention and design). integration accuracy. The integrator contains a composite power amplifier 1 repeater on two transistors 1, 2, the main and additional integrators, and the capacitors 3 and A, one of which
Description
ii
Иаобретение относитс к аналоговой и контрольно-измерительной технике, в частности к области аналогового пре образовани временных параметров одиночных или периодических импульсов напр жени , и может быть использовано в качестве врем задающего элемента , имеющего большую посто нную времени .The invention relates to analog and instrumentation engineering, in particular, to the field of analog conversion of the temporal parameters of single or periodic voltage pulses, and can be used as a time master element having a large time constant.
Цель изобретени - повышение точности интегрировани .The purpose of the invention is to improve the accuracy of integration.
На чертеже приведена схема интегратора .The drawing shows the scheme of the integrator.
Интегратор содержит составной эмит-20The integrator contains composite emit-20
своего прежнего напр жени зар да, окажетс зашуптированной значитель возросшим сопротивлением перехода, что увеличит посто нную времени эт звена.of its former charge voltage, will be sealed significantly by the increased resistance of the transition, which will increase the time constant of this link.
30thirty
терный повторитель, выполненный в ви- 5 эмиттер транзистора 1, не измен де двух транзисторов 1 и 2, основнойA termination repeater made in the 5 emitter of transistor 1 does not change the two transistors 1 and 2, the main
и дополнительный интегрирующие конденсаторы 3 и 4, один из которых 3 }зкл1очен параллельно коллекторно-базо- вому переходу транзистора 2, а другой - параллельно его базо-эмиттерно- му переходу, с Э№1ттером которого соединен )1агрузочный резистор 5,and additional integrating capacitors 3 and 4, one of which 3} is connected parallel to the collector-base junction of transistor 2, and the other parallel to its base-emitter junction, with E # 1 coupler connected)
Интегратор работает следующим образом .The integrator works as follows.
В исходном состо нии транзисторы 1 и 2 наход тс в активном режиме, . интегрируюпц1й конденсатор 3 зар жен до напр жени (, s-s интег- рируощий конденсатор 4 - до напр жеНИН Ujfg ,In the initial state, the transistors 1 and 2 are in active mode,. Integrated capacitor 3 is charged to voltage (, s-s integrated capacitor 4 - to voltage), Ujfg,
С приходом положительного входного импульса транзистор 1 переходит в режим насыщени , при котором увеличиваетс его коллекторныГ: ток, сильно нас1.1цаю11Ц1й транзистор 2. Этому состо нию транзисторов 1 и 2 соответствует уменьшение падени напр жени на переходе коллектор - эмиттер транзистора и уБелмче П 1е на переходе база - эмиттер транзистора 2, а также накопление Избыточного зар да неосновных носителей п базе транзистора 2, Поскольку переход н это состо ние происходит под воздействием увеличенных токов, изменение напр жени на конденсаторах 3 и А происходит сравнительно быстро и положительный форонт выходного импульса формируетс на на- 1 рузочном резисторе 5 практически без задержки.With the arrival of a positive input pulse, the transistor 1 goes into saturation mode, which increases its collector G: current, much like a 1.1C11C1 transistor 2. This state of transistors 1 and 2 corresponds to a decrease in the voltage drop across the collector-emitter junction voltage and the base – emitter junction of transistor 2, as well as the accumulation of the excess charge of minority carriers at the base of transistor 2, Since the transition to this state occurs under the influence of increased currents, the voltage across the capacitor The switches 3 and A occur relatively quickly and a positive foron of the output pulse is generated on the external resistor 5 with practically no delay.
3535
Но уменьшение коллекторного ток транзистора 1 означает и уменьшени базового тока транзистора 2, вслед 25 ствие чего емкость конденсатора А, фиксирующа падение, напр жени на реходе баз а - эмиттер .транзистора не измен своего прежнего напр же ни , окажетс зашуптированной все лее возрастающим сопротивлением пе хода, что увеличит посто нную врем ни этого звена.But a decrease in the collector current of transistor 1 means and a decrease in the base current of transistor 2, 25 which means that the capacitance A of the capacitor, which registers the drop, the voltage across the base junction A - the emitter of the transistor does not change its former voltage, will become more and more resistant course, which will increase the constant time of this link.
Таким образом, по мере рассасыв ни избыточного зар да потенциалы эмиттеров транзисторов 1 и 2 будут измен тьс в сторону уменьшени со скоростью, задаваемой посто нными мени указанных звеньев и практичес без вли ни нижнего звена, которым вл етс нагрузочный резистор 5, д тех пор, пока не закончитс перехо ный процесс, обеспечива тем самым зависимость посто нной времени инт рировани от величины поминала это резистора, В этом состоит суть фун онировани схемы. Следует отметить что работа схемы будет происходить соответствии с описанием при услов что посто нна времени цен нагруз будет оставатьс достаточно малой сравнению с посто нными времени зв ньев: коллектор - эмиттер транзист 1 и база - эмиттер транзистора 2,Thus, as the excess charge dissolves, the potentials of the emitters of the transistors 1 and 2 will decrease in the direction of decreasing with the speed specified by the constant values of the indicated links and practically without the influence of the lower link, which is the load resistor 5, until the transition process is over, thus ensuring the dependence of the constant intrinsic integration time on the value of this resistor, this is the essence of the func- tioning of the circuit. It should be noted that the operation of the circuit will occur in accordance with the description under the condition that the time constant of the load prices will remain rather small compared to the constant time of the links: collector - emitter transist 1 and base - emitter of transistor 2,
4040
4545
5050
Фиксаци положени рабочих точек транзисторов 1 и 2, соответствующих болыпим токаи коллекторов и меньшим сопротиБленипм переходов коллектор - эмиттер и база - эмиттер, продолжаетс в течение действи входного импульса . После его окончани базаFixing the position of the working points of the transistors 1 and 2, corresponding to large current and collectors and smaller collector-emitter and base-emitter transitions, continues during the input pulse. After it ends
972972
транзистора 1 мгновенно приобретает нулевой потенциал, однако-его эмиттер не сможет также быстро отследить это изменение, ибо накопленный в базе вы- ходного транзистора 2 избыточный зар д окажет на переход база - эмиттер транзистора 1 запирающее действие, в результате чего его рабоча точка окажетс в области отсечки и одновре- 1менно с уменьшением коллекторного тока увеличитс сопротивление перехо- |да коллектор - эмиттер. Емкость кон- |денсатора 3, фиксирующа падение напр жени на переходе коллектор - transistor 1 instantly acquires a zero potential, however, its emitter cannot also quickly track this change, because the excess charge accumulated in the base of the output transistor 2 will have a locking effect on the base – emitter transition, resulting in its operating point the cut-off area and simultaneously with a decrease in the collector current, the resistance of the collector-emitter junction will increase. The capacitance of the capacitor 3, fixing the voltage drop at the junction collector -
своего прежнего напр жени зар да, окажетс зашуптированной значительно возросшим сопротивлением перехода, что увеличит посто нную времени этого звена.its former charge voltage, will be sealed by a significantly increased resistance of the transition, which will increase the time constant of this link.
эмиттер транзистора 1, не измен transistor 1 emitter, do not change
Но уменьшение коллекторного тока транзистора 1 означает и уменьшение базового тока транзистора 2, вслед- ствие чего емкость конденсатора А, фиксирующа падение, напр жени на переходе баз а - эмиттер .транзистора 2, не измен своего прежнего напр жени , окажетс зашуптированной все более возрастающим сопротивлением перехода , что увеличит посто нную времени этого звена.But a decrease in the collector current of transistor 1 also means a decrease in the base current of transistor 2, as a result of which the capacitance capacitance A, which fixes a drop, the voltage at the base junction A - the emitter of transistor 2, does not change its former voltage, will become more and more resistive transition, which will increase the time constant of this link.
Таким образом, по мере рассасывани избыточного зар да потенциалы эмиттеров транзисторов 1 и 2 будут измен тьс в сторону уменьшени со , скоростью, задаваемой посто нными вре - мени указанных звеньев и практически без вли ни нижнего звена, которым вл етс нагрузочный резистор 5, до тех пор, пока не закончитс переходный процесс, обеспечива тем самым независимость посто нной времени интегрировани от величины поминала этого резистора, В этом состоит суть функционировани схемы. Следует отметить, что работа схемы будет происходить в соответствии с описанием при условии, что посто нна времени цен нагрузки будет оставатьс достаточно малой по сравнению с посто нными времени звеньев: коллектор - эмиттер транзистора 1 и база - эмиттер транзистора 2,Thus, as the excess charge dissolves, the potentials of the emitters of transistors 1 and 2 will change in the direction of decreasing with the speed specified by the time constant of the indicated links and practically without affecting the lower link, which is the load resistor 5, to those until the transient process is over, thereby ensuring the independence of the constant integration time on the value of this resistor, this is the essence of the functioning of the circuit. It should be noted that the operation of the circuit will occur in accordance with the description provided that the time constant of the load prices will remain rather small compared to the time constant of the links: the collector - emitter of transistor 1 and the base - emitter of transistor 2,
Таким образом, в предлагаемом ин- теграторе обеспечиваетс ппг.то нство посто нной интегрировани лри изменении величины нагрузки в широких пределах .Thus, in the proposed integrator, PPG is ensured. The constant integration of the load value changes over a wide range.
3125231252
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853840821A SU1252797A1 (en) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | Integrator of pulsed voltage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853840821A SU1252797A1 (en) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | Integrator of pulsed voltage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1252797A1 true SU1252797A1 (en) | 1986-08-23 |
Family
ID=21157465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853840821A SU1252797A1 (en) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | Integrator of pulsed voltage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1252797A1 (en) |
-
1985
- 1985-01-07 SU SU853840821A patent/SU1252797A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Шило В.Л. Функциональные аналоговые интегральные микросхемы.- М.: Советское радио, 1982, с. 73. Патент JP № 52-15427, кл. G 06 G 7/18, опублик. 1980. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU1252797A1 (en) | Integrator of pulsed voltage | |
JPS54148464A (en) | Pulse generating circuit | |
SU1205264A1 (en) | Triangular voltage generator | |
SU500574A1 (en) | Operational amplifier | |
SU1190472A1 (en) | Multivibrator | |
SU503344A1 (en) | Transistor modulator | |
SU758497A1 (en) | Variable amplitude pulse shaper | |
SU372665A1 (en) | PULSE EXPANDER | |
SU1448402A1 (en) | Comparator | |
SU470910A1 (en) | Differential amplifier | |
JPS5947396B2 (en) | hold circuit | |
SU527003A1 (en) | Differential amplifier | |
SU476690A1 (en) | Digital device | |
SU1518870A1 (en) | Amplitude detector | |
SU834838A1 (en) | Current element | |
SU1401566A1 (en) | Emitter repeater | |
SU1473078A1 (en) | Pulse-width modulator | |
SU465720A1 (en) | Odnovibrator | |
SU1338053A1 (en) | Adder | |
SU721797A1 (en) | Comparator | |
KR930006692Y1 (en) | Switching time reducted circuit used for short diode | |
SU1539748A1 (en) | Dc voltage stabilizer | |
SU1614104A1 (en) | Pulse shaper | |
SU1234960A2 (en) | High-voltage selector switch | |
JPS5824517Y2 (en) | Pre-operation signal sending circuit |