SU1295352A1 - Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити - Google Patents
Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити Download PDFInfo
- Publication number
- SU1295352A1 SU1295352A1 SU853960703A SU3960703A SU1295352A1 SU 1295352 A1 SU1295352 A1 SU 1295352A1 SU 853960703 A SU853960703 A SU 853960703A SU 3960703 A SU3960703 A SU 3960703A SU 1295352 A1 SU1295352 A1 SU 1295352A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal
- titanium
- optical waveguide
- lithium niobate
- acid
- Prior art date
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к оптической электронике, в частности к интегральной оптике. Цель изобретени - уменьшение оптических потерь в волноводе . На одну из полированных граней кристалла ниобата лити нанос т пленку титана. После осуществлени диффузии титана эту грань кристалла погружают в расплав салициловой кислоты и выдерживают при 160-210°С в течение 1-60 мин. Удал ют с охлажденного кристалла остатки кислоты этиловым спиртом. В полученном волноводе измерение оптических потерь осуществл ют фотографированием рассе нного излучени , видимого на его поверхности. 1 табл. ifi I (/) o со ел со ел to
Description
Изобретение относитс к оптической электронике, в частности к интегральной оптике, и может быть использовано при создании устройств обработки оптических и радиосигналов,
Цель изобретени - увеличение показател преломлени и уменьшение оптических потерь в волноводе.
Согласно предлагаемому способу на полированную поверхность кристалла ниобата лити нанос т пленку титана, диффундируют титан и затем обрабатывают кристалл в расплаве органической салициловой кислоты НОГ Нц СООН при 160-210°С в течение 1-60 мин.
Выбор сапициловой кислоты обусловлен тем, что константа диссоциации этой кислоты KQ. 1,0 X 10 существенно больше константы диссоциации бензойной кислоты, дл которой Kjj 6,6 X 10 Это приводит к увеличению концентрации протонов Н в расплаве салициловой кислоты (по сравнению с бензойной) и, следовательно , к увеличению концентрации протонов, внедрившихс в волновод LiNbO : Ti, сформированный в кристалле ниобата лити после диффузии титана. Увеличение концентрации протонов приводит к дополнительному изменению диэлектрической проницаемости материала волноводного сло (за счет увеличени пол ризуемости) и к соответствующему увеличению его показател преломлени (an 75 0,3), Кроме того, салицилова кислота позвол ет получить дополнительный полирующий эффект при обработке поверхности кристалла в ее расплаве, что приводит к уменьшению оптических потерь в волноводе до значений cid дБ-см ,
Выбор нижней границы температур-: ного интервала, в котором проводитс обработка в расплаве салициловой кислоты , определ етс температурой плавлени кислоты (Тр ); верхн граница этого интервала определ етс температурой кипени кислоты ( 211 С), Выбор времени обработки t в расгшаве салициловой кислоты определ етс тем, что при t 1 мин положительный эффект практически не заметен , а при t 60 мин параметры уже сформированного волновода мен ютс незначительно,
Пример, Дл изготоапени волноводов используютс полированные
5
0
5
0
5
40
45
50
55
кристаллы (пластины) ниобата лити 32x20x1,5 мм, изготовленные по стандартной технологии аналогично серийным пластинам ПЛ - 32x20x15 - ZX,
На одну грань кристалла (32x20 мм) на установке УВН-71 ПЗ наноситс пленка титана марки ВТ-1 толщиной
о
10000 50 А, Диффузи титана проводитс при 9 sot 0,5°С в течение 8 ч на стандарт{1ых печах типа СДО 125/ЧА, После проведени диффузии эта же грань кристалла погружаетс в расплав салициловой кислоты и выдерживаетс при 160-210°С в течение определенного времени. Используетс салицилова кислота марки ХЧ, дополнительно очищенна путем трехкратной возгонки . Салицилова кислота помещаетс в кварцевый тигель и нагреваетс до указанной температуры в муфельной печи, температура которой задаетс с помощью терморегул тора ВРТ-3 с точностью t 0,,
После обработки в расплаве салициловой кислоты кристалл охлаждаетс ; остатки кислоты удал ютс с его поверхности этиловым спиртом. Определение приращени показател преломлени ьп в изготовленном волноводе проводитс по стандартной методике путем измерени углов распространени
мод с использованием лазера ЛГ-44 и гониометра Г-5, Измерение оптических потерь (коэффициента ослаблени ,) в волноводе проводитс путем фотографировани трека волноводной мода (т,е, рассе нного излучени , видимого на поверхности волновода) и дальнейшего фотометрировани на фотометре МФ-58, В таблице представлены параметры йп и с дл возноводов, полученных предлагаемым и известным способами (дл одинаковых температурно- временных режимов диффузии титана и обработки в расплав органических кислот).
Из таблицы видно, что параметры волноводов существенно улучшаютс при использовании предлагаемого способа изготовлени волноводов.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити , включаюший нанесение пленки титана на полированную поверхность крИсталла , диффузию титана и последующую обработку в расплаве органической кис- лоты, отличающийс тем, что, с целью уменьшени оптических0,02Редактор О, БугирСоставитель В, КравченкоТехред И.ПоповичКорректор Е. РошкоЗаказ 614/53Тираж 522ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб,, д. 4/5Производственно-полиграфическое предпри тие, г, Ужгород, ул. Проектна , 4потерь, указанную обработку осуществл ют в расплаве сагтциловой кислоты при температуре 160- 210 С в течение )-60 мин.0,02Волноводы LiNbO ;Ti (до обработки в кислотах) Т Т„
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853960703A SU1295352A1 (ru) | 1985-10-10 | 1985-10-10 | Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853960703A SU1295352A1 (ru) | 1985-10-10 | 1985-10-10 | Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1295352A1 true SU1295352A1 (ru) | 1987-03-07 |
Family
ID=21199856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853960703A SU1295352A1 (ru) | 1985-10-10 | 1985-10-10 | Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1295352A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0837345A1 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-22 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
-
1985
- 1985-10-10 SU SU853960703A patent/SU1295352A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Письма в ЭНТФ. Т. 4, вып. 10, 1978, с. 573-578. Opt. Commun, 1982, v. 42, № 2, p. 101-103, * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0837345A1 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-22 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
US5983672A (en) * | 1996-09-30 | 1999-11-16 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
US6269661B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-08-07 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0341267B1 (en) | Process for producing an optical waveguide and the product therefrom | |
Jackel et al. | Proton exchange for high‐index waveguides in LiNbO3 | |
US4740265A (en) | Process for producing an optical waveguide and the product therefrom | |
US6567599B2 (en) | Integrated optic device manufacture by cyclically annealed proton exchange process | |
Armenise | Fabrication techniques of lithium niobate waveguides | |
Wilson et al. | Secondary ion mass spectrometry depth profiling of proton‐exchanged LiNbO3 waveguides | |
SU1295352A1 (ru) | Способ изготовлени оптического волновода на основе кристалла ниобата лити | |
Burns et al. | Application of Li2O compensation techniques to Ti‐diffused LiNbO3 planar and channel waveguides | |
US4948407A (en) | Proton exchange method of forming waveguides in LiNbO3 | |
EP0597024B1 (en) | Ion exchanged crystalline waveguides and processes for their preparation | |
US5194117A (en) | Lithium niobate etchant | |
Finak et al. | Planar diffusion glass waveguides obtained by immersing in molten KNO3 | |
CA1324261C (en) | Proton-exchange method of forming optical waveguides | |
Klein | Chalcogenide glasses as passive thin film structures for integrated optics | |
Canali et al. | Planar Waveguides Formation Process in Linbo3 by Ti IN-Diffusion and H-Li Ion Exchange: A Structural Study (o) | |
KR930010830B1 (ko) | 열확산시 산화리튬의 표면 삼출을 방지한 광도파로의 제조방법 | |
JP2000081527A (ja) | プロトン交換された導波路の製造方法 | |
Dutta et al. | Use of laser annealing to achieve low loss in Corning 7059 glass, ZnO, Si3N4, Nb205, and Ta205 optical thin-film waveguides | |
JP2763489B2 (ja) | 光導波路基板の製造方法 | |
Haruna et al. | Epitaxial growth of LiNbO3 optical-waveguide films by excimer laser ablation | |
EP0445930B1 (en) | Lithium niobate etchant | |
JPH05294794A (ja) | KTiOPO▲4▼単結晶表面光導波路作製方法 | |
Bulmer et al. | Formation And Properties Of Optical Waveguides In Strontium Barium Niobate (Sbn: 60) | |
JPH06281830A (ja) | 光導波路基板の製造方法 | |
RU2064686C1 (ru) | Способ изготовления устройства ввода излучения в оптический волновод |