SU1295352A1 - Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити - Google Patents

Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити Download PDF

Info

Publication number
SU1295352A1
SU1295352A1 SU853960703A SU3960703A SU1295352A1 SU 1295352 A1 SU1295352 A1 SU 1295352A1 SU 853960703 A SU853960703 A SU 853960703A SU 3960703 A SU3960703 A SU 3960703A SU 1295352 A1 SU1295352 A1 SU 1295352A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
crystal
titanium
optical waveguide
lithium niobate
acid
Prior art date
Application number
SU853960703A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Георгиевич Воеводин
Идея Матвеевна Винокурцева
Александр Николаевич Морозов
Original Assignee
Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете им.В.В.Куйбышева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете им.В.В.Куйбышева filed Critical Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете им.В.В.Куйбышева
Priority to SU853960703A priority Critical patent/SU1295352A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1295352A1 publication Critical patent/SU1295352A1/ru

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к оптической электронике, в частности к интегральной оптике. Цель изобретени  - уменьшение оптических потерь в волноводе . На одну из полированных граней кристалла ниобата лити  нанос т пленку титана. После осуществлени  диффузии титана эту грань кристалла погружают в расплав салициловой кислоты и выдерживают при 160-210°С в течение 1-60 мин. Удал ют с охлажденного кристалла остатки кислоты этиловым спиртом. В полученном волноводе измерение оптических потерь осуществл ют фотографированием рассе нного излучени , видимого на его поверхности. 1 табл. ifi I (/) o со ел со ел to

Description

Изобретение относитс  к оптической электронике, в частности к интегральной оптике, и может быть использовано при создании устройств обработки оптических и радиосигналов,
Цель изобретени  - увеличение показател  преломлени  и уменьшение оптических потерь в волноводе.
Согласно предлагаемому способу на полированную поверхность кристалла ниобата лити  нанос т пленку титана, диффундируют титан и затем обрабатывают кристалл в расплаве органической салициловой кислоты НОГ Нц СООН при 160-210°С в течение 1-60 мин.
Выбор сапициловой кислоты обусловлен тем, что константа диссоциации этой кислоты KQ. 1,0 X 10 существенно больше константы диссоциации бензойной кислоты, дл  которой Kjj 6,6 X 10 Это приводит к увеличению концентрации протонов Н в расплаве салициловой кислоты (по сравнению с бензойной) и, следовательно , к увеличению концентрации протонов, внедрившихс  в волновод LiNbO : Ti, сформированный в кристалле ниобата лити  после диффузии титана. Увеличение концентрации протонов приводит к дополнительному изменению диэлектрической проницаемости материала волноводного сло  (за счет увеличени  пол ризуемости) и к соответствующему увеличению его показател  преломлени  (an 75 0,3), Кроме того, салицилова  кислота позвол ет получить дополнительный полирующий эффект при обработке поверхности кристалла в ее расплаве, что приводит к уменьшению оптических потерь в волноводе до значений cid дБ-см ,
Выбор нижней границы температур-: ного интервала, в котором проводитс  обработка в расплаве салициловой кислоты , определ етс  температурой плавлени  кислоты (Тр ); верхн   граница этого интервала определ етс  температурой кипени  кислоты ( 211 С), Выбор времени обработки t в расгшаве салициловой кислоты определ етс  тем, что при t 1 мин положительный эффект практически не заметен , а при t 60 мин параметры уже сформированного волновода мен ютс  незначительно,
Пример, Дл  изготоапени  волноводов используютс  полированные
5
0
5
0
5
40
45
50
55
кристаллы (пластины) ниобата лити  32x20x1,5 мм, изготовленные по стандартной технологии аналогично серийным пластинам ПЛ - 32x20x15 - ZX,
На одну грань кристалла (32x20 мм) на установке УВН-71 ПЗ наноситс  пленка титана марки ВТ-1 толщиной
о
10000 50 А, Диффузи  титана проводитс  при 9 sot 0,5°С в течение 8 ч на стандарт{1ых печах типа СДО 125/ЧА, После проведени  диффузии эта же грань кристалла погружаетс  в расплав салициловой кислоты и выдерживаетс  при 160-210°С в течение определенного времени. Используетс  салицилова  кислота марки ХЧ, дополнительно очищенна  путем трехкратной возгонки . Салицилова  кислота помещаетс  в кварцевый тигель и нагреваетс  до указанной температуры в муфельной печи, температура которой задаетс  с помощью терморегул тора ВРТ-3 с точностью t 0,,
После обработки в расплаве салициловой кислоты кристалл охлаждаетс ; остатки кислоты удал ютс  с его поверхности этиловым спиртом. Определение приращени  показател  преломлени  ьп в изготовленном волноводе проводитс  по стандартной методике путем измерени  углов распространени 
мод с использованием лазера ЛГ-44 и гониометра Г-5, Измерение оптических потерь (коэффициента ослаблени ,) в волноводе проводитс  путем фотографировани  трека волноводной мода (т,е, рассе нного излучени , видимого на поверхности волновода) и дальнейшего фотометрировани  на фотометре МФ-58, В таблице представлены параметры йп и с дл  возноводов, полученных предлагаемым и известным способами (дл  одинаковых температурно- временных режимов диффузии титана и обработки в расплав органических кислот).
Из таблицы видно, что параметры волноводов существенно улучшаютс  при использовании предлагаемого способа изготовлени  волноводов.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ изготовлени  оптического волновода на основе кристалла ниобата лити , включаюший нанесение пленки титана на полированную поверхность крИсталла , диффузию титана и последующую обработку в расплаве органической кис- лоты, отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  оптических
    0,02
    Редактор О, Бугир
    Составитель В, Кравченко
    Техред И.ПоповичКорректор Е. Рошко
    Заказ 614/53Тираж 522Подписное
    ВНИИПИ Государственного комитета СССР
    по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб,, д. 4/5
    Производственно-полиграфическое предпри тие, г, Ужгород, ул. Проектна , 4
    потерь, указанную обработку осуществл ют в расплаве сагтциловой кислоты при температуре 160- 210 С в течение )-60 мин.
    0,02
    Волноводы LiNbO ;Ti (до обработки в кислотах) Т Т„
SU853960703A 1985-10-10 1985-10-10 Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити SU1295352A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853960703A SU1295352A1 (ru) 1985-10-10 1985-10-10 Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853960703A SU1295352A1 (ru) 1985-10-10 1985-10-10 Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1295352A1 true SU1295352A1 (ru) 1987-03-07

Family

ID=21199856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853960703A SU1295352A1 (ru) 1985-10-10 1985-10-10 Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1295352A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0837345A1 (en) * 1996-09-30 1998-04-22 Nikon Corporation Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Письма в ЭНТФ. Т. 4, вып. 10, 1978, с. 573-578. Opt. Commun, 1982, v. 42, № 2, p. 101-103, *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0837345A1 (en) * 1996-09-30 1998-04-22 Nikon Corporation Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region
US5983672A (en) * 1996-09-30 1999-11-16 Nikon Corporation Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region
US6269661B1 (en) 1996-09-30 2001-08-07 Nikon Corporation Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0341267B1 (en) Process for producing an optical waveguide and the product therefrom
Jackel et al. Proton exchange for high‐index waveguides in LiNbO3
US4740265A (en) Process for producing an optical waveguide and the product therefrom
US6567599B2 (en) Integrated optic device manufacture by cyclically annealed proton exchange process
Armenise Fabrication techniques of lithium niobate waveguides
Wilson et al. Secondary ion mass spectrometry depth profiling of proton‐exchanged LiNbO3 waveguides
SU1295352A1 (ru) Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити
Burns et al. Application of Li2O compensation techniques to Ti‐diffused LiNbO3 planar and channel waveguides
US4948407A (en) Proton exchange method of forming waveguides in LiNbO3
EP0597024B1 (en) Ion exchanged crystalline waveguides and processes for their preparation
US5194117A (en) Lithium niobate etchant
Finak et al. Planar diffusion glass waveguides obtained by immersing in molten KNO3
CA1324261C (en) Proton-exchange method of forming optical waveguides
Klein Chalcogenide glasses as passive thin film structures for integrated optics
Canali et al. Planar Waveguides Formation Process in Linbo3 by Ti IN-Diffusion and H-Li Ion Exchange: A Structural Study (o)
KR930010830B1 (ko) 열확산시 산화리튬의 표면 삼출을 방지한 광도파로의 제조방법
JP2000081527A (ja) プロトン交換された導波路の製造方法
Dutta et al. Use of laser annealing to achieve low loss in Corning 7059 glass, ZnO, Si3N4, Nb205, and Ta205 optical thin-film waveguides
JP2763489B2 (ja) 光導波路基板の製造方法
Haruna et al. Epitaxial growth of LiNbO3 optical-waveguide films by excimer laser ablation
EP0445930B1 (en) Lithium niobate etchant
JPH05294794A (ja) KTiOPO▲4▼単結晶表面光導波路作製方法
Bulmer et al. Formation And Properties Of Optical Waveguides In Strontium Barium Niobate (Sbn: 60)
JPH06281830A (ja) 光導波路基板の製造方法
RU2064686C1 (ru) Способ изготовления устройства ввода излучения в оптический волновод