Claims (1)
Формула изобретени Invention Formula
Двухтактный усилитель мощности, содержащий входной однофазный блокPush-pull power amplifier containing single-phase input unit
)5 возбуждени , каскад предварительного усилени на первом и втором бипол рных транзисторах противоположной структуры, включенных последовательно по посто нному току, и выходной каскад на первом и втором МДП-тран- зисторах с индуцированным каналом одного типа проводимости, включенных последовательно по посто нному току, причем базы первого и второго бипол рных транзисторов соединены с соответствующими выходами входного однофазного блока возбуждени , между эмиттером второго бипол рного транзистора и затвором первого НДП-транЗС зистора включен первый резистор, коллектор второго бипол рного транзистора соединен с затвором второго МДП-транзистора, и между точкой их соединени и соответствующей щиной) 5 excitation, a preamplifier cascade on the first and second bipolar transistors of the opposite structure, connected in series at a constant current, and an output stage at the first and second MOS transistors with an induced channel of the same type of conductivity, connected in series at a constant current, moreover, the bases of the first and second bipolar transistors are connected to the corresponding outputs of the input single-phase excitation unit, between the emitter of the second bipolar transistor and the gate of the first NDP-transZS stories included a first resistor, the collector of the second bipolar transistor is connected to the gate of the second MISFET, and a point between them and the corresponding compound schinoy
2020
2525
цательной полуволне входного напр же- 35 источника питани включен второй рени открываетс второй бипол рный транзистор 4, его коллекторный ток создает на втором резисторе 9 падение напр жени , открывающее второй МДП-транзистор 7. Поскольку в верхнем шхече сигнал дважды инвертируетс nepfitiM транзистором 3 и отражателем 10 тока и имеетс 100%-на отражательна обратна св зь с выхода двухтактного усилител мощности на эмиттер первого бипол рного транзистора 3, а в нижнем плече сигнал также дважды инвертируетс вторым бипол рным транзистором 4 и вторым МДП- транзистором 1 и имеетс 100%-на отРедактор Л. Курасоваa solid half-wave of the input supply voltage of the power source, the second bipolar transistor 4 is turned on, the second bipolar transistor 4 opens, its collector current creates a voltage drop on the second resistor 9, opening the second MOS transistor 7. Since in the upper voltage the signal is inverted twice by the nepfitiM transistor 3 and the reflector 10 current and there is a 100% reflective feedback from the output of the push-pull power amplifier to the emitter of the first bipolar transistor 3, and in the lower arm the signal is also twice inverted by the second bipolar transistor ohm 4 and the second MOS transistor 1 and there is a 100% output from Editor L. Kurasova
sn Составитель Ю. Бо рчукsn Compiled by Yu Bo Rchuk
Техред М.ХоданичTehred M. Khodanych
зистор, точка соединени истока пер- го МДП-транзистора и стока второго МДП-транзистора подключена к эмиттеру второго бипол рного транзистора, о т40личающийс тем, что, с целью уменьщени нелинейных искажений, в него введен отражатель тока, выполненный на третьем и четвертом бипол рных транзисторах той же структуры,The transistor, the source connection point of the first MOS transistor and the drain of the second MOS transistor is connected to the emitter of the second bipolar transistor, which is characterized by the fact that, in order to reduce nonlinear distortions, a current reflector made on the third and fourth bipolar transducer is introduced into it transistors of the same structure
45 что и второй бипол рный транзистор, при этом вход отражател тока подключен к коллектору первого бипол рного транзистора, выход- к затвору первого МДП-транзистора,а обща точка-к соответствующей шине источника питани .45 as the second bipolar transistor, with the current reflector input connected to the collector of the first bipolar transistor, the output to the gate of the first MOS transistor, and the common point to the corresponding power supply bus.
Корректор А. ОбручарProofreader A. Obruchar
Заказ 1464/54Order 1464/54
Тираж 902Circulation 902
БНИИПИ Государственного комитета СССРBNIIPI USSR State Committee
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., 4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4Production and printing company, Uzhgorod, st. Project, 4
рицательна обратна св зь с выхода двухтактного усилител мощности на эмиттер второго бипол рного транзистора 4, то в целом двухтактный усилитель мощности вл етс симметричным неинвертирующим повторителем напр жени . Высока , симметри двухтактного усилител мощности обеспечивает низкий уровень нелинейных искажений.Since the negative feedback from the output of the push-pull power amplifier to the emitter of the second bipolar transistor 4, the overall push-pull power amplifier is a symmetrical non-inverting voltage follower. High, symmetry push-pull power amplifier provides low level of non-linear distortion.
Формула изобретени Invention Formula
Двухтактный усилитель мощности, содержащий входной однофазный блокPush-pull power amplifier containing single-phase input unit
возбуждени , каскад предварительного усилени на первом и втором бипол рных транзисторах противоположной структуры, включенных последовательно по посто нному току, и выходной каскад на первом и втором МДП-тран- зисторах с индуцированным каналом одного типа проводимости, включенных последовательно по посто нному току, причем базы первого и второго бипол рных транзисторов соединены с соответствующими выходами входного однофазного блока возбуждени , между эмиттером второго бипол рного транзистора и затвором первого НДП-транзистора включен первый резистор, коллектор второго бипол рного транзистора соединен с затвором второго МДП-транзистора, и между точкой их соединени и соответствующей щинойexcitation, a preamplifier cascade on the first and second bipolar transistors of the opposite structure, connected in series at a constant current, and an output cascade on the first and second MOS transistors with an induced channel of the same type of conductivity, connected in series through a direct current, the first and second bipolar transistors are connected to the corresponding outputs of the input single-phase excitation unit, between the emitter of the second bipolar transistor and the gate of the first NDP transistor The first resistor is connected, the collector of the second bipolar transistor is connected to the gate of the second MOS transistor, and between the point of their connection and the corresponding length
35 источника питани включен второй реsn Ю. Бо рчук35 power sources included the second reg Y. Bo rchuk
зистор, точка соединени истока пер- го МДП-транзистора и стока второго МДП-транзистора подключена к эмиттеру второго бипол рного транзистора, о т40личающийс тем, что, с целью уменьщени нелинейных искажений, в него введен отражатель тока, выполненный на третьем и четвертом бипол рных транзисторах той же структуры,The transistor, the source connection point of the first MOS transistor and the drain of the second MOS transistor is connected to the emitter of the second bipolar transistor, which is characterized by the fact that, in order to reduce nonlinear distortions, a current reflector made on the third and fourth bipolar transducer is introduced into it transistors of the same structure
45 что и второй бипол рный транзистор, при этом вход отражател тока подключен к коллектору первого бипол рного транзистора, выход- к затвору первого МДП-транзистора,а обща точка-к соответствующей шине источника питани .45 as the second bipolar transistor, with the current reflector input connected to the collector of the first bipolar transistor, the output to the gate of the first MOS transistor, and the common point to the corresponding power supply bus.
Корректор А. ОбручарProofreader A. Obruchar
ПодписноеSubscription